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MT47H128M4BT-37E:A TR IC DRAM 512MBIT PAR 92FBGA Micron Technology Inc.
| Markenname | Micron Technology Inc. |
|---|---|
| Modellnummer | USE Gefahrenabweichung |
| Min Bestellmenge | 1 |
| Preis | Based on current price |
| Verpackung Informationen | Anti-statische Tasche und Karton |
| Lieferzeit | 3-5 Arbeitstage |
| Zahlungsbedingungen | T/T |
| Versorgungsmaterial-Fähigkeit | Vorräte |
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xProduktdetails
| Gedächtnisart | Flüchtig | Gedächtnis-Format | D-RAM |
|---|---|---|---|
| Technologie | SDRAM-DDR2 | Speicherkapazität | 512Mbit |
| Speicherorganisation | 128 M x 4 | Gedächtnis-Schnittstelle | Parallel |
| Taktfrequenz | 267 MHZ | Schreibzyklus-zeit- Wort, Seite | 15ns |
| Zugriffzeit | 500 ps | Spannung - Versorgung | 1.7V ~ 1.9V |
| Betriebstemperatur | 0°C | 85°C (TC) | Typ der Montage | Oberflächenbefestigung |
| Packung / Gehäuse | 92-TFBGA | Lieferanten-Gerätepaket | 92-FBGA (11x19) |
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| Part Number | Description | |
|---|---|---|
| MT47H128M4BT-37E:A TR | IC DRAM 512MBIT PAR 92FBGA | |
| MT47H32M16BT-37E:A TR | IC DRAM 512MBIT PAR 92FBGA | |
| MT47H128M8BT-3 L:A | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 92FBGA | |
| MT47H128M8BT-37E L:A | IC DRAM 1GBIT PAR 92FBGA | |
| MT47H128M8BT-5E L:A | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 92FBGA | |
| MT47H128M8BT-37E:A | IC DRAM 1GBIT PAR 92FBGA | |
| MT47H128M8BT-5E:A | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 92FBGA | |
| MT47H256M4BT-37E:A | IC DRAM 1GBIT PAR 92FBGA | |
| MT47H256M4BT-3:A | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 92FBGA | |
| MT47H256M4BT-5E:A | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 92FBGA | |
| MT47H64M16BT-37E:A | IC DRAM 1GBIT PAR 92FBGA | |
| MT47H64M16BT-5E:A | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 92FBGA | |
| MT47H256M4B7-5E:A TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 92FBGA | |
| MT47H256M4B7-5E:A | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 92FBGA | |
| MT47H256M4B7-37E:A | IC DRAM 1GBIT PAR 92FBGA | |
| MT47H256M4B7-37E:A TR | IC DRAM 1GBIT PAR 92FBGA | |
| MT47H128M8B7-5E:A | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 92FBGA | |
| MT47H128M8B7-5E:A TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 92FBGA | |
| MT47H128M8B7-5E L:A TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 92FBGA | |
| MT47H128M8B7-5E L:A | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 92FBGA | |
| MT47H128M8B7-37E:A | IC DRAM 1GBIT PAR 92FBGA | |
| MT47H128M8B7-37E:A TR | IC DRAM 1GBIT PAR 92FBGA | |
| MT47H128M8B7-37E L:A | IC DRAM 1GBIT PAR 92FBGA | |
| MT47H128M8B7-37E L:A TR | IC DRAM 1GBIT PAR 92FBGA | |
| MT47H64M16B7-37E:A | IC DRAM 1GBIT PAR 92FBGA | |
| MT47H64M16B7-37E:A TR | IC DRAM 1GBIT PAR 92FBGA | |
| MT47H64M16B7-5E:A TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 92FBGA | |
| MT47H64M16B7-5E:A | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 92FBGA | |
| MT47H64M16BT-3:A TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 92FBGA |
Produkt-Beschreibung
Einzelheiten zum Produkt
DDR2-SDRAM
MT47H256M4 ¢ 32 Meg x 4 x 8 BankenMT47H128M8 16 Meg x 8 x 8 Banken
MT47H64M16 8 Meg x 16 x 8 Banken
Eigenschaften
• VDD = 1,8 V ± 0,1 V, VDDQ = 1,8 V ± 0,1 V• JEDEC-Standard 1,8 V E/A (SSTL_18-kompatibel)
• Differentialdatenstroboskop (DQS, DQS#)
• 4n-Bit-Prefetch-Architektur
• Option mit doppeltem Ausgangsstroboskop (RDQS) für x8
• DLL zur Anpassung der DQ- und DQS-Übergänge an CK
• 8 interne Banken für den gleichzeitigen Betrieb
• Programmierbare CAS-Latenzzeit (CL)
• Veröffentlichte CAS-Additivlatenz (AL)
• WRITE-Latenz = Lese-Latenz - 1 tCK
• Auswählbare Sprenglängen (BL): 4 oder 8
• Einstellbare Daten-Ausgabe-Antriebstärke
• 64ms, 8192 Zyklen
• Auflösung bei Abbruch (ODT)
• Option für die industrielle Temperatur (IT)
• Fahrzeugtemperatur (AT)
• RoHS-konform
• Unterstützt die JEDEC Clock Jitter-Spezifikation
Spezifikationen
| Eigenschaft | Attributivwert |
|---|---|
| Hersteller | Micron Technologie Inc. |
| Produktkategorie | Speicher-ICs |
| Reihe | - |
| Verpackung | Schnittband (CT) |
| Packungskoffer | 92-FBGA |
| Betriebstemperatur | 0°C bis 85°C (TC) |
| Schnittstelle | Parallel |
| Spannungsversorgung | 10,7 V bis 1,9 V |
| Lieferant-Gerät-Verpackung | - |
| Speicherkapazität | 512M (128Mx4) |
| Speichertypen | DDR2-SDRAM |
| Geschwindigkeit | 3.75ns |
| Format-Speicher | Speicherplatz |
Beschreibungen
SDRAM - DDR2-Speicher IC 512Mb (128M x 4) Parallel 267MHz 500ps 92-FBGA (11x19)
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