IS61C3216AL-12KLI-TR IC SRAM 512KBIT PARALLEL 44SOJ ISSI, Integrierte Siliziumlösungen Inc.

Markenname ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Modellnummer IS61C3216AL-12KLI-TR
Min Bestellmenge 1
Preis Based on current price
Verpackung Informationen Anti-statische Tasche und Karton
Lieferzeit 3-5 Arbeitstage
Zahlungsbedingungen T/T
Versorgungsmaterial-Fähigkeit Vorräte

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Produktdetails
Gedächtnisart Flüchtig Gedächtnis-Format SRAM
Technologie SRAM - Asynchron Speicherkapazität 512Kbit
Speicherorganisation 32K x 16 Gedächtnis-Schnittstelle Parallel
Taktfrequenz - Schreibzyklus-zeit- Wort, Seite 12ns
Zugriffzeit 12 ns Spannung - Versorgung 4.5V ~ 5.5V
Betriebstemperatur -40 °C bis 85 °C (TA) Typ der Montage Oberflächenbefestigung
Packung / Gehäuse 44-BSOJ (0,400", 10.16mm Breite) Lieferanten-Gerätepaket 44-SOJ
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Part Number Description
IS61C3216AL-12KLI-TR IC SRAM 512KBIT PARALLEL 44SOJ
IS61C6416AL-12KLI-TR IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ
IS61WV6416BLL-12KLI-TR IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ
IS61C3216AL-12KLI IC SRAM 512KBIT PARALLEL 44SOJ
IS61C6416AL-12KLI IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ
IS61WV6416BLL-12KLI IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ
IS61C25616AL-10KLI-TR IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ
IS61C25616AL-10KLI IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ
IS61WV25616BLL-10KLI-TR IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ
IS61WV25616BLL-10KLI IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ
IS61C6416AL-12KI IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ
IS61C6416AL-12KI-TR IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ
IS61LV25616AL-10K IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ
IS61LV25616AL-10K-TR IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ
IS61LV25616AL-10KLI IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ
IS61LV25616AL-10KLI-TR IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ
IS61LV6416-10KLI IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ
IS61LV6416-10KLI-TR IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ
IS61LV6416-12KL IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ
IS61LV6416-12KL-TR IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ
IS61LV6416-8KL-TR IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ
IS61LV6416-8KL IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ
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Part Number Description
Produkt-Beschreibung

Einzelheiten zum Produkt

Beschreibung

Der ISSI IS61C3216AL ist ein 512Kb starker RAM mit hoher Geschwindigkeit, organisiert als 32.768 Wörter bei 16 Bit.Dieses sehr zuverlässige Verfahren in Verbindung mit innovativen Techniken zur Schaltung von Schaltkreisen, erzeugt Zugangszeiten von bis zu 12 ns bei geringem Stromverbrauch.

Eigenschaften

• Hochgeschwindigkeitszugangszeit: 12 ns
• Niedrige Leistung: 175 mW (typisch)
• Niedrige Standby-Leistung: 1 mW (typischer CMOS-Standby)
• TTL-kompatible Schnittstellenebenen
• Einzelne 5V ± 10% Stromversorgung
• Vollständig statischer Betrieb: keine Uhr oder Aktualisierung erforderlich
• Erhältlich in 44-Pin-SOJ-Paketen und 44-Pin-TSOP (Typ II)
• Verfügbare kommerzielle und industrielle Temperaturbereiche
• Bleifrei erhältlich

Spezifikationen

Eigenschaft Attributivwert
Hersteller ISSI
Produktkategorie Speicher-ICs
Reihe IS61C3216AL
Typ Asynchron
Verpackung Verpackung mit Band und Rolle (TR)
Montage-Stil SMD/SMT
Packungskoffer 44-BSOJ (0,400", 10,16 mm Breite)
Betriebstemperatur -40 °C bis 85 °C (TA)
Schnittstelle Parallel
Spannungsversorgung 4.5 V ~ 5.5 V
Lieferant-Gerät-Verpackung 44-SOJ
Speicherkapazität 512K (32K x 16)
Speichertypen SRAM - Asynchron
Geschwindigkeit 12 ns
Datenquote SZR
Zugriffszeit 12 ns
Format-Speicher Speicherplatz
Höchstbetriebstemperatur + 85 °C
Betriebstemperaturbereich - 40 °C
Schnittstellentyp Parallel
Organisation 32 k x 16
Versorgungsstrom maximal 45 mA
Versorgungsspannung 5.5 V
Versorgungsspannung-Min 4.5 V
Packungskoffer SOJ-44

Beschreibungen

SRAM - Asynchrone Speicher IC 512Kb (32K x 16) Parallel 12ns 44-SOJ
SRAM 512K 32Kx16 12ns Async SRAM