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AT28HC256-90DM/883 IC EEPROM 256KBIT PAR 28CERDIP Mikrochip-Technologie
| Gedächtnisart: | Permanent |
|---|---|
| Gedächtnis-Format: | EEPROM |
| Technologie: | EEPROM |
TC58BVG0S3HBAI4 IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63TFBGA Kioxia America, Inc.
| Gedächtnisart: | Permanent |
|---|---|
| Gedächtnis-Format: | BLITZ |
| Technologie: | BLITZ - NAND (SLC) |
R1LP0108ESF-5SI#B0 IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP I Renesas Electronics America Inc.
| Gedächtnisart: | Flüchtig |
|---|---|
| Gedächtnis-Format: | SRAM |
| Technologie: | SRAM |
IS21ES04G-JCLI IC FLASH 32GBIT EMMC 153VFBGA ISSI, integrierte Siliziumlösung Inc.
| Gedächtnisart: | Permanent |
|---|---|
| Gedächtnis-Format: | BLITZ |
| Technologie: | BLITZ - NAND (MLC) |
CAT28C512LI12 IC EEPROM 512KBIT PARALLEL 32DIP auf halb
| Gedächtnisart: | Permanent |
|---|---|
| Gedächtnis-Format: | EEPROM |
| Technologie: | EEPROM |
NM27C010T120 IC EPROM 1MBIT PARALLEL 32TSOP auf halb
| Gedächtnisart: | Permanent |
|---|---|
| Gedächtnis-Format: | EPROM |
| Technologie: | EPROM - OTP |
CY7C0852V-133AXI IC SRAM 4,5 MBIT PAR 176TQFP Cypress Semiconductor Corp
| Gedächtnisart: | Flüchtig |
|---|---|
| Gedächtnis-Format: | SRAM |
| Technologie: | SRAM - Doppelport, synchron |
MT41J128M16JT-093:K TR IC DRAM 2GBIT PAR 96FBGA Micron Technology Inc.
| Gedächtnisart: | Flüchtig |
|---|---|
| Gedächtnis-Format: | D-RAM |
| Technologie: | SDRAM - DDR3 |
71V546S100PFG IC SRAM 4.5MBIT PAR 100TQFP Renesas Electronics America Inc.
| Gedächtnisart: | Flüchtig |
|---|---|
| Gedächtnis-Format: | SRAM |
| Technologie: | SRAM - Synchron, SDR (ZBT) |
M95160-RMB6TG IC EEPROM 16KBIT SPI 8UFDFPN STMikroelektronik
| Gedächtnisart: | Permanent |
|---|---|
| Gedächtnis-Format: | EEPROM |
| Technologie: | EEPROM |