TH58NVG3S0HTAI0 IC FLASH 8GBIT PARALLEL 48TSOP I Kioxia America, Inc. Das ist ein sehr gutes Unternehmen.

Markenname Kioxia America, Inc.
Modellnummer Die Kommission hat die Kommission aufgefordert, die folgenden Maßnahmen zu treffen:
Min Bestellmenge 1
Preis Based on current price
Verpackung Informationen Anti-statische Tasche und Karton
Lieferzeit 3-5 Arbeitstage
Zahlungsbedingungen T/T
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Produktdetails
Gedächtnisart Permanent Gedächtnis-Format BLITZ
Technologie BLITZ - NAND (SLC) Speicherkapazität 8 GB
Speicherorganisation 1G x 8 Gedächtnis-Schnittstelle Parallel
Taktfrequenz - Schreibzyklus-zeit- Wort, Seite 25ns
Zugriffzeit 25 ns Spannung - Versorgung 2.7V ~ 3.6V
Betriebstemperatur -40 °C bis 85 °C (TA) Typ der Montage Oberflächenbefestigung
Packung / Gehäuse 48-TFSOP (0,724", 18.40mm Breite) Lieferanten-Gerätepaket 48-TSOP I
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Part Number Description
TH58NVG3S0HTAI0 IC FLASH 8GBIT PARALLEL 48TSOP I
TC58NVG1S3ETA00 IC FLASH 2GBIT PARALLEL 48TSOP I
TC58NVG1S3ETAI0 IC FLASH 2GBIT PARALLEL 48TSOP I
TC58NVG2S0FTA00 IC FLASH 4GBIT PARALLEL 48TSOP I
TC58NVG3S0FTA00 IC FLASH 8GBIT PARALLEL 48TSOP I
TH58NVG4S0FTA20 IC FLSH 16GBIT PARALLEL 48TSOP I
TH58NVG5S0FTA20 IC FLSH 32GBIT PARALLEL 48TSOP I
TC58BVG0S3HTA00 IC FLASH 1GBIT PARALLEL 48TSOP I
TC58BVG0S3HTAI0 IC FLASH 1GBIT PARALLEL 48TSOP I
TC58BVG1S3HTA00 IC FLASH 2GBIT PARALLEL 48TSOP I
TC58BVG1S3HTAI0 IC FLASH 2GBIT PARALLEL 48TSOP I
TC58BVG2S0HTA00 IC FLASH 4GBIT PARALLEL 48TSOP I
TC58BVG2S0HTAI0 IC FLASH 4GBIT PARALLEL 48TSOP I
TC58NVG0S3HTA00 IC FLASH 1GBIT PARALLEL 48TSOP I
TC58NVG0S3HTAI0 IC FLASH 1GBIT PARALLEL 48TSOP I
TC58NVG1S3HTA00 IC FLASH 2GBIT PARALLEL 48TSOP I
TC58NVG1S3HTAI0 IC FLASH 2GBIT PARALLEL 48TSOP I
TC58NVG2S0HTA00 IC FLASH 4GBIT PARALLEL 48TSOP I
TC58NVG2S0HTAI0 IC FLASH 4GBIT PARALLEL 48TSOP I
TH58BVG2S3HTA00 IC FLASH 4GBIT PARALLEL 48TSOP I
TH58BVG2S3HTAI0 IC FLASH 4GBIT PARALLEL 48TSOP I
TH58BVG3S0HTA00 IC FLASH 8GBIT PARALLEL 48TSOP I
TH58NVG2S3HTA00 IC FLASH 4GBIT PARALLEL 48TSOP I
TH58NVG2S3HTAI0 IC FLASH 4GBIT PARALLEL 48TSOP I
TH58NVG3S0HTA00 IC FLASH 8GBIT PARALLEL 48TSOP I
TH58NVG4S0HTA20 IC FLSH 16GBIT PARALLEL 48TSOP I
TH58NVG4S0HTAK0 IC FLSH 16GBIT PARALLEL 48TSOP I
TH58BVG3S0HTAI0 IC FLASH 8GBIT 48TSOP I
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Part Number Description
Produkt-Beschreibung

Einzelheiten zum Produkt

[Toshiba]

2GBIT (256M u 8BITS) CMOS NAND E2PROM

Beschreibung

Der TH58NVG1S3A ist ein einzelner 3,3-Volt 2G-Bit (2,214,592,512 Bit) NAND Elektrisch löschbares und programmierbares Lese-allein-Speicher (NAND E2PROM) in Form von (2048+64) Bytes x 64 Seiten x 2048 Blöcken.Das Gerät verfügt über eine 2112-Byte statische Register, die Programm-und Lesedaten zwischen dem Register und der Speicherzellen-Array in 2112-Byte-Schritten übertragen werdenDer Löschvorgang wird in einer einzigen Block-Einheit durchgeführt (128 Kbyte + 4 Kbyte: 2112 Bytes x 64 Seiten).
Der TH58NVG1S3A ist ein serieller Speichergerät, der die E/A-Pins sowohl für Adress- und Dateneingabe/Ausgabe als auch für Befehleinsätze verwendet.Die Lösch- und Programmoperationen werden automatisch ausgeführt, so dass das Gerät am besten für Anwendungen wie Solid-State-Datei-Speicherung geeignet ist, Sprachaufzeichnung, Bilddateimemory für Standkameras und andere Systeme, die eine hohe Dichte an nichtflüchtigen Speicherdaten erfordern.

Eigenschaften

• Organisation
Speicherzellen alle 2112 u 64K u 8 u 2
Registrierung 2112 u 8
Seitengröße 2112 Bytes
Blockgröße (128K 4K) Bytes
• Moden
Lesen, Zurücksetzen, automatische Seite Programm
Autoblock löschen, Status lesen
• Steuerung des Modus
Serielle Eingabe/Ausgabe
Befehlssteuerung
• Stromversorgung VCC 2,7 V bis 3,6 V
• Programm-/ Löschzyklen 1E5 Zyklen ((mit ECC)
• Zugangszeit
Zell-Array für die Registrierung von 25 μs max
Serielle Lesezeit 50 ns min
• Betriebsstrom
Lesung (50 ns Zyklus) 10 mA typ.
Programm (durchschnittlich) 10 mA Typ.
Auslöschung (durchschnittlich) 10 mA typ.
Standby 50 μA max.
• Paket
TSOP I 48-P-1220-0.50 ((Gewicht: 0,53 g typisch.)

Spezifikationen

Eigenschaft Attributivwert
Hersteller TOSHIBA
Produktkategorie Speicher-ICs
Reihe -
Verpackung Tray
Packungskoffer 48-TFSOP (0,724", 18,40 mm Breite)
Betriebstemperatur -40 °C bis 85 °C (TA)
Schnittstelle Parallel/seriale
Spannungsversorgung 2.7 V ~ 3.6 V
Lieferant-Gerät-Verpackung 48-TSOP I
Speicherkapazität 8G (1G x 8)
Speichertypen EEPROM - NAND
Geschwindigkeit 25 ns
Format-Speicher EEPROM - Serielle E/A-Datenbusse

Beschreibungen

NAND Flash Parallel 3.3V 8G-Bit 1G x 8
EEPROM 3,3 V, 8 Gbit CMOS und NAND EEPROM