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R1EX25008ATA00I#S0 IC EEPROM 8KBIT SPI 5MHZ 8TSSOP Renesas Electronics America Inc.
| Gedächtnisart: | Permanent |
|---|---|
| Gedächtnis-Format: | EEPROM |
| Technologie: | EEPROM |
AS4C4M32S-7BCN IC DRAM 128MBIT PAR 90TFBGA Allianz Speicher, Inc.
| Gedächtnisart: | Flüchtig |
|---|---|
| Gedächtnis-Format: | D-RAM |
| Technologie: | SDRAM |
BQ4010MA-85 IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28DIP Texas Instruments
| Gedächtnisart: | Permanent |
|---|---|
| Gedächtnis-Format: | NVSRAM |
| Technologie: | NVSRAM (permanentes SRAM) |
AT26DF161A-MU IC FLASH 16MBIT SPI 70MHZ 8VDFN Renesas Design Deutschland GmbH
| Gedächtnisart: | Permanent |
|---|---|
| Gedächtnis-Format: | BLITZ |
| Technologie: | BLITZ |
IDT70T3319S133DD IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 144TQFP Renesas Electronics America Inc.
| Gedächtnisart: | Flüchtig |
|---|---|
| Gedächtnis-Format: | SRAM |
| Technologie: | SRAM - Doppelport, synchron |
AT25128T2-10TI-1.8 IC EEPROM 128KBIT SPI 20TSSOP Mikrochip-Technologie
| Gedächtnisart: | Permanent |
|---|---|
| Gedächtnis-Format: | EEPROM |
| Technologie: | EEPROM |
IS43R32400E-5BL-TR IC DRAM 128MBIT PAR 144LFBGA ISSI, integrierte Siliziumlösung Inc.
| Gedächtnisart: | Flüchtig |
|---|---|
| Gedächtnis-Format: | D-RAM |
| Technologie: | SDRAM-DDR |
IS61C3216AL-12KLI-TR IC SRAM 512KBIT PARALLEL 44SOJ ISSI, Integrierte Siliziumlösungen Inc.
| Gedächtnisart: | Flüchtig |
|---|---|
| Gedächtnis-Format: | SRAM |
| Technologie: | SRAM - Asynchron |
IS63WV1024BLL-12TLI IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP II ISSI, Integrierte Siliziumlösungen Inc.
| Gedächtnisart: | Flüchtig |
|---|---|
| Gedächtnis-Format: | SRAM |
| Technologie: | SRAM - Asynchron |
IS62WV102416EBLL-45BLI IC SRAM 16MBIT PARALLEL 48VFBGA ISSI, integrierte Siliziumlösung Inc.
| Gedächtnisart: | Flüchtig |
|---|---|
| Gedächtnis-Format: | SRAM |
| Technologie: | SRAM - Asynchron |