IS41LV16100B-50KL IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ ISSI, Integrierte Siliziumlösungen Inc.

Markenname ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Modellnummer IS41LV16100B-50KL
Min Bestellmenge 1
Preis Based on current price
Verpackung Informationen Anti-statische Tasche und Karton
Lieferzeit 3-5 Arbeitstage
Zahlungsbedingungen T/T
Versorgungsmaterial-Fähigkeit Vorräte

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Produktdetails
Gedächtnisart Flüchtig Gedächtnis-Format D-RAM
Technologie DRAM - EDO Speicherkapazität 16Mbit
Speicherorganisation 1M x 16 Gedächtnis-Schnittstelle Parallel
Taktfrequenz - Schreibzyklus-zeit- Wort, Seite -
Zugriffzeit 25 ns Spannung - Versorgung 3V bis 3,6V
Betriebstemperatur 0°C bis 70°C (TA) Typ der Montage Oberflächenbefestigung
Packung / Gehäuse 42-BSOJ (0,400", 10,16 mm Breite) Lieferanten-Gerätepaket 42-SOJ
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Part Number Description
IS41LV16100B-50KL IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ
IS41LV16100B-50KL-TR IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ
IS41LV16100B-50KLI IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ
IS41LV16100B-50KLI-TR IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ
IS41LV16100B-60KL IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ
IS41LV16100B-60KL-TR IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ
IS41LV16100B-60KLI IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ
IS41LV16100B-60KLI-TR IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ
IS41LV16105B-50KL IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ
IS41LV16105B-50KL-TR IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ
IS41LV16105B-50KLI IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ
IS41LV16105B-50KLI-TR IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ
IS41LV16105B-60KL IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ
IS41LV16105B-60KL-TR IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ
IS41LV16105B-60KLI IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ
IS41LV16105B-60KLI-TR IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ
IS41C16100C-50KLI IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ
IS41C16100C-50KLI-TR IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ
IS41C16105C-50KLI IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ
IS41C16105C-50KLI-TR IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ
IS41LV16100C-50KLI IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ
IS41LV16100C-50KLI-TR IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ
IS41LV16105C-50KLI IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ
IS41LV16105C-50KLI-TR IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ
IS41LV16100D-50KLI IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ
IS41LV16100D-50KLI-TR IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ
IS41LV16105D-50KLI IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ
IS41LV16105D-50KLI-TR IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ
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Part Number Description
Produkt-Beschreibung

Einzelheiten zum Produkt

Beschreibung

Die ISSIIS41LV16100B ist 1,048,576 x 16-Bit Hochleistungs-CMOS Dynamic Random Access Memories. Diese Geräte bieten einen beschleunigten Zykluszugriff namens EDO Page Mode.024 zufällige Zugriffe innerhalb einer einzigen Zeile mit einer Zugriffszeit von 20 ns pro 16-Bit-Wort.

Eigenschaften

• TTL-kompatible Eingänge und Ausgänge; Drei-State-E/A
• Erneuerungszeitraum:
️ Automatischer Aktualisierungsmodus: 1.024 Zyklen /16 ms
 Nur für RAS, CAS vor RAS und versteckt
• JEDEC-Standard-Pinout
• Einmalige Stromversorgung: 3,3 V ± 10%
• Byte-Schreib- und Byte-Leseoperation über zwei CAS
• Industrie-Temperaturbereich: -40°C bis +85°C
• Bleifrei erhältlich

Spezifikationen

EigenschaftAttributivwert
HerstellerISSI
ProduktkategorieIC-Chips
Reihe-
VerpackungSchlauch
Packungskoffer42-BSOJ (0,400", 10,16 mm)
Betriebstemperatur0°C bis 70°C (TA)
SchnittstelleParallel
Spannungsversorgung3 V ~ 3,6 V
Lieferant-Gerät-Verpackung42-SOJ
Speicherkapazität16M (1M x 16)
SpeichertypenDRAM - EDO
Geschwindigkeit50 ns
Format-SpeicherSpeicherplatz

Beschreibungen

DRAM - EDO-Speicher IC 16Mb (1M x 16) Parallel 25ns 42-SOJ