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71V546S100PFG IC SRAM 4.5MBIT PAR 100TQFP Renesas Electronics America Inc.

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xProduktdetails
Gedächtnisart | Flüchtig | Gedächtnis-Format | SRAM |
---|---|---|---|
Technologie | SRAM - Synchron, SDR (ZBT) | Speicherkapazität | 4.5Mbit |
Speicherorganisation | 128K x 36 | Gedächtnis-Schnittstelle | Parallel |
Taktfrequenz | 100 MHz | Schreibzyklus-zeit- Wort, Seite | - |
Zugriffzeit | 5 ns | Spannung - Versorgung | 3.135V ~ 3.465V |
Betriebstemperatur | 0°C bis 70°C (TA) | Typ der Montage | Oberflächenbefestigung |
Packung / Gehäuse | 100-LQFP | Lieferanten-Gerätepaket | 100-TQFP (14x20) |
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Part Number | Description | |
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71V546S100PFG | IC SRAM 4.5MBIT PAR 100TQFP | |
71V65603S100PFG | IC SRAM 9MBIT PAR 100TQFP | |
71V546S100PFG8 | IC SRAM 4.5MBIT PAR 100TQFP | |
71V25761S183PFG | IC SRAM 4.5MBIT PAR 100TQFP | |
71V25761S183PFG8 | IC SRAM 4.5MBIT PAR 100TQFP | |
71V3579S65PFG8 | IC SRAM 4.5MBIT PAR 100TQFP | |
71V3579S65PFG | IC SRAM 4.5MBIT PAR 100TQFP | |
71V546S100PFGI8 | IC SRAM 4.5MBIT PAR 100TQFP | |
71V546S100PFGI | IC SRAM 4.5MBIT PAR 100TQFP | |
71V65603S100PFG8 | IC SRAM 9MBIT PAR 100TQFP | |
71T75602S166PFG8 | IC SRAM 18MBIT PARALLEL 100TQFP | |
71T75602S166PFG | IC SRAM 18MBIT PARALLEL 100TQFP | |
71V65603S100PFGI | IC SRAM 9MBIT PAR 100TQFP | |
71V65603S100PFGI8 | IC SRAM 9MBIT PAR 100TQFP | |
71T75602S166PFGI8 | IC SRAM 18MBIT PARALLEL 100TQFP | |
71T75602S166PFGI | IC SRAM 18MBIT PARALLEL 100TQFP | |
70261L20PFGI8 | IC SRAM 256KBIT PARALLEL 100TQFP | |
71V25761YS200PFG | IC SRAM 4.5MBIT PAR 100TQFP | |
71V3577YS85PFG | IC SRAM 4.5MBIT PAR 100TQFP | |
71V3578YS133PFG | IC SRAM 4.5MBIT PAR 100TQFP | |
70261S55PFG | IC SRAM 256KBIT PARALLEL 100TQFP |
Produkt-Beschreibung
Einzelheiten zum Produkt
Beschreibung:
Die IDT71V509 ist eine 3,3-Volt-Hochgeschwindigkeits-1,024,576 Bit synchroner SRAM organisiert als 128K x 8. Es ist so konzipiert, tote Zyklen zu beseitigen, wenn der Bus zwischen Lesen und Schreiben oder Schreiben und Lesen dreht.Es wurde als ZBT bezeichnet, oder Zero Bus TurnaroundTM.
Eigenschaften:
• 128K x 8 Speicherkonfiguration• Hochgeschwindigkeit - 66 MHz (9 ns Clock-to-Data-Zugriff)
• Durchflussleistung
• Keine toten Zyklen zwischen Schreib- und Lesezyklen
• Modus mit geringer Leistung auszuschalten
• Einzelne 3,3-Volt-Stromversorgung (±5%)
• Verpackt in 44-Blei-SOJ
Spezifikationen
Eigenschaft | Attributivwert |
---|---|
Hersteller | Integrierte Schaltkreissysteme |
Produktkategorie | Speicher-ICs |
Reihe | 71V546 |
Typ | Synchron |
Verpackung | Tray Alternative Verpackung |
Einheitsgewicht | 0.023175 Unzen |
Montage-Stil | SMD/SMT |
Packungskoffer | 100-LQFP |
Betriebstemperatur | 0°C bis 70°C (TA) |
Schnittstelle | Parallel |
Spannungsversorgung | 3.135 V ~ 3.465 V |
Lieferant-Gerät-Verpackung | Einheitliche Datenbank |
Speicherkapazität | 4.5M (128K x 36) |
Speichertypen | SRAM - Synchrone ZBT |
Geschwindigkeit | 100 MHz |
Zugriffszeit | 5 ns |
Format-Speicher | Speicherplatz |
Höchstbetriebstemperatur | + 70 °C |
Betriebstemperaturbereich | 0 C |
Schnittstellentyp | Parallel |
Organisation | 128 k x 36 |
Versorgungsstrom maximal | 250 mA |
Teil-#-Alias | 71V546 IDT71V546S100PFG |
Versorgungsspannung | 3.465 V |
Versorgungsspannung-Min | 3.135 V |
Packungskoffer | TQFP-100 |
Maximal-Uhr-Frequenz | 100 MHz |
Hersteller Teil# | Beschreibung | Hersteller | Vergleich |
71V2556XS100PFG8 Gedächtnis |
ZBT SRAM, 128KX36, 5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, grün, plastisch, TQFP-100 | Integrierte Gerätetechnologie Inc. | 71V546S100PFG gegen 71V2556XS100PFG8 |
Die Ausrüstung ist in Form von einem Zustandsausrüstungssystem. Gedächtnis |
ZBT SRAM, 128KX36, 5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 1,40 MM Höhe, ROHS-konform, aus Kunststoff, TQFP-100 | Integrierte Gerätetechnologie Inc. | 71V546S100PFG gegen IDT71V3556S100PFG8 |
IDT71V3556S100PFG Gedächtnis |
ZBT SRAM, 128KX36, 5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 1,40 MM Höhe, Kunststoff, TQFP-100 | Integrierte Gerätetechnologie Inc. | 71V546S100PFG gegen IDT71V3556S100PFG |
71V546S100PFG8 Gedächtnis |
TQFP-100, Rolle | Integrierte Gerätetechnologie Inc. | 71V546S100PFG gegen 71V546S100PFG8 |
71V3556S100PFG8 Gedächtnis |
TQFP-100, Rolle | Integrierte Gerätetechnologie Inc. | 71V546S100PFG gegen 71V3556S100PFG8 |
Die Ausrüstung ist in der Lage, die erforderlichen Daten zu erfassen. Gedächtnis |
ZBT SRAM, 128KX36, 5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, PLASTIC, TQFP-100 | Integrierte Gerätetechnologie Inc. | 71V546S100PFG gegen IDT71V546S100PFG8 |
IDT71V3556XS100PFG Gedächtnis |
ZBT SRAM, 128KX36, 5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 1,40 MM Höhe, ROHS-konform, aus Kunststoff, MO-136DJ, TQFP-100 | Integrierte Gerätetechnologie Inc. | 71V546S100PFG gegen IDT71V3556XS100PFG |
71V3556S100PFG Gedächtnis |
TQFP-100, Tabelle | Integrierte Gerätetechnologie Inc. | 71V546S100PFG gegen 71V3556S100PFG |
IDT71V546S100PFG Gedächtnis |
ZBT SRAM, 128KX36, 5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, ROHS-konform, Kunststoff, TQFP-100 | Integrierte Gerätetechnologie Inc. | 71V546S100PFG gegen IDT71V546S100PFG |
71V2556XS100PFG Gedächtnis |
ZBT SRAM, 128KX36, 5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, grün, plastisch, TQFP-100 | Integrierte Gerätetechnologie Inc. | 71V546S100PFG gegen 71V2556XS100PFG |
Beschreibungen
SRAM - Synchrones ZBT-Speicher IC 4,5 Mb (128 K x 36) Parallel 100 MHz 5ns 100-TQFP (14x20)
SRAM 128Kx36 ZBT SYNC 3,3-Volt geführte SRAM
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