IDT70T3319S133DD IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 144TQFP Renesas Electronics America Inc.

Markenname Renesas Electronics America Inc
Modellnummer IDT70T3319S133DD
Min Bestellmenge 1
Preis Based on current price
Verpackung Informationen Anti-statische Tasche und Karton
Lieferzeit 3-5 Arbeitstage
Zahlungsbedingungen T/T
Versorgungsmaterial-Fähigkeit Vorräte

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Produktdetails
Gedächtnisart Flüchtig Gedächtnis-Format SRAM
Technologie SRAM - Doppelport, synchron Speicherkapazität 4.5Mbit
Speicherorganisation 256K x 18 Gedächtnis-Schnittstelle Parallel
Taktfrequenz 133 MHZ Schreibzyklus-zeit- Wort, Seite -
Zugriffzeit 4,2 ns Spannung - Versorgung 2.4V | 2.6V
Betriebstemperatur 0°C bis 70°C (TA) Typ der Montage Oberflächenbefestigung
Packung / Gehäuse 144-LQFP stellte Auflage heraus Lieferanten-Gerätepaket 144-TQFP (20x20)
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Part Number Description
IDT70T3319S133DD IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 144TQFP
IDT70T3319S133DDI IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 144TQFP
IDT70T3319S166DD IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 144TQFP
IDT70T3399S133DD IC SRAM 2MBIT PARALLEL 144TQFP
IDT70T3399S133DDI IC SRAM 2MBIT PARALLEL 144TQFP
IDT70T3399S166DD IC SRAM 2MBIT PARALLEL 144TQFP
IDT70T631S10DD IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 144TQFP
IDT70T631S12DD IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 144TQFP
IDT70T631S12DDI IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 144TQFP
IDT70T631S15DD IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 144TQFP
IDT70T633S10DD IC SRAM 9MBIT PARALLEL 144TQFP
IDT70T633S12DD IC SRAM 9MBIT PARALLEL 144TQFP
IDT70T633S12DDI IC SRAM 9MBIT PARALLEL 144TQFP
IDT70T633S15DD IC SRAM 9MBIT PARALLEL 144TQFP
IDT70V7319S133DD IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 144TQFP
IDT70V7319S133DDI IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 144TQFP
IDT70V7319S166DD IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 144TQFP
IDT70V7319S166DDI IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 144TQFP
IDT70V7339S133DD IC SRAM 9MBIT PARALLEL 144TQFP
IDT70V7339S133DDI IC SRAM 9MBIT PARALLEL 144TQFP
IDT70V7339S166DD IC SRAM 9MBIT PARALLEL 144TQFP
IDT70V7339S166DDI IC SRAM 9MBIT PARALLEL 144TQFP
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Part Number Description
Produkt-Beschreibung

Einzelheiten zum Produkt

Beschreibung

Der IDT70T651/9 ist ein High-Speed 256/128K x 36 Asynchronous Dual-Port Static RAM.Der IDT70T651/9 ist als eigenständiger 9216/4608K-Bit Dual-Port-RAM oder als Kombination von MAS TER/SLAVE Dual-Port-RAM für ein 72-Bit- oder mehr Wortsystem zu verwendenDie Verwendung des IDT MASTER/SLAVE Dual-Port-RAM-Ansatzes in 72-Bit- oder breiteren Speichersystemanwendungen führt zu einem vollen, fehlerfreien Betrieb ohne zusätzliche diskrete Logik.
Dieses Gerät bietet zwei unabhängige Ports mit separaten Steuer-, Adress- und E/A-Pins, die einen unabhängigen, asynchronen Zugriff für Lesen oder Schreiben an jeden Speicherort ermöglichen.Eine automatische Leistungsauslösung, die vom Chip gesteuert wird, ermöglicht (entweder CE0 oder CE1) die Einführung eines sehr niedrigen Standby-Leistungsmodus in die Chip-Schaltkreise jedes Ports.
Der IDT70T651/9 verfügt über einen RapidWrite-Modus, der es dem Designer ermöglicht, Back-to-Back-Schreiboperationen durchzuführen, ohne den R/W-Eingang in jedem Zyklus zu pulsieren.Dies ist besonders bei den 8- und 10-ns-Zykluszeiten des IDT70T651/9 wichtig., was bei diesen hohen Leistungsniveaus die Konstruktionsbedürfnisse erleichtert.
Die 70T651/9 kann eine Betriebsspannung von 3,3 V oder 2,5 V auf einem oder beiden Ports unterstützen, die durch die OPT-Pins gesteuert wird.

Eigenschaften

◆ Wahre Dual-Port-Speicherzellen, die gleichzeitigen Zugriff auf denselben Speicherort ermöglichen
◆ Hochgeschwindigkeitszugriff

Industrie: 10/12ns (max.)
◆ Der RapidWrite-Modus vereinfacht schnelle aufeinanderfolgende Schreibzyklen
◆ Dual-Chip-Aktivierung ermöglicht die Erweiterung der Tiefe ohne externe Logik
◆ IDT70T651/9 erweitert die Datenbusbreite mit Hilfe der Master/Slave-Select-Funktion leicht auf 72 Bits oder mehr, wenn mehr als ein Gerät kaskadiert
◆ M/S = VIH für BUSY-Ausgabe-Flag auf Master, M/S = VIL für BUSY-Eingabe auf Slave
◆ Beschäftigte und unterbrochene Fahnen
◆ Logik zur Schiedsrichterin am Chip
◆ Vollständige Hardware-Unterstützung der Semaphorsignalisierung zwischen den Ports auf dem Chip
◆ Vollständig asynchroner Betrieb von jedem Hafen aus
◆ Getrennte Byte-Steuerungen für die Kompatibilität von Multiplexed-Bus und Bus-Matching
◆ Schlafmodus-Eingänge an beiden Ports
◆ Unterstützt JTAG-Funktionen, die IEEE 1149 entsprechen.1
◆ Einzelne 2,5V (± 100mV) Stromversorgung für den Kern
◆ LVTTL-kompatible, wählbare 3,3V (± 150mV) /2,5V (± 100mV) Stromversorgung für I/O- und Steuersignale an jedem Port
◆ Es gibt eine 256-kugel-Kugel-Reihe, einen 208-pinnigen Plastik-Quad-Flatpack und eine 208-kugel-Fine-Pitch-Kugel-Reihe.
◆ Für ausgewählte Drehzahlen ist ein industrieller Temperaturbereich (~40°C bis +85°C) verfügbar

Spezifikationen

Eigenschaft Attributivwert
Hersteller Integrierte Schaltkreissysteme
Produktkategorie Speicher-ICs
Reihe -
Verpackung Tray
Packungskoffer 144-LQFP exponierte Pad
Betriebstemperatur 0°C bis 70°C (TA)
Schnittstelle Parallel
Spannungsversorgung 2.4 V ~ 2,6 V
Lieferant-Gerät-Verpackung Die Kommission wird die Kommission auffordern, die erforderlichen Maßnahmen zu treffen.
Speicherkapazität 4.5M (256K x 18)
Speichertypen SRAM - Doppelport, synchron
Geschwindigkeit 133 MHz
Format-Speicher Speicherplatz

Beschreibungen

SRAM - Dual-Port, Synchronspeicher IC 4,5 Mb (256 K x 18) Parallel 133 MHz 4.2ns 144-TQFP (20x20)