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Stabiler 85MHZ Flash-Speicher IC 16MBIT SPI 8SOIC AT45DB161E-SHD-T

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xProduktdetails
Gedächtnisart | Permanent | Gedächtnis-Format | BLITZ |
---|---|---|---|
Technologie | BLITZ | Speicherkapazität | 16Mbit |
Speicherorganisation | 528 Bytes x 4096 Seiten | Gedächtnis-Schnittstelle | SPI |
Taktfrequenz | 85 MHZ | Schreibzyklus-zeit- Wort, Seite | 8µs, 4ms |
Zugriffzeit | - | Spannung - Versorgung | 2.5V | 3.6V |
Betriebstemperatur | -40°C | 85°C (TC) | Befestigung der Art | Oberflächenberg |
Paket/Fall | 8-SOIC (0,209", 5.30mm Breite) | Lieferanten-Gerät-Paket | 8-SOIC |
Hervorheben | Stabiler Flash-Speicher IC,85MHZ Flash-Speicher IC,AT45DB161E-SHD-T |
Produkt-Beschreibung
AT45DB161E-SHD-T IC BLITZ 16MBIT SPI 85MHZ 8SOIC Renesas Entwurf Deutschland GmbH
Produkt-Details
Beschreibung
Das Atmel AT45DB161E ist ein Minimum 2.3V oder 2.5V, Flash-Speicher sequenzieller Zugriff der Serien-schnittstelle, der ideal für eine große Vielfalt der digitalen Stimme entsprochen werden, Bild, Programmcode und Datenspeicherungsanwendungen. Das AT45DB161E stützt auch serielle Schnittstelle der Stromschnellen für die Anwendungen, die sehr Hochgeschwindigkeitsoperation erfordern. Seine 17.301.504 Bits des Gedächtnisses werden als 4.096 Seiten von 512 Bytes oder von 528 Bytes jedes organisiert. Zusätzlich zum Arbeitsspeicher enthält das AT45DB161E auch zwei SRAM-Puffer von 512/528 Bytes jedes. Die Puffer erlauben das Empfangen von Daten, während eine Seite im Arbeitsspeicher umprogrammiert wird. Das Verschachteln zwischen beiden Puffern kann die Fähigkeit eines Systems drastisch erhöhen, einen ununterbrochenen Datenstrom zu schreiben. Darüber hinaus können die SRAM-Puffer als zusätzlicher pademory Systemkratzer benutzt werden, und E2PROM-Emulation (Stückchen- oder Byteveränderlichkeit) kann mit einem selbstständigen dreistufigen leicht behandelt werden Lesen-ändern-schreibt Operation.
Eigenschaften
einzelnes 2.3V - 3.6V oder 2.5V - Versorgung 3.6V Serienzusatzschnittstelle (SPI) kompatibel
stützt SPI-Modi 0 und 3
stützt Operation Atmel® RapidS™
ununterbrochene Lesemöglichkeit durch gesamte Reihe
bis zu 85MHz
gelesene Niederleistungswahl bis zu 10MHz
Uhr-zu-Ertragzeit (Fernsehen) des Maximums 6ns
konfigurierbare Seitengröße Benutzers
512 Bytes pro Seite
528 Bytes pro Seite (Nichterfüllung)
Seitengröße kann die Fabrik sein, die für 512 Bytes vorkonfiguriert wird
zwei völlig - unabhängige SRAM-Pufferspeicher (512/528 Bytes)
Allows Daten beim Umprogrammieren der Zentralspeicherreihe empfangend
flexible Programmierungswahlen
Byte-/Seitenprogramm (1 bis 512/528 Bytes) direkt in Arbeitsspeicher
Puffer schreiben
dämpfen zum Zentralspeicherseiten-Programm ab
flexible Löschenwahlen
Seiten-Löschen (512/528 Bytes)
blockieren Löschen (4KB)
Sektor-Löschen (128KB)
Chip Erase (16-Mbits)
Programm und Löschen verschiebt,/Zusammenfassung
moderne Hardware- und Software-Datenschutzeigenschaften
einzelner Sektorschutz
einzelne Sektorsperre, zum irgendeines Sektors dauerhaft schreibgeschützt zu machen
128 Byte, einmaliges programmierbares Register der Sicherheits-(OTP)
64-Byte-Fabrik programmiert mit einem einzigartigen identifizierenden Merkmal
64-Byte-Benutzer programmierbar
kontrolliertes Zurückstellen Software
JEDEC las Standardhersteller und Gerät Identifikation
Niederleistungsableitung
500nA Ultra-tiefer Abschaltungsstrom (typisch)
3μA tiefer Abschaltungsstrom (typisch)
25μA Bereitschaftsstrom (typisch)
11mA aktiver gelesener Strom (typisch)
Ausdauer: 100.000 Programm-/Löschenzyklen pro Seitenminimum
Datenzurückhalten: 20 Jahre
stimmt mit voller industrieller Temperaturspanne überein
Verpackenwahlen Grüns (Pb/Halide-free/RoHS konform)
8 SOIC (0,150" breit) führen
8 Auflage ultradünnes DFN (5 x 6 x 0.6mm)
9 Ballc$chip-skala BGA (5 x 5 x 1.2mm)
Spezifikationen
Attribut | Attribut-Wert |
---|---|
Hersteller | ADESTO |
Produkt-Kategorie | Gedächtnis IC |
Reihe | AT45DB |
Verpacken | Rohr |
Stückgewicht | 0,019048 Unze |
Montage-ähnlich | SMD/SMT |
Laufen Lassen-Temperatur-Strecke | - 40 C bis + 85 C |
Paket-Fall | 8-SOIC (0,209", 5.30mm Breite) |
Laufen lassen-Temperatur | -40°C | 85°C (TC) |
Schnittstelle | SPI, Stromschnellen |
Spannung-Versorgung | 2,5 V | 3,6 V |
Lieferant-Gerät-Paket | 8-SOIC |
Speicherkapazität | 16M (4096 Seiten x 528 Bytes) |
Gedächtnis-artig | DataFLASH |
Geschwindigkeit | 85MHz |
Architektur | Chip Erase |
Format-Gedächtnis | BLITZ |
Schnittstelle-artig | SPI |
Organisation | 2 M x 8 |
Versorgung-Gegenwärtig-maximal | 22 MA |
Daten-Bus-Breite | Bit 8 |
Versorgung-Spannung-maximal | 3,6 V |
Versorgung-Spannung-Minute | 2,5 V |
Paket-Fall | SOIC-8 |
Maximum-Uhr-Frequenz | 70 MHZ |
TIMING-artig | Synchron |
Hersteller Part # | Beschreibung | Hersteller | Vergleichen Sie |
SST25VF016B-50-4I-QAF Gedächtnis |
16M x 1 GRELLES 2.7V PROM, DSO8, 6 x 5 MILLIMETER, ROHS KONFORM, WSON-8 | Mikrochip-Technologie Inc. | AT45DB161E-SHD-T gegen SST25VF016B-50-4I-QAF |
SST26VF016B-104I/SM Gedächtnis |
PROM IC-BLITZ-2.7V, programmierbares ROM | Mikrochip-Technologie Inc. | AT45DB161E-SHD-T gegen SST26VF016B-104I/SM |
SST25VF016B-75-4I-S2AF Gedächtnis |
16M x 1 GRELLES 2.7V PROM, PDSO8, 5,20 x 8 MILLIMETER, ROHS KONFORM, EIAJ, SOIC-8 | Mikrochip-Technologie Inc. | AT45DB161E-SHD-T gegen SST25VF016B-75-4I-S2AF |
AT45DB161E-SSHD-T Gedächtnis |
Grell, 16MX1, PDSO8, 0,150 ZOLL, GRÜN, PLASTIK, MS-012AA, SOIC-8 | Adesto Technologies Corporation | AT45DB161E-SHD-T gegen AT45DB161E-SSHD-T |
AT45DB161E-SHD-B Gedächtnis |
Grell, 16MX1, PDSO8, 0,208 ZOLL, GRÜN, PLASTIK, SOIC-8 | Adesto Technologies Corporation | AT45DB161E-SHD-T gegen AT45DB161E-SHD-B |
AT45DB161E-SSHD-B Gedächtnis |
Grell, 16MX1, PDSO8, 0,150 ZOLL, GRÜN, PLASTIK, MS-012AA, SOIC-8 | Adesto Technologies Corporation | AT45DB161E-SHD-T gegen AT45DB161E-SSHD-B |
AT45DB161D-SU Gedächtnis |
Grell, 16MX1, PDSO8, 0,209 ZOLL, GRÜN, PLASTIK, EIAJ, SOIC-8 | Atmel Corporation | AT45DB161E-SHD-T gegen AT45DB161D-SU |
SST25VF016B-50-4I-S2AF Gedächtnis |
16M x 1 GRELLES 2.7V PROM, PDSO8, 5,20 x 8 MILLIMETER, ROHS KONFORM, EIAJ, SOIC-8 | Mikrochip-Technologie Inc. | AT45DB161E-SHD-T gegen SST25VF016B-50-4I-S2AF |
SST25VF016B-50-4C-S2AF Gedächtnis |
16M x 1 GRELLES 2.7V PROM, PDSO8, 5,20 x 8 MILLIMETER, ROHS KONFORM, EIAJ, SOIC-8 | Mikrochip-Technologie Inc. | AT45DB161E-SHD-T gegen SST25VF016B-50-4C-S2AF |
Beschreibungen
Flash-Speicher IC 16Mb (528 Bytes x 4096 Seiten) SPI 85MHz 8-SOIC
NOCH grelles Serien-SPI 3.3V 16M-bit 6ns 8-Pin SOIC EIAJ T/R
Daten-Blitz des Flash-Speicher-16M 2.5-3.6V 85Mhz
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