Stabiler 85MHZ Flash-Speicher IC 16MBIT SPI 8SOIC AT45DB161E-SHD-T

Markenname Renesas Design Germany GmbH
Modellnummer AT45DB161E-SHD-T
Min Bestellmenge 1
Preis Based on current price
Verpackung Informationen antistatische Tasche u. Pappschachtel
Lieferzeit 3-5 Arbeitstage
Zahlungsbedingungen T/T
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Produktdetails
Gedächtnisart Permanent Gedächtnis-Format BLITZ
Technologie BLITZ Speicherkapazität 16Mbit
Speicherorganisation 528 Bytes x 4096 Seiten Gedächtnis-Schnittstelle SPI
Taktfrequenz 85 MHZ Schreibzyklus-zeit- Wort, Seite 8µs, 4ms
Zugriffzeit - Spannung - Versorgung 2.5V | 3.6V
Betriebstemperatur -40°C | 85°C (TC) Befestigung der Art Oberflächenberg
Paket/Fall 8-SOIC (0,209", 5.30mm Breite) Lieferanten-Gerät-Paket 8-SOIC
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Stabiler Flash-Speicher IC

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85MHZ Flash-Speicher IC

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AT45DB161E-SHD-T

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Produkt-Beschreibung

AT45DB161E-SHD-T IC BLITZ 16MBIT SPI 85MHZ 8SOIC Renesas Entwurf Deutschland GmbH

Produkt-Details

Beschreibung

Das Atmel AT45DB161E ist ein Minimum 2.3V oder 2.5V, Flash-Speicher sequenzieller Zugriff der Serien-schnittstelle, der ideal für eine große Vielfalt der digitalen Stimme entsprochen werden, Bild, Programmcode und Datenspeicherungsanwendungen. Das AT45DB161E stützt auch serielle Schnittstelle der Stromschnellen für die Anwendungen, die sehr Hochgeschwindigkeitsoperation erfordern. Seine 17.301.504 Bits des Gedächtnisses werden als 4.096 Seiten von 512 Bytes oder von 528 Bytes jedes organisiert. Zusätzlich zum Arbeitsspeicher enthält das AT45DB161E auch zwei SRAM-Puffer von 512/528 Bytes jedes. Die Puffer erlauben das Empfangen von Daten, während eine Seite im Arbeitsspeicher umprogrammiert wird. Das Verschachteln zwischen beiden Puffern kann die Fähigkeit eines Systems drastisch erhöhen, einen ununterbrochenen Datenstrom zu schreiben. Darüber hinaus können die SRAM-Puffer als zusätzlicher pademory Systemkratzer benutzt werden, und E2PROM-Emulation (Stückchen- oder Byteveränderlichkeit) kann mit einem selbstständigen dreistufigen leicht behandelt werden Lesen-ändern-schreibt Operation.

Eigenschaften

 einzelnes 2.3V - 3.6V oder 2.5V - Versorgung 3.6V
 Serienzusatzschnittstelle (SPI) kompatibel
 stützt SPI-Modi 0 und 3
 stützt Operation Atmel® RapidS™
 ununterbrochene Lesemöglichkeit durch gesamte Reihe
 bis zu 85MHz
 gelesene Niederleistungswahl bis zu 10MHz
 Uhr-zu-Ertragzeit (Fernsehen) des Maximums 6ns
konfigurierbare Seitengröße  Benutzers
 512 Bytes pro Seite
 528 Bytes pro Seite (Nichterfüllung)
 Seitengröße kann die Fabrik sein, die für 512 Bytes vorkonfiguriert wird
 zwei völlig - unabhängige SRAM-Pufferspeicher (512/528 Bytes)
 Allows Daten beim Umprogrammieren der Zentralspeicherreihe empfangend
 flexible Programmierungswahlen
 Byte-/Seitenprogramm (1 bis 512/528 Bytes) direkt in Arbeitsspeicher
 Puffer schreiben
 dämpfen zum Zentralspeicherseiten-Programm ab
 flexible Löschenwahlen
 Seiten-Löschen (512/528 Bytes)
 blockieren Löschen (4KB)
 Sektor-Löschen (128KB)
 Chip Erase (16-Mbits)
 Programm und Löschen verschiebt,/Zusammenfassung
 moderne Hardware- und Software-Datenschutzeigenschaften
 einzelner Sektorschutz
 einzelne Sektorsperre, zum irgendeines Sektors dauerhaft schreibgeschützt zu machen
 128 Byte, einmaliges programmierbares Register der Sicherheits-(OTP)
 64-Byte-Fabrik programmiert mit einem einzigartigen identifizierenden Merkmal
 64-Byte-Benutzer programmierbar
kontrolliertes Zurückstellen  Software
 JEDEC las Standardhersteller und Gerät Identifikation
 Niederleistungsableitung
 500nA Ultra-tiefer Abschaltungsstrom (typisch)
 3μA tiefer Abschaltungsstrom (typisch)
 25μA Bereitschaftsstrom (typisch)
 11mA aktiver gelesener Strom (typisch)
 Ausdauer: 100.000 Programm-/Löschenzyklen pro Seitenminimum
 Datenzurückhalten: 20 Jahre
 stimmt mit voller industrieller Temperaturspanne überein
Verpackenwahlen  Grüns (Pb/Halide-free/RoHS konform)
 8 SOIC (0,150" breit) führen
 8 Auflage ultradünnes DFN (5 x 6 x 0.6mm)
 9 Ballc$chip-skala BGA (5 x 5 x 1.2mm)

Spezifikationen

Attribut Attribut-Wert
Hersteller ADESTO
Produkt-Kategorie Gedächtnis IC
Reihe AT45DB
Verpacken Rohr
Stückgewicht 0,019048 Unze
Montage-ähnlich SMD/SMT
Laufen Lassen-Temperatur-Strecke - 40 C bis + 85 C
Paket-Fall 8-SOIC (0,209", 5.30mm Breite)
Laufen lassen-Temperatur -40°C | 85°C (TC)
Schnittstelle SPI, Stromschnellen
Spannung-Versorgung 2,5 V | 3,6 V
Lieferant-Gerät-Paket 8-SOIC
Speicherkapazität 16M (4096 Seiten x 528 Bytes)
Gedächtnis-artig DataFLASH
Geschwindigkeit 85MHz
Architektur Chip Erase
Format-Gedächtnis BLITZ
Schnittstelle-artig SPI
Organisation 2 M x 8
Versorgung-Gegenwärtig-maximal 22 MA
Daten-Bus-Breite Bit 8
Versorgung-Spannung-maximal 3,6 V
Versorgung-Spannung-Minute 2,5 V
Paket-Fall SOIC-8
Maximum-Uhr-Frequenz 70 MHZ
TIMING-artig Synchron
Kompatibles funktionellcomponentForm, Paket, kompatible funktionellkomponente
Hersteller Part # Beschreibung Hersteller Vergleichen Sie
SST25VF016B-50-4I-QAF
Gedächtnis
16M x 1 GRELLES 2.7V PROM, DSO8, 6 x 5 MILLIMETER, ROHS KONFORM, WSON-8 Mikrochip-Technologie Inc. AT45DB161E-SHD-T gegen SST25VF016B-50-4I-QAF
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PROM IC-BLITZ-2.7V, programmierbares ROM Mikrochip-Technologie Inc. AT45DB161E-SHD-T gegen SST26VF016B-104I/SM
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16M x 1 GRELLES 2.7V PROM, PDSO8, 5,20 x 8 MILLIMETER, ROHS KONFORM, EIAJ, SOIC-8 Mikrochip-Technologie Inc. AT45DB161E-SHD-T gegen SST25VF016B-75-4I-S2AF
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Grell, 16MX1, PDSO8, 0,150 ZOLL, GRÜN, PLASTIK, MS-012AA, SOIC-8 Adesto Technologies Corporation AT45DB161E-SHD-T gegen AT45DB161E-SSHD-T
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Grell, 16MX1, PDSO8, 0,208 ZOLL, GRÜN, PLASTIK, SOIC-8 Adesto Technologies Corporation AT45DB161E-SHD-T gegen AT45DB161E-SHD-B
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Grell, 16MX1, PDSO8, 0,150 ZOLL, GRÜN, PLASTIK, MS-012AA, SOIC-8 Adesto Technologies Corporation AT45DB161E-SHD-T gegen AT45DB161E-SSHD-B
AT45DB161D-SU
Gedächtnis
Grell, 16MX1, PDSO8, 0,209 ZOLL, GRÜN, PLASTIK, EIAJ, SOIC-8 Atmel Corporation AT45DB161E-SHD-T gegen AT45DB161D-SU
SST25VF016B-50-4I-S2AF
Gedächtnis
16M x 1 GRELLES 2.7V PROM, PDSO8, 5,20 x 8 MILLIMETER, ROHS KONFORM, EIAJ, SOIC-8 Mikrochip-Technologie Inc. AT45DB161E-SHD-T gegen SST25VF016B-50-4I-S2AF
SST25VF016B-50-4C-S2AF
Gedächtnis
16M x 1 GRELLES 2.7V PROM, PDSO8, 5,20 x 8 MILLIMETER, ROHS KONFORM, EIAJ, SOIC-8 Mikrochip-Technologie Inc. AT45DB161E-SHD-T gegen SST25VF016B-50-4C-S2AF

Beschreibungen

Flash-Speicher IC 16Mb (528 Bytes x 4096 Seiten) SPI 85MHz 8-SOIC
NOCH grelles Serien-SPI 3.3V 16M-bit 6ns 8-Pin SOIC EIAJ T/R
Daten-Blitz des Flash-Speicher-16M 2.5-3.6V 85Mhz