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71V546S100PFG IC SRAM 4.5MBIT PAR 100TQFP Renesas Electronics America Inc.
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xProduktdetails
| Gedächtnisart | Flüchtig | Gedächtnis-Format | SRAM |
|---|---|---|---|
| Technologie | SRAM - Synchron, SDR (ZBT) | Speicherkapazität | 4.5Mbit |
| Speicherorganisation | 128K x 36 | Gedächtnis-Schnittstelle | Parallel |
| Taktfrequenz | 100 MHz | Schreibzyklus-zeit- Wort, Seite | - |
| Zugriffzeit | 5 ns | Spannung - Versorgung | 3.135V ~ 3.465V |
| Betriebstemperatur | 0°C bis 70°C (TA) | Typ der Montage | Oberflächenbefestigung |
| Packung / Gehäuse | 100-LQFP | Lieferanten-Gerätepaket | 100-TQFP (14x20) |
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| Part Number | Description | |
|---|---|---|
| 71V546S100PFG | IC SRAM 4.5MBIT PAR 100TQFP | |
| 71V65603S100PFG | IC SRAM 9MBIT PAR 100TQFP | |
| 71V546S100PFG8 | IC SRAM 4.5MBIT PAR 100TQFP | |
| 71V25761S183PFG | IC SRAM 4.5MBIT PAR 100TQFP | |
| 71V25761S183PFG8 | IC SRAM 4.5MBIT PAR 100TQFP | |
| 71V3579S65PFG8 | IC SRAM 4.5MBIT PAR 100TQFP | |
| 71V3579S65PFG | IC SRAM 4.5MBIT PAR 100TQFP | |
| 71V546S100PFGI8 | IC SRAM 4.5MBIT PAR 100TQFP | |
| 71V546S100PFGI | IC SRAM 4.5MBIT PAR 100TQFP | |
| 71V65603S100PFG8 | IC SRAM 9MBIT PAR 100TQFP | |
| 71T75602S166PFG8 | IC SRAM 18MBIT PARALLEL 100TQFP | |
| 71T75602S166PFG | IC SRAM 18MBIT PARALLEL 100TQFP | |
| 71V65603S100PFGI | IC SRAM 9MBIT PAR 100TQFP | |
| 71V65603S100PFGI8 | IC SRAM 9MBIT PAR 100TQFP | |
| 71T75602S166PFGI8 | IC SRAM 18MBIT PARALLEL 100TQFP | |
| 71T75602S166PFGI | IC SRAM 18MBIT PARALLEL 100TQFP | |
| 70261L20PFGI8 | IC SRAM 256KBIT PARALLEL 100TQFP | |
| 71V25761YS200PFG | IC SRAM 4.5MBIT PAR 100TQFP | |
| 71V3577YS85PFG | IC SRAM 4.5MBIT PAR 100TQFP | |
| 71V3578YS133PFG | IC SRAM 4.5MBIT PAR 100TQFP | |
| 70261S55PFG | IC SRAM 256KBIT PARALLEL 100TQFP |
Produkt-Beschreibung
Einzelheiten zum Produkt
Beschreibung:
Die IDT71V509 ist eine 3,3-Volt-Hochgeschwindigkeits-1,024,576 Bit synchroner SRAM organisiert als 128K x 8. Es ist so konzipiert, tote Zyklen zu beseitigen, wenn der Bus zwischen Lesen und Schreiben oder Schreiben und Lesen dreht.Es wurde als ZBT bezeichnet, oder Zero Bus TurnaroundTM.
Eigenschaften:
• 128K x 8 Speicherkonfiguration• Hochgeschwindigkeit - 66 MHz (9 ns Clock-to-Data-Zugriff)
• Durchflussleistung
• Keine toten Zyklen zwischen Schreib- und Lesezyklen
• Modus mit geringer Leistung auszuschalten
• Einzelne 3,3-Volt-Stromversorgung (±5%)
• Verpackt in 44-Blei-SOJ
Spezifikationen
| Eigenschaft | Attributivwert |
|---|---|
| Hersteller | Integrierte Schaltkreissysteme |
| Produktkategorie | Speicher-ICs |
| Reihe | 71V546 |
| Typ | Synchron |
| Verpackung | Tray Alternative Verpackung |
| Einheitsgewicht | 0.023175 Unzen |
| Montage-Stil | SMD/SMT |
| Packungskoffer | 100-LQFP |
| Betriebstemperatur | 0°C bis 70°C (TA) |
| Schnittstelle | Parallel |
| Spannungsversorgung | 3.135 V ~ 3.465 V |
| Lieferant-Gerät-Verpackung | Einheitliche Datenbank |
| Speicherkapazität | 4.5M (128K x 36) |
| Speichertypen | SRAM - Synchrone ZBT |
| Geschwindigkeit | 100 MHz |
| Zugriffszeit | 5 ns |
| Format-Speicher | Speicherplatz |
| Höchstbetriebstemperatur | + 70 °C |
| Betriebstemperaturbereich | 0 C |
| Schnittstellentyp | Parallel |
| Organisation | 128 k x 36 |
| Versorgungsstrom maximal | 250 mA |
| Teil-#-Alias | 71V546 IDT71V546S100PFG |
| Versorgungsspannung | 3.465 V |
| Versorgungsspannung-Min | 3.135 V |
| Packungskoffer | TQFP-100 |
| Maximal-Uhr-Frequenz | 100 MHz |
| Hersteller Teil# | Beschreibung | Hersteller | Vergleich |
| 71V2556XS100PFG8 Gedächtnis |
ZBT SRAM, 128KX36, 5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, grün, plastisch, TQFP-100 | Integrierte Gerätetechnologie Inc. | 71V546S100PFG gegen 71V2556XS100PFG8 |
| Die Ausrüstung ist in Form von einem Zustandsausrüstungssystem. Gedächtnis |
ZBT SRAM, 128KX36, 5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 1,40 MM Höhe, ROHS-konform, aus Kunststoff, TQFP-100 | Integrierte Gerätetechnologie Inc. | 71V546S100PFG gegen IDT71V3556S100PFG8 |
| IDT71V3556S100PFG Gedächtnis |
ZBT SRAM, 128KX36, 5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 1,40 MM Höhe, Kunststoff, TQFP-100 | Integrierte Gerätetechnologie Inc. | 71V546S100PFG gegen IDT71V3556S100PFG |
| 71V546S100PFG8 Gedächtnis |
TQFP-100, Rolle | Integrierte Gerätetechnologie Inc. | 71V546S100PFG gegen 71V546S100PFG8 |
| 71V3556S100PFG8 Gedächtnis |
TQFP-100, Rolle | Integrierte Gerätetechnologie Inc. | 71V546S100PFG gegen 71V3556S100PFG8 |
| Die Ausrüstung ist in der Lage, die erforderlichen Daten zu erfassen. Gedächtnis |
ZBT SRAM, 128KX36, 5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, PLASTIC, TQFP-100 | Integrierte Gerätetechnologie Inc. | 71V546S100PFG gegen IDT71V546S100PFG8 |
| IDT71V3556XS100PFG Gedächtnis |
ZBT SRAM, 128KX36, 5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 1,40 MM Höhe, ROHS-konform, aus Kunststoff, MO-136DJ, TQFP-100 | Integrierte Gerätetechnologie Inc. | 71V546S100PFG gegen IDT71V3556XS100PFG |
| 71V3556S100PFG Gedächtnis |
TQFP-100, Tabelle | Integrierte Gerätetechnologie Inc. | 71V546S100PFG gegen 71V3556S100PFG |
| IDT71V546S100PFG Gedächtnis |
ZBT SRAM, 128KX36, 5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, ROHS-konform, Kunststoff, TQFP-100 | Integrierte Gerätetechnologie Inc. | 71V546S100PFG gegen IDT71V546S100PFG |
| 71V2556XS100PFG Gedächtnis |
ZBT SRAM, 128KX36, 5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, grün, plastisch, TQFP-100 | Integrierte Gerätetechnologie Inc. | 71V546S100PFG gegen 71V2556XS100PFG |
Beschreibungen
SRAM - Synchrones ZBT-Speicher IC 4,5 Mb (128 K x 36) Parallel 100 MHz 5ns 100-TQFP (14x20)
SRAM 128Kx36 ZBT SYNC 3,3-Volt geführte SRAM
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