China STK11C68-C35I IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28CDIP Cypress Semiconductor Corp.

STK11C68-C35I IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28CDIP Cypress Semiconductor Corp.

Gedächtnisart: Permanent
Gedächtnis-Format: NVSRAM
Technologie: NVSRAM (permanentes SRAM)
China W9464G6KH-5 IC DRAM 64MBIT PAR 66TSOP II

W9464G6KH-5 IC DRAM 64MBIT PAR 66TSOP II

Gedächtnisart: Flüchtig
Gedächtnis-Format: D-RAM
Technologie: SDRAM-DDR
China S29WS064RABBHW010 IC FLASH 64MBIT PARALLEL 84FBGA Cypress Semiconductor Corp.

S29WS064RABBHW010 IC FLASH 64MBIT PARALLEL 84FBGA Cypress Semiconductor Corp.

Gedächtnisart: Permanent
Gedächtnis-Format: BLITZ
Technologie: BLITZ - NOCH
China MT40A256M16LY-062E:F IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA Micron Technology Inc.

MT40A256M16LY-062E:F IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA Micron Technology Inc.

Gedächtnisart: Flüchtig
Gedächtnis-Format: D-RAM
Technologie: SDRAM - DDR4
China S29CD016J0MFAM010 IC FLASH 16MBIT PAR 56MHZ 80FBGA Infineon Technologies

S29CD016J0MFAM010 IC FLASH 16MBIT PAR 56MHZ 80FBGA Infineon Technologies

Gedächtnisart: Permanent
Gedächtnis-Format: BLITZ
Technologie: BLITZ - NOCH
China AT24CS08-STUM-T IC EEPROM 8KBIT I2C 1MHZ SOT23-5 Mikrochiptechnologie

AT24CS08-STUM-T IC EEPROM 8KBIT I2C 1MHZ SOT23-5 Mikrochiptechnologie

Gedächtnisart: Permanent
Gedächtnis-Format: EEPROM
Technologie: EEPROM
China M27C2001-15F1 IC EPROM 2MBIT PARALLEL 32CDIP STMikroelektronik

M27C2001-15F1 IC EPROM 2MBIT PARALLEL 32CDIP STMikroelektronik

Gedächtnisart: Permanent
Gedächtnis-Format: EPROM
Technologie: EPROM - UV
China 70V24S55PFG IC SRAM 64KBIT PARALLEL 100TQFP Renesas Electronics America Inc.

70V24S55PFG IC SRAM 64KBIT PARALLEL 100TQFP Renesas Electronics America Inc.

Gedächtnisart: Flüchtig
Gedächtnis-Format: SRAM
Technologie: SRAM - Asynchrone Doppelanschlüsse
China IS41LV16100B-50KL IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ ISSI, Integrierte Siliziumlösungen Inc.

IS41LV16100B-50KL IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ ISSI, Integrierte Siliziumlösungen Inc.

Gedächtnisart: Flüchtig
Gedächtnis-Format: D-RAM
Technologie: DRAM - EDO
China IS43TR16512AL-15HBL IC DRAM 8GBIT PAR 96LFBGA ISSI, integrierte Siliziumlösung Inc.

IS43TR16512AL-15HBL IC DRAM 8GBIT PAR 96LFBGA ISSI, integrierte Siliziumlösung Inc.

Gedächtnisart: Flüchtig
Gedächtnis-Format: D-RAM
Technologie: SDRAM - DDR3L
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