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W9464G6KH-5 IC DRAM 64MBIT PAR 66TSOP II
| Markenname | Winbond Electronics |
|---|---|
| Modellnummer | W9464G6KH-5 |
| Min Bestellmenge | 1 |
| Preis | Based on current price |
| Verpackung Informationen | Anti-statische Tasche und Karton |
| Lieferzeit | 3-5 Arbeitstage |
| Zahlungsbedingungen | T/T |
| Versorgungsmaterial-Fähigkeit | Vorräte |
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xProduktdetails
| Gedächtnisart | Flüchtig | Gedächtnis-Format | D-RAM |
|---|---|---|---|
| Technologie | SDRAM-DDR | Speicherkapazität | 64Mbit |
| Speicherorganisation | 4M x 16 | Gedächtnis-Schnittstelle | Parallel |
| Taktfrequenz | 200 MHz | Schreibzyklus-zeit- Wort, Seite | 15ns |
| Zugriffzeit | 55 ns | Spannung - Versorgung | 2.3V | 2.7V |
| Betriebstemperatur | 0°C bis 70°C (TA) | Typ der Montage | Oberflächenbefestigung |
| Packung / Gehäuse | 66-TSSOP (0,400", 10.16mm Breite) | Lieferanten-Gerätepaket | 66-TSOP II |
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| Part Number | Description | |
|---|---|---|
| W9464G6KH-5 | IC DRAM 64MBIT PAR 66TSOP II | |
| W9412G6KH-5 | IC DRAM 128MBIT PAR 66TSOP II | |
| W9464G6KH-5 TR | IC DRAM 64MBIT PAR 66TSOP II | |
| W9464G6KH-5I TR | IC DRAM 64MBIT PAR 66TSOP II | |
| W9464G6KH-5I | IC DRAM 64MBIT PAR 66TSOP II | |
| W9412G6KH-5 TR | IC DRAM 128MBIT PAR 66TSOP II | |
| W9412G6KH-5I TR | IC DRAM 128MBIT PAR 66TSOP II | |
| W9412G6KH-5I | IC DRAM 128MBIT PAR 66TSOP II | |
| W9425G6KH-5 TR | IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II | |
| W9425G6KH-5 | IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II | |
| W9425G6KH-5I TR | IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II | |
| W9425G6KH-5I | IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II | |
| W9412G6IH-5 | IC DRAM 128MBIT PAR 66TSOP II | |
| W9425G6EH-5 | IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II | |
| W9412G6JH-5I | IC DRAM 128MBIT PAR 66TSOP II | |
| W9464G6JH-4 | IC DRAM 64MBIT PAR 66TSOP II | |
| W9464G6JH-5 | IC DRAM 64MBIT PAR 66TSOP II | |
| W9464G6JH-5I | IC DRAM 64MBIT PAR 66TSOP II | |
| W9412G6JH-4 | IC DRAM 128MBIT PAR 66TSOP II | |
| W9464G6KH-4 | IC DRAM 64MBIT PAR 66TSOP II | |
| W9412G6KH-4 | IC DRAM 128MBIT PAR 66TSOP II | |
| W9425G6KH-4 | IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II | |
| W9412G6KH-4 TR | IC DRAM 128MBIT PAR 66TSOP II | |
| W9464G6KH-4 TR | IC DRAM 64MBIT PAR 66TSOP II | |
| AS4C2M32D1-5TCN | IC DRAM 64MBIT PAR 66TSOP II | |
| AS4C2M32D1-5TIN | IC DRAM 64MBIT PAR 66TSOP II |
Produkt-Beschreibung
Einzelheiten zum Produkt
Generell beschrieben
W9425G6DH ist ein CMOS Double Data Rate synchroner dynamischer Zufallszugriffsspeicher (DDR SDRAM), organisiert als 4,194Mit Hilfe einer Pipeline-Architektur und einer 0,11 μm-Prozesstechnologie liefert W9425G6DH eine Datenbandbreite von bis zu 500 M Wörtern pro Sekunde (-4).Vollständig mit dem Industriestandard für Personalcomputer übereinstimmen, W9425G6DH wird in vier Geschwindigkeitsstufen sortiert: -4, -5, -6 und -75. Das -4 entspricht der DDR500/CL3-Spezifikation. Das -5 entspricht der DDR400/CL3-Spezifikation.Die -6 entspricht der DDR333/CL2.5 Spezifikation (die -6I-Klasse, die garantiert -40 °C ~ 85 °C unterstützt). Die -75 entspricht der Spezifikation DDR266/CL2 (die 75I-Klasse, die garantiert -40 °C ~ 85 °C unterstützt).
Eigenschaften
• 2,5V ± 0,2V Stromversorgung für DDR266/DDR333• 2,6 V ± 0,1 V Stromversorgung für DDR400/DDR500
• bis zu 250 MHz Uhrfrequenz
• Architektur mit doppelter Datenrate; zwei Datenübertragungen pro Taktzyklus
• Differentialschalteinträge (CLK und CLK)
• DQS ist Rand ausgerichtet mit Daten für Lesen; Mitte ausgerichtet mit Daten für Schreiben
• CAS-Latenz: 2, 2,5 und 3
• Länge des Ausbruchs: 2, 4 und 8
• Autoverfrischung und Selbstverfrischung
• Vorgeladener Ausfall und aktiver Ausfall
• Datenmaske schreiben
• Schreiben Sie Latenz = 1
• 7.8 μS Erneuerungsintervall (8K / 64 mS Erneuerung)
• Höchstzyklus der Erneuerung: 8
• Schnittstelle: SSTL_2
• Verpackt in TSOP II 66-Stift, 400 Mil, 0,65 mm Stiftweite, mit Pb-frei und RoHS-konform
Spezifikationen
| Eigenschaft | Attributivwert |
|---|---|
| Hersteller | Winbond Elektronik |
| Produktkategorie | Speicher-ICs |
| Reihe | - |
| Verpackung | Tray Alternative Verpackung |
| Packungskoffer | 66-TSSOP (0,400", 10,16 mm Breite) |
| Betriebstemperatur | 0°C bis 70°C (TA) |
| Schnittstelle | Parallel |
| Spannungsversorgung | 2.3 V ~ 2,7 V |
| Lieferant-Gerät-Verpackung | 66-TSOP II |
| Speicherkapazität | 64 M (4 M x 16) |
| Speichertypen | DDR-SDRAM |
| Geschwindigkeit | 200 MHz |
| Format-Speicher | Speicherplatz |
Beschreibungen
SDRAM - DDR-Speicher IC 64Mb (4M x 16) Parallel 200MHz 55ns 66-TSOP II
DRAM Chip DDR SDRAM 64 Mbit 4Mx16 2,5 V 66-Pin TSOP-II
Empfohlene Produkte
