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CAT28C512LI12 IC EEPROM 512KBIT PARALLEL 32DIP auf halb

  • CAT28C512LI12 IC EEPROM 512KBIT PARALLEL 32DIP onsemi
Markenname onsemi
Modellnummer Einheit für die Erfassung von Luftfahrzeugen
Min Bestellmenge 1
Preis Based on current price
Verpackung Informationen Anti-statische Tasche und Karton
Lieferzeit 3-5 Arbeitstage
Zahlungsbedingungen T/T
Versorgungsmaterial-Fähigkeit Vorräte

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Produktdetails
Gedächtnisart Permanent Gedächtnis-Format EEPROM
Technologie EEPROM Speicherkapazität 512Kbit
Speicherorganisation 64K x 8 Gedächtnis-Schnittstelle Parallel
Taktfrequenz - Schreibzyklus-zeit- Wort, Seite 5ms
Zugriffzeit 120 ns Spannung - Versorgung 4.5V ~ 5.5V
Betriebstemperatur -40 °C bis 85 °C (TA) Typ der Montage Durchs Loch
Packung / Gehäuse 32 DIP (0,600", 15,24 mm) Lieferanten-Gerätepaket 32-PDIP
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Part Number Description
CAT28C512LI12 IC EEPROM 512KBIT PARALLEL 32DIP
CAT28F001LI-12B IC FLASH 1MBIT PARALLEL 32DIP
CAT28F010LI12 IC FLASH 1MBIT PARALLEL 32DIP
CAT28F020LI12 IC FLASH 2MBIT PARALLEL 32DIP
CAT28F512LI12 IC FLASH 512KBIT PARALLEL 32DIP
CAT28C512L12 IC EEPROM 512KBIT PARALLEL 32DIP
CAT28C512LI15 IC EEPROM 512KBIT PARALLEL 32DIP
CAT28F001L-12B IC FLASH 1MBIT PARALLEL 32DIP
CAT28F001L-12T IC FLASH 1MBIT PARALLEL 32DIP
CAT28F001L-90B IC FLASH 1MBIT PARALLEL 32DIP
CAT28F010L12 IC FLASH 1MBIT PARALLEL 32DIP
CAT28F010LI90 IC FLASH 1MBIT PARALLEL 32DIP
CAT28F020L12 IC FLASH 2MBIT PARALLEL 32DIP
CAT28F512L12 IC FLASH 512KBIT PARALLEL 32DIP
CAT28F020L90 IC FLASH 2MBIT PARALLEL 32DIP
CAT28F001LI-12T IC FLASH 1MBIT PARALLEL 32DIP
CAT28F512LI90 IC FLASH 512KBIT PARALLEL 32DIP
CAT28F512L90 IC FLASH 512KBIT PARALLEL 32DIP
CAT28F020LI90 IC FLASH 2MBIT PARALLEL 32DIP
CAT28F010L90 IC FLASH 1MBIT PARALLEL 32DIP
CAT28C512L15 IC EEPROM 512KBIT PARALLEL 32DIP
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Part Number Description
Produkt-Beschreibung

Einzelheiten zum Produkt

Beschreibung

Der CAT28C512/513 ist ein schneller, geringer Stromverbrauch, 5V CMOS Parallel EEPROM organisiert als 64K x 8-Bit. Es erfordert eine einfache Schnittstelle für die In-System-Programmierung.Selbstzeitgeschalteter Schreibzyklus mit automatischem Löschen und VCC-Schreibschutz, um zusätzliche Schreib- und Schutzhardware zu eliminieren.

Eigenschaften

■ Schnelle Lesezeiten: 120/150 ns
■ CMOS-Diszipierung mit geringer Leistung:
Aktive: maximal 50 mA.
Standby: maximal 200 μA.
■ Einfacher Schreibvorgang:
¢ Adress- und Datensperren auf dem Chip
Schreibzyklus mit automatischem Löschen
■ Schnelle Schreibzeit:
¢5ms Max
■ CMOS- und TTL-kompatible E/A
■ Automatisches Schreiben von Seiten:
1 bis 128 Bytes in 5 ms
¢ Seitenaufladetimer
■ End-of-write-Erkennung:
¢Toggle Bit
DATA Umfragen
■ Hardware- und Software-Schreibschutz
■ 100.000 Programm-/ Löschzyklen
■ Datenspeicherung für 100 Jahre
■ Handels-, Industrie- und Automobiltemperaturbereiche

Spezifikationen

Eigenschaft Attributivwert
Hersteller Ein- und zweimal
Produktkategorie Speicher-ICs
Reihe -
Verpackung Schlauch
Packungskoffer 32 DIP (0,600", 15,24 mm)
Betriebstemperatur -40 °C bis 85 °C (TA)
Schnittstelle Parallel
Spannungsversorgung 4.5 V ~ 5.5 V
Lieferant-Gerät-Verpackung 32-PDIP
Speicherkapazität 512K (64K x 8)
Speichertypen EEPROM
Geschwindigkeit 120 ns
Format-Speicher EEPROMs - Parallel

Beschreibungen

EEPROM-Speicher IC 512Kb (64K x 8) Parallel 120ns 32-PDIP
EEPROM Parallel 512K-Bit 64K x 8 5V 32-Pin PDIP-Rohr
Umbauten:

Stabiler Flash-Speicher IC

Flash-Speicher IC nicht flüchtig

SPI-Flash-Speicher IC