71V546S100PFG IC SRAM 4.5MBIT PAR 100TQFP Renesas Electronics America Inc.

Markenname Renesas Electronics America Inc
Modellnummer 71V546S100PFG
Min Bestellmenge 1
Preis Based on current price
Verpackung Informationen Anti-statische Tasche und Karton
Lieferzeit 3-5 Arbeitstage
Zahlungsbedingungen T/T
Versorgungsmaterial-Fähigkeit Vorräte

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Produktdetails
Gedächtnisart Flüchtig Gedächtnis-Format SRAM
Technologie SRAM - Synchron, SDR (ZBT) Speicherkapazität 4.5Mbit
Speicherorganisation 128K x 36 Gedächtnis-Schnittstelle Parallel
Taktfrequenz 100 MHz Schreibzyklus-zeit- Wort, Seite -
Zugriffzeit 5 ns Spannung - Versorgung 3.135V ~ 3.465V
Betriebstemperatur 0°C bis 70°C (TA) Typ der Montage Oberflächenbefestigung
Packung / Gehäuse 100-LQFP Lieferanten-Gerätepaket 100-TQFP (14x20)
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Part Number Description
71V546S100PFG IC SRAM 4.5MBIT PAR 100TQFP
71V65603S100PFG IC SRAM 9MBIT PAR 100TQFP
71V546S100PFG8 IC SRAM 4.5MBIT PAR 100TQFP
71V25761S183PFG IC SRAM 4.5MBIT PAR 100TQFP
71V25761S183PFG8 IC SRAM 4.5MBIT PAR 100TQFP
71V3579S65PFG8 IC SRAM 4.5MBIT PAR 100TQFP
71V3579S65PFG IC SRAM 4.5MBIT PAR 100TQFP
71V546S100PFGI8 IC SRAM 4.5MBIT PAR 100TQFP
71V546S100PFGI IC SRAM 4.5MBIT PAR 100TQFP
71V65603S100PFG8 IC SRAM 9MBIT PAR 100TQFP
71T75602S166PFG8 IC SRAM 18MBIT PARALLEL 100TQFP
71T75602S166PFG IC SRAM 18MBIT PARALLEL 100TQFP
71V65603S100PFGI IC SRAM 9MBIT PAR 100TQFP
71V65603S100PFGI8 IC SRAM 9MBIT PAR 100TQFP
71T75602S166PFGI8 IC SRAM 18MBIT PARALLEL 100TQFP
71T75602S166PFGI IC SRAM 18MBIT PARALLEL 100TQFP
70261L20PFGI8 IC SRAM 256KBIT PARALLEL 100TQFP
71V25761YS200PFG IC SRAM 4.5MBIT PAR 100TQFP
71V3577YS85PFG IC SRAM 4.5MBIT PAR 100TQFP
71V3578YS133PFG IC SRAM 4.5MBIT PAR 100TQFP
70261S55PFG IC SRAM 256KBIT PARALLEL 100TQFP
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Part Number Description
Produkt-Beschreibung

Einzelheiten zum Produkt

Beschreibung:

Die IDT71V509 ist eine 3,3-Volt-Hochgeschwindigkeits-1,024,576 Bit synchroner SRAM organisiert als 128K x 8. Es ist so konzipiert, tote Zyklen zu beseitigen, wenn der Bus zwischen Lesen und Schreiben oder Schreiben und Lesen dreht.Es wurde als ZBT bezeichnet, oder Zero Bus TurnaroundTM.

Eigenschaften:

• 128K x 8 Speicherkonfiguration
• Hochgeschwindigkeit - 66 MHz (9 ns Clock-to-Data-Zugriff)
• Durchflussleistung
• Keine toten Zyklen zwischen Schreib- und Lesezyklen
• Modus mit geringer Leistung auszuschalten
• Einzelne 3,3-Volt-Stromversorgung (±5%)
• Verpackt in 44-Blei-SOJ

Spezifikationen

Eigenschaft Attributivwert
Hersteller Integrierte Schaltkreissysteme
Produktkategorie Speicher-ICs
Reihe 71V546
Typ Synchron
Verpackung Tray Alternative Verpackung
Einheitsgewicht 0.023175 Unzen
Montage-Stil SMD/SMT
Packungskoffer 100-LQFP
Betriebstemperatur 0°C bis 70°C (TA)
Schnittstelle Parallel
Spannungsversorgung 3.135 V ~ 3.465 V
Lieferant-Gerät-Verpackung Einheitliche Datenbank
Speicherkapazität 4.5M (128K x 36)
Speichertypen SRAM - Synchrone ZBT
Geschwindigkeit 100 MHz
Zugriffszeit 5 ns
Format-Speicher Speicherplatz
Höchstbetriebstemperatur + 70 °C
Betriebstemperaturbereich 0 C
Schnittstellentyp Parallel
Organisation 128 k x 36
Versorgungsstrom maximal 250 mA
Teil-#-Alias 71V546 IDT71V546S100PFG
Versorgungsspannung 3.465 V
Versorgungsspannung-Min 3.135 V
Packungskoffer TQFP-100
Maximal-Uhr-Frequenz 100 MHz
Funktionell kompatible KomponenteForm,Verpackung,funktional kompatible Komponente
Hersteller Teil# Beschreibung Hersteller Vergleich
71V2556XS100PFG8
Gedächtnis
ZBT SRAM, 128KX36, 5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, grün, plastisch, TQFP-100 Integrierte Gerätetechnologie Inc. 71V546S100PFG gegen 71V2556XS100PFG8
Die Ausrüstung ist in Form von einem Zustandsausrüstungssystem.
Gedächtnis
ZBT SRAM, 128KX36, 5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 1,40 MM Höhe, ROHS-konform, aus Kunststoff, TQFP-100 Integrierte Gerätetechnologie Inc. 71V546S100PFG gegen IDT71V3556S100PFG8
IDT71V3556S100PFG
Gedächtnis
ZBT SRAM, 128KX36, 5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 1,40 MM Höhe, Kunststoff, TQFP-100 Integrierte Gerätetechnologie Inc. 71V546S100PFG gegen IDT71V3556S100PFG
71V546S100PFG8
Gedächtnis
TQFP-100, Rolle Integrierte Gerätetechnologie Inc. 71V546S100PFG gegen 71V546S100PFG8
71V3556S100PFG8
Gedächtnis
TQFP-100, Rolle Integrierte Gerätetechnologie Inc. 71V546S100PFG gegen 71V3556S100PFG8
Die Ausrüstung ist in der Lage, die erforderlichen Daten zu erfassen.
Gedächtnis
ZBT SRAM, 128KX36, 5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, PLASTIC, TQFP-100 Integrierte Gerätetechnologie Inc. 71V546S100PFG gegen IDT71V546S100PFG8
IDT71V3556XS100PFG
Gedächtnis
ZBT SRAM, 128KX36, 5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 1,40 MM Höhe, ROHS-konform, aus Kunststoff, MO-136DJ, TQFP-100 Integrierte Gerätetechnologie Inc. 71V546S100PFG gegen IDT71V3556XS100PFG
71V3556S100PFG
Gedächtnis
TQFP-100, Tabelle Integrierte Gerätetechnologie Inc. 71V546S100PFG gegen 71V3556S100PFG
IDT71V546S100PFG
Gedächtnis
ZBT SRAM, 128KX36, 5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, ROHS-konform, Kunststoff, TQFP-100 Integrierte Gerätetechnologie Inc. 71V546S100PFG gegen IDT71V546S100PFG
71V2556XS100PFG
Gedächtnis
ZBT SRAM, 128KX36, 5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, grün, plastisch, TQFP-100 Integrierte Gerätetechnologie Inc. 71V546S100PFG gegen 71V2556XS100PFG

Beschreibungen

SRAM - Synchrones ZBT-Speicher IC 4,5 Mb (128 K x 36) Parallel 100 MHz 5ns 100-TQFP (14x20)
SRAM 128Kx36 ZBT SYNC 3,3-Volt geführte SRAM