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R1LP0108ESF-5SI#B0 IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP I Renesas Electronics America Inc.

  • R1LP0108ESF-5SI#B0 IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP I Renesas Electronics America Inc
Markenname Renesas Electronics America Inc
Modellnummer R1LP0108ESF-5SI#B0
Min Bestellmenge 1
Preis Based on current price
Verpackung Informationen Anti-statische Tasche und Karton
Lieferzeit 3-5 Arbeitstage
Zahlungsbedingungen T/T
Versorgungsmaterial-Fähigkeit Vorräte

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Produktdetails
Gedächtnisart Flüchtig Gedächtnis-Format SRAM
Technologie SRAM Speicherkapazität 1 Mbit
Speicherorganisation 128K x 8 Gedächtnis-Schnittstelle Parallel
Taktfrequenz - Schreibzyklus-zeit- Wort, Seite 55ns
Zugriffzeit 55 ns Spannung - Versorgung 4.5V ~ 5.5V
Betriebstemperatur -40 °C bis 85 °C (TA) Typ der Montage Oberflächenbefestigung
Packung / Gehäuse 32-TFSOP (0,724", 18.40mm Breite) Lieferanten-Gerätepaket 32-TSOP I
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Part Number Description
R1LV0108ESF-5SI#S1 IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP I
R1LP0108ESF-5SI#S1 IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP I
R1LV0108ESF-5SI#B1 IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP I
R1LP0108ESF-5SI#B1 IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP I
R1LP0108ESF-5SI#B0 IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP I
R1LP0108ESF-5SI#S0 IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP I
R1LP0108ESF-5SR#B0 IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP I
R1LP0108ESF-5SR#S0 IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP I
R1LP0108ESF-7SI#B0 IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP I
R1LP0108ESF-7SI#S0 IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP I
R1LP0108ESF-7SR#B0 IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP I
R1LP0108ESF-7SR#S0 IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP I
R1LV0108ESF-5SI#B0 IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP I
R1LV0108ESF-5SI#S0 IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP I
R1LV0108ESF-5SR#B0 IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP I
R1LV0108ESF-5SR#S0 IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP I
R1LV0108ESF-7SI#B0 IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP I
R1LV0108ESF-7SI#S0 IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP I
R1LV0108ESF-7SR#B0 IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP I
R1LV0108ESF-7SR#S0 IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP I
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Part Number Description
Produkt-Beschreibung

Einzelheiten zum Produkt

Beschreibung

Die R1LV0108E-Serie ist eine Familie von 1-Mbit-statischen Niederspannungs-RAMs, die als 131.072-Wort-durch 8-Bit-Speicher organisiert sind und von Renesas' leistungsstarken 0.15um CMOS- und TFT-Technologien hergestellt werden.Die R1LV0108E Serie hat eine höhere Dichte realisiertDie R1LV0108E-Serie eignet sich für Speicheranwendungen, bei denen eine einfache SchnittstelleBatteriebetrieb und Batterie-Support sind die wichtigen DesignzieleEs wurde in 32-Pin SOP, 32-Pin TSOP und 32-Pin sTSOP verpackt.

Eigenschaften

• Einzelne 2,7- bis 3,6 V-Stromversorgung
• Kleiner Standby-Strom: 1 μA (3,0 V, typisch)
• Keine Uhren, keine Erneuerung
• Alle Eingänge und Ausgänge sind TTL-kompatibel.
• Einfache Erweiterung des Speichers durch CS1# und CS2
• Gemeinsame Dateneingabe/Ausgabe
• Drei-Zustand-Ausgänge: OR-Bindungskapazität
• OE# verhindert Datenkonflikte auf dem I/O-Bus

Spezifikationen

Eigenschaft Attributivwert
Hersteller Renesas Electronics Amerika
Produktkategorie Speicher-ICs
Reihe -
Verpackung Tray Alternative Verpackung
Packungskoffer 32-TFSOP (0,724", 18,40 mm Breite)
Betriebstemperatur -40 °C bis 85 °C (TA)
Schnittstelle Parallel
Spannungsversorgung 4.5 V ~ 5.5 V
Lieferant-Gerät-Verpackung 32 - TSOP (8x20)
Speicherkapazität 1M (128K x 8)
Speichertypen SRAM
Geschwindigkeit 55n
Format-Speicher Speicherplatz

Beschreibungen

SRAM-Speicher IC 1Mb (128K x 8) Parallel 55ns 32-TSOP (8x20)
SRAM Chip Async Einzel 5V 1M-Bit 128K x 8 55ns 32-Pin TSOP-I-Tray
Umbauten:

Stabiler Flash-Speicher IC

Flash-Speicher IC nicht flüchtig

SPI-Flash-Speicher IC