S29WS064RABBHW010 IC FLASH 64MBIT PARALLEL 84FBGA Cypress Semiconductor Corp.

Markenname Cypress Semiconductor Corp
Modellnummer S29WS064RABBHW010
Min Bestellmenge 1
Preis Based on current price
Verpackung Informationen Anti-statische Tasche und Karton
Lieferzeit 3-5 Arbeitstage
Zahlungsbedingungen T/T
Versorgungsmaterial-Fähigkeit Vorräte

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Produktdetails
Gedächtnisart Permanent Gedächtnis-Format BLITZ
Technologie BLITZ - NOCH Speicherkapazität 64Mbit
Speicherorganisation 4M x 16 Gedächtnis-Schnittstelle Parallel
Taktfrequenz 108 MHZ Schreibzyklus-zeit- Wort, Seite 60ns
Zugriffzeit 80 ns Spannung - Versorgung 1.7V | 1.95V
Betriebstemperatur -25 °C ~ 85 °C (TA) Typ der Montage Oberflächenbefestigung
Packung / Gehäuse 84-VFBGA Lieferanten-Gerätepaket Einheit für die Berechnung der Werte der in Absatz 1 Buchstabe a genannten Werte.
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Part Number Description
S29WS064RABBHW010 IC FLASH 64MBIT PARALLEL 84FBGA
S29WS064RABBHI000 IC FLASH 64MBIT PARALLEL 84FBGA
S29WS064RABBHI010 IC FLASH 64MBIT PARALLEL 84FBGA
S29WS128P0PBFW000 IC FLASH 128MBIT PARALLEL 84FBGA
S29WS128P0SBFW000 IC FLASH 128MBIT PARALLEL 84FBGA
S29WS256P0PBFW000 IC FLASH 256MBIT PARALLEL 84FBGA
S29WS256P0SBFW000 IC FLASH 256MBIT PARALLEL 84FBGA
S29WS512P0PBFW000 IC FLASH 512MBIT PARALLEL 84FBGA
S29WS512P0SBFW000 IC FLASH 512MBIT PARALLEL 84FBGA
S29WS256P0LBFW000 IC FLASH 256MBIT PAR 84FBGA
S29WS128P0PBFW003 IC FLASH 128MBIT PARALLEL 84FBGA
S29WS256P0SBFW002 IC FLASH 256MBIT PARALLEL 84FBGA
S29WS064RABBHW000 IC FLASH 64MBIT PARALLEL 84FBGA
S29WS064RABBHW010 IC FLASH 64MBIT PARALLEL 84FBGA
S29WS128P0PBAW000 IC FLASH 128MBIT PARALLEL 84FBGA
S29WS128PABBFW000 IC FLASH 128MBIT PAR 84FBGA
S29WS256PABBAW000 IC FLASH 256MBIT PAR 84FBGA
S29WS256PABBFW000 IC FLASH 256MBIT PAR 84FBGA
S29WS512PABBFW000 IC FLASH 512MBIT PAR 84FBGA
S29WS256R0SBHW000 IC FLASH 256MBIT PAR 84FBGA
S29WS256RAABHW000 IC FLASH 256MBIT PAR 84FBGA
S29WS256RAABHW000E IC FLASH 256MBIT PAR 84FBGA
S29WS256RAABHW200E IC FLASH 256MBIT PAR 84FBGA
S29WS512R0SBHW200E IC FLASH 512MBIT PAR 84FBGA
S29WS512R0SBHW000 IC FLASH 512MBIT PAR 84FBGA
S29WS512R0SBHW200 IC FLASH 512MBIT PAR 84FBGA
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Part Number Description
Produkt-Beschreibung

Einzelheiten zum Produkt

Allgemeine Beschreibung

Die Spansion S29WS256/128/064N sind MirrorbitTM Flash-Produkte, die auf 110 nm Prozesstechnologie hergestellt wurden.Diese Burst-Modus-Flash-Geräte sind in der Lage, gleichzeitige Lese- und Schreiboperationen mit Null-Latenz auf zwei separaten Banken mit separaten Daten- und Adresspins durchzuführenDiese Produkte können bis zu 80 MHz laufen und verwenden eine einzelne VCC von 1,7 V bis 1,95 V, was sie ideal für die heutigen anspruchsvollen drahtlosen Anwendungen mit höherer Dichte macht.bessere Leistung und geringerer Stromverbrauch.

Unterscheidungsmerkmale

■ Einfaches Lesen/Programmieren/Löschen von 1,8 V (1.70­1,95 V)
■ 110 nm MirrorBitTM-Technologie
■ Simultanes Lesen/Schreiben mit Null
Verzögerung
■ 32-Wörter-Schreibpuffer
■ Architektur aus 16/8/4 Banken
Wörter für WS256N/128N/064N
■ Vier 16 Kword­Sektoren sowohl oben als auch unten
Speicher-Array
■ 254/126/62 64 Kword-Sektoren (WS256N/128N/
064N)
■ Programmierbare Lesearten
Linieär für 32, 16 oder 8 Wörter
ohne Umwicklung
¢ Kontinuierlicher Sequenzlesemodus
■ SecSiTM (Secured Silicon)
von jeweils 128 Wörtern für Fabrik und Kunden
■ 20-jährige Aufbewahrung der Daten (typisch)
■ Radfahrt Ausdauer: 100.000 Fahrräder pro Sektor
(typisch)
■ RDY-Ausgabe gibt die Daten an, die dem System zur Verfügung stehen
■ Kommando-Satz kompatibel mit JEDEC (42.4)
Standard
■ Hardwareschutz (WP#) von oben und unten
Sektoren
■ Konfiguration mit zwei Stiefelbereichen (oben und unten)
■ Angebotene Pakete
¢ WS064N: 80 Kugel FBGA (7 mm x 9 mm)
¢ WS256N/128N: 84 Kugel FBGA (8 mm x 11,6 mm)
■ Niedrige VCC-Schreibhemmer
■ Persistente und Passwortmethoden
Sektorschutz
■ Schreibstatusbits geben Programm und
Abschluss des Löschvorgangs
■ Unterbrechen und Wiederaufnehmen von Befehlen für Programm und
Löschvorgänge
■ Schließen Sie den Befehl des Bypass-Programms zum Verringern
Zeit der Programmierung
■ synchroner oder asynchroner Programmbetrieb,
unabhängig von den Einstellungen des Registrierungsregisters für die Explosionskontrolle
■ ACC-Eingabe-Pin zur Verkürzung der Produktionszeit
■ Unterstützung für eine gemeinsame Flash­Schnittstelle (CFI)
■ Industrielle Temperaturbereiche (Kontaktfabrik)

Spezifikationen

Eigenschaft Attributivwert
Hersteller Zypress Halbleiter
Produktkategorie Speicher-ICs
Reihe WS-R
Verpackung Tray
Montage-Stil SMD/SMT
Betriebstemperaturbereich - 25 °C bis + 85 °C
Packungskoffer *
Betriebstemperatur -25 °C bis 85 °C (TA)
Schnittstelle Parallel
Spannungsversorgung 10,7 V bis 1,95 V
Lieferant-Gerät-Verpackung *
Speicherkapazität 64 M (4 M x 16)
Speichertypen FLASH - NICHT
Geschwindigkeit 108 MHz
Architektur Wirtschaftszweig
Format-Speicher Flasch
Standards Gemeinsame Flash-Schnittstelle (CFI)
Schnittstellentyp Parallel
Organisation 4 M x 16
Versorgungsstrom maximal 44 mA
Datenbusbreite 16 Bit
Versorgungsspannung 1.95 V
Versorgungsspannung-Min 1.7 V
Packungskoffer FBGA-84
Maximal-Uhr-Frequenz 108 MHz
Zeitungsart Asynchron synchron
Funktionell kompatible KomponenteForm,Verpackung,funktional kompatible Komponente
Hersteller Teil# Beschreibung Hersteller Vergleich
S29WS064R0SBHW000
Gedächtnis
Flash, 4MX16, 80ns, PBGA84, 11,60 X 8 MM, ohne Blei, FBGA-84 Zypress Halbleiter S29WS064RABBHW010 gegen S29WS064R0SBHW000
S29WS064R0SBHW013
Gedächtnis
Flash, 4MX16, 80ns, PBGA84, 11,60 X 8 MM, ohne Blei, FBGA-84 Zypress Halbleiter S29WS064RABBHW010 gegen S29WS064R0SBHW013
S29WS064RABBHW010
Gedächtnis
Flash, 4MX16, 80ns, PBGA84, 11,60 X 8 MM, ohne Blei, FBGA-84 Zypress Halbleiter S29WS064RABBHW010 gegen S29WS064RABBHW010
S29WS064R0SBHW010
Gedächtnis
Flash, 4MX16, 80ns, PBGA84, 11,60 X 8 MM, ohne Blei, FBGA-84 Zypress Halbleiter S29WS064RABBHW010 gegen S29WS064R0SBHW010
S29WS064R0PBHW010
Gedächtnis
Flash, 4MX16, 80ns, PBGA84, 11,60 X 8 MM, ohne Blei, FBGA-84 Zypress Halbleiter S29WS064RABBHW010 gegen S29WS064R0PBHW010
S29WS064R0SBHW003
Gedächtnis
Flash, 4MX16, 80ns, PBGA84, 11,60 X 8 MM, ohne Blei, FBGA-84 Zypress Halbleiter S29WS064RABBHW010 gegen S29WS064R0SBHW003
S29WS064RABBHW013
Gedächtnis
Flash, 4MX16, 80ns, PBGA84, 11,60 X 8 MM, ohne Blei, FBGA-84 Zypress Halbleiter S29WS064RABBHW010 gegen S29WS064RABBHW013
S29WS064R0PBHW013
Gedächtnis
Flash, 4MX16, 80ns, PBGA84, 11,60 X 8 MM, ohne Blei, FBGA-84 Zypress Halbleiter S29WS064RABBHW010 gegen S29WS064R0PBHW013
S29WS064RABBHW003
Gedächtnis
Flash, 4MX16, 80ns, PBGA84, 11,60 X 8 MM, ohne Blei, FBGA-84 Zypress Halbleiter S29WS064RABBHW010 gegen S29WS064RABBHW003
S29WS064R0PBHW000
Gedächtnis
Flash, 4MX16, 80ns, PBGA84, 11,60 X 8 MM, ohne Blei, FBGA-84 Zypress Halbleiter S29WS064RABBHW010 gegen S29WS064R0PBHW000

Beschreibungen

FLASH - NOR Speicher IC 64Mb (4M x 16) Parallel 108MHz 80ns 84-FBGA (11.6x8)
NOR Flash Parallel 1.8V 64M-Bit 4M x 16 80ns 84-Pin TFBGA-Tray
Speicher