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IS41LV16100B-50KL IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ ISSI, Integrierte Siliziumlösungen Inc.

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xProduktdetails
Gedächtnisart | Flüchtig | Gedächtnis-Format | D-RAM |
---|---|---|---|
Technologie | DRAM - EDO | Speicherkapazität | 16Mbit |
Speicherorganisation | 1M x 16 | Gedächtnis-Schnittstelle | Parallel |
Taktfrequenz | - | Schreibzyklus-zeit- Wort, Seite | - |
Zugriffzeit | 25 ns | Spannung - Versorgung | 3V bis 3,6V |
Betriebstemperatur | 0°C bis 70°C (TA) | Typ der Montage | Oberflächenbefestigung |
Packung / Gehäuse | 42-BSOJ (0,400", 10,16 mm Breite) | Lieferanten-Gerätepaket | 42-SOJ |
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Part Number | Description | |
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IS41LV16100B-50KL | IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ | |
IS41LV16100B-50KL-TR | IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ | |
IS41LV16100B-50KLI | IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ | |
IS41LV16100B-50KLI-TR | IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ | |
IS41LV16100B-60KL | IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ | |
IS41LV16100B-60KL-TR | IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ | |
IS41LV16100B-60KLI | IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ | |
IS41LV16100B-60KLI-TR | IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ | |
IS41LV16105B-50KL | IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ | |
IS41LV16105B-50KL-TR | IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ | |
IS41LV16105B-50KLI | IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ | |
IS41LV16105B-50KLI-TR | IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ | |
IS41LV16105B-60KL | IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ | |
IS41LV16105B-60KL-TR | IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ | |
IS41LV16105B-60KLI | IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ | |
IS41LV16105B-60KLI-TR | IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ | |
IS41C16100C-50KLI | IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ | |
IS41C16100C-50KLI-TR | IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ | |
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IS41LV16100C-50KLI | IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ | |
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IS41LV16100D-50KLI | IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ | |
IS41LV16100D-50KLI-TR | IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ | |
IS41LV16105D-50KLI | IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ | |
IS41LV16105D-50KLI-TR | IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ |
Produkt-Beschreibung
Einzelheiten zum Produkt
Beschreibung
Die ISSIIS41LV16100B ist 1,048,576 x 16-Bit Hochleistungs-CMOS Dynamic Random Access Memories. Diese Geräte bieten einen beschleunigten Zykluszugriff namens EDO Page Mode.024 zufällige Zugriffe innerhalb einer einzigen Zeile mit einer Zugriffszeit von 20 ns pro 16-Bit-Wort.
Eigenschaften
• TTL-kompatible Eingänge und Ausgänge; Drei-State-E/A• Erneuerungszeitraum:
️ Automatischer Aktualisierungsmodus: 1.024 Zyklen /16 ms
Nur für RAS, CAS vor RAS und versteckt
• JEDEC-Standard-Pinout
• Einmalige Stromversorgung: 3,3 V ± 10%
• Byte-Schreib- und Byte-Leseoperation über zwei CAS
• Industrie-Temperaturbereich: -40°C bis +85°C
• Bleifrei erhältlich
Spezifikationen
Eigenschaft | Attributivwert |
---|---|
Hersteller | ISSI |
Produktkategorie | IC-Chips |
Reihe | - |
Verpackung | Schlauch |
Packungskoffer | 42-BSOJ (0,400", 10,16 mm) |
Betriebstemperatur | 0°C bis 70°C (TA) |
Schnittstelle | Parallel |
Spannungsversorgung | 3 V ~ 3,6 V |
Lieferant-Gerät-Verpackung | 42-SOJ |
Speicherkapazität | 16M (1M x 16) |
Speichertypen | DRAM - EDO |
Geschwindigkeit | 50 ns |
Format-Speicher | Speicherplatz |
Beschreibungen
DRAM - EDO-Speicher IC 16Mb (1M x 16) Parallel 25ns 42-SOJ
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