China TH58NVG3S0HTAI0 IC FLASH 8GBIT PARALLEL 48TSOP I Kioxia America, Inc. Das ist ein sehr gutes Unternehmen.

TH58NVG3S0HTAI0 IC FLASH 8GBIT PARALLEL 48TSOP I Kioxia America, Inc. Das ist ein sehr gutes Unternehmen.

Gedächtnisart: Permanent
Gedächtnis-Format: BLITZ
Technologie: BLITZ - NAND (SLC)
China CY7C09569V-83AXC IC SRAM 576KBIT PARALLEL 144TQFP Cypress Halbleiter Corp.

CY7C09569V-83AXC IC SRAM 576KBIT PARALLEL 144TQFP Cypress Halbleiter Corp.

Gedächtnisart: Flüchtig
Gedächtnis-Format: SRAM
Technologie: SRAM - Doppelport, synchron
China S29PL127J60BAI000 IC FLASH 128MBIT PARALLEL 80FBGA Cypress Semiconductor Corp.

S29PL127J60BAI000 IC FLASH 128MBIT PARALLEL 80FBGA Cypress Semiconductor Corp.

Gedächtnisart: Permanent
Gedächtnis-Format: BLITZ
Technologie: BLITZ - NOCH
China AS4C64M8D2-25BIN IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA Allianz Speicher, Inc.

AS4C64M8D2-25BIN IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA Allianz Speicher, Inc.

Gedächtnisart: Flüchtig
Gedächtnis-Format: D-RAM
Technologie: SDRAM-DDR2
China AS7C4096A-12JIN IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ Alliance Memory, Inc.

AS7C4096A-12JIN IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ Alliance Memory, Inc.

Gedächtnisart: Flüchtig
Gedächtnis-Format: SRAM
Technologie: SRAM - Asynchron
China MT29F1T08CPCABH8-6:A IC FLASH 1 TB PARALLEL 166 MHz Micron Technology Inc.

MT29F1T08CPCABH8-6:A IC FLASH 1 TB PARALLEL 166 MHz Micron Technology Inc.

Gedächtnisart: Permanent
Gedächtnis-Format: BLITZ
Technologie: BLITZ - NAND
China MT47H128M4BT-37E:A TR IC DRAM 512MBIT PAR 92FBGA Micron Technology Inc.

MT47H128M4BT-37E:A TR IC DRAM 512MBIT PAR 92FBGA Micron Technology Inc.

Gedächtnisart: Flüchtig
Gedächtnis-Format: D-RAM
Technologie: SDRAM-DDR2
China RMLV0408EGSA-4S2#AA1 IC SRAM 4MBIT PARALLEL 32TSOP I von Renesas Electronics America Inc.

RMLV0408EGSA-4S2#AA1 IC SRAM 4MBIT PARALLEL 32TSOP I von Renesas Electronics America Inc.

Gedächtnisart: Flüchtig
Gedächtnis-Format: SRAM
Technologie: SRAM
China CY62128EV30LL-45ZAXI IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32STSOP Infineon Technologies

CY62128EV30LL-45ZAXI IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32STSOP Infineon Technologies

Gedächtnisart: Flüchtig
Gedächtnis-Format: SRAM
Technologie: SRAM - Asynchron
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