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IS61C3216AL-12KLI-TR IC SRAM 512KBIT PARALLEL 44SOJ ISSI, Integrierte Siliziumlösungen Inc.

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xProduktdetails
Gedächtnisart | Flüchtig | Gedächtnis-Format | SRAM |
---|---|---|---|
Technologie | SRAM - Asynchron | Speicherkapazität | 512Kbit |
Speicherorganisation | 32K x 16 | Gedächtnis-Schnittstelle | Parallel |
Taktfrequenz | - | Schreibzyklus-zeit- Wort, Seite | 12ns |
Zugriffzeit | 12 ns | Spannung - Versorgung | 4.5V ~ 5.5V |
Betriebstemperatur | -40 °C bis 85 °C (TA) | Typ der Montage | Oberflächenbefestigung |
Packung / Gehäuse | 44-BSOJ (0,400", 10.16mm Breite) | Lieferanten-Gerätepaket | 44-SOJ |
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Part Number | Description | |
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IS61C3216AL-12KLI-TR | IC SRAM 512KBIT PARALLEL 44SOJ | |
IS61C6416AL-12KLI-TR | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ | |
IS61WV6416BLL-12KLI-TR | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ | |
IS61C3216AL-12KLI | IC SRAM 512KBIT PARALLEL 44SOJ | |
IS61C6416AL-12KLI | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ | |
IS61WV6416BLL-12KLI | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ | |
IS61C25616AL-10KLI-TR | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ | |
IS61C25616AL-10KLI | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ | |
IS61WV25616BLL-10KLI-TR | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ | |
IS61WV25616BLL-10KLI | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ | |
IS61C6416AL-12KI | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ | |
IS61C6416AL-12KI-TR | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ | |
IS61LV25616AL-10K | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ | |
IS61LV25616AL-10K-TR | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ | |
IS61LV25616AL-10KLI | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ | |
IS61LV25616AL-10KLI-TR | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ | |
IS61LV6416-10KLI | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ | |
IS61LV6416-10KLI-TR | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ | |
IS61LV6416-12KL | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ | |
IS61LV6416-12KL-TR | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ | |
IS61LV6416-8KL-TR | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ | |
IS61LV6416-8KL | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ |
Produkt-Beschreibung
Einzelheiten zum Produkt
Beschreibung
Der ISSI IS61C3216AL ist ein 512Kb starker RAM mit hoher Geschwindigkeit, organisiert als 32.768 Wörter bei 16 Bit.Dieses sehr zuverlässige Verfahren in Verbindung mit innovativen Techniken zur Schaltung von Schaltkreisen, erzeugt Zugangszeiten von bis zu 12 ns bei geringem Stromverbrauch.
Eigenschaften
• Hochgeschwindigkeitszugangszeit: 12 ns• Niedrige Leistung: 175 mW (typisch)
• Niedrige Standby-Leistung: 1 mW (typischer CMOS-Standby)
• TTL-kompatible Schnittstellenebenen
• Einzelne 5V ± 10% Stromversorgung
• Vollständig statischer Betrieb: keine Uhr oder Aktualisierung erforderlich
• Erhältlich in 44-Pin-SOJ-Paketen und 44-Pin-TSOP (Typ II)
• Verfügbare kommerzielle und industrielle Temperaturbereiche
• Bleifrei erhältlich
Spezifikationen
Eigenschaft | Attributivwert |
---|---|
Hersteller | ISSI |
Produktkategorie | Speicher-ICs |
Reihe | IS61C3216AL |
Typ | Asynchron |
Verpackung | Verpackung mit Band und Rolle (TR) |
Montage-Stil | SMD/SMT |
Packungskoffer | 44-BSOJ (0,400", 10,16 mm Breite) |
Betriebstemperatur | -40 °C bis 85 °C (TA) |
Schnittstelle | Parallel |
Spannungsversorgung | 4.5 V ~ 5.5 V |
Lieferant-Gerät-Verpackung | 44-SOJ |
Speicherkapazität | 512K (32K x 16) |
Speichertypen | SRAM - Asynchron |
Geschwindigkeit | 12 ns |
Datenquote | SZR |
Zugriffszeit | 12 ns |
Format-Speicher | Speicherplatz |
Höchstbetriebstemperatur | + 85 °C |
Betriebstemperaturbereich | - 40 °C |
Schnittstellentyp | Parallel |
Organisation | 32 k x 16 |
Versorgungsstrom maximal | 45 mA |
Versorgungsspannung | 5.5 V |
Versorgungsspannung-Min | 4.5 V |
Packungskoffer | SOJ-44 |
Beschreibungen
SRAM - Asynchrone Speicher IC 512Kb (32K x 16) Parallel 12ns 44-SOJ
SRAM 512K 32Kx16 12ns Async SRAM
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