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TC58BVG0S3HBAI4 IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63TFBGA Kioxia America, Inc.
| Markenname | Kioxia America, Inc. |
|---|---|
| Modellnummer | Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht für die Produktion von Kraftfahrzeugen, die mit |
| Min Bestellmenge | 1 |
| Preis | Based on current price |
| Verpackung Informationen | Anti-statische Tasche und Karton |
| Lieferzeit | 3-5 Arbeitstage |
| Zahlungsbedingungen | T/T |
| Versorgungsmaterial-Fähigkeit | Vorräte |
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xProduktdetails
| Gedächtnisart | Permanent | Gedächtnis-Format | BLITZ |
|---|---|---|---|
| Technologie | BLITZ - NAND (SLC) | Speicherkapazität | 1Gbit |
| Speicherorganisation | 128M x 8 | Gedächtnis-Schnittstelle | Parallel |
| Taktfrequenz | - | Schreibzyklus-zeit- Wort, Seite | 25ns |
| Zugriffzeit | 25 ns | Spannung - Versorgung | 2.7V ~ 3.6V |
| Betriebstemperatur | -40 °C bis 85 °C (TA) | Typ der Montage | Oberflächenbefestigung |
| Packung / Gehäuse | 63-VFBGA | Lieferanten-Gerätepaket | 63-TFBGA (9x11) |
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| Part Number | Description | |
|---|---|---|
| TC58BVG0S3HBAI4 | IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63TFBGA | |
| TH58BYG2S3HBAI4 | IC FLASH 4GBIT 63TFBGA | |
| TH58BVG2S3HBAI4 | IC FLASH 4GBIT 63TFBGA | |
| TC58BYG2S0HBAI4 | IC FLASH 4G PARALLEL 63TFBGA | |
| TH58NYG2S3HBAI4 | IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63BGA | |
| TH58NYG3S0HBAI4 | IC FLASH 8GBIT PARALLEL 63TFBGA | |
| TC58BYG0S3HBAI4 | IC FLASH 1GBIT 63TFBGA | |
| TH58NVG2S3HBAI6 | IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63BGA | |
| TH58NYG2S3HBAI6 | IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63BGA | |
| TH58BYG3S0HBAI4 | IC FLASH 8GBIT PARALLEL 63TFBGA | |
| TC58BVG2S0HBAI4 | IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63TFBGA | |
| TC58NVG0S3HBAI4 | IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63TFBGA | |
| TC58NVG1S3HBAI4 | IC FLASH 2GBIT PARALLEL 63TFBGA | |
| TC58NVG2S0HBAI4 | IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63TFBGA | |
| TC58BVG1S3HBAI4 | IC FLASH 2GBIT 63TFBGA | |
| TC58BYG1S3HBAI4 | IC FLASH 2GBIT 63TFBGA | |
| TC58NYG1S3HBAI4 | IC FLASH 2GBIT 63TFBGA | |
| TC58NYG2S0HBAI4 | IC FLASH 4GBIT 63TFBGA | |
| TH58NVG3S0HBAI4 | IC FLASH 8GBIT PARALLEL 63TFBGA | |
| TH58NVG2S3HBAI4 | IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63BGA |
Produkt-Beschreibung
Einzelheiten zum Produkt
85 oC, hohe Welle, Kondensator für allgemeine Zwecke
Typ TC ist ein axialer, 85 oC, 1000 Stunden langlebiger Aluminium-Elektrolytikkondensator für allgemeine Zwecke mit einem hohen Wellenstrom und eignet sich für Anwendungen in Unterhaltungselektronik.
Höhepunkte
• Allgemeiner Zweck• Hohe Wellenströmung
• Niedriges Anbringen
Spezifikationen
| Eigenschaft | Attributivwert |
|---|---|
| Hersteller | Toshiba Halbleiter und Speicher |
| Produktkategorie | Speicher-ICs |
| Reihe | BenandTM |
| Verpackung | Tray |
| Packungskoffer | 63-VFBGA |
| Betriebstemperatur | -40 °C bis 85 °C (TA) |
| Schnittstelle | Parallel |
| Spannungsversorgung | 2.7 V ~ 3.6 V |
| Lieferant-Gerät-Verpackung | 63-TFBGA (9x11) |
| Speicherkapazität | 1G (128M x 8) |
| Speichertypen | EEPROM - NAND |
| Geschwindigkeit | 25 ns |
| Format-Speicher | EEPROMs - seriell |
Beschreibungen
FLASH - NAND (SLC) Speicher IC 1 GB (128 M x 8) Parallel 25 ns 63-TFBGA (9x11)
SLC NAND Flash Parallel 3.3V 1G-Bit
EEPROM 3,3 V, 1 Gbit CMOS und NAND EEPROM
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