IS43R32400E-5BL-TR IC DRAM 128MBIT PAR 144LFBGA ISSI, integrierte Siliziumlösung Inc.

Markenname ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Modellnummer IS43R32400E-5BL-TR
Min Bestellmenge 1
Preis Based on current price
Verpackung Informationen Anti-statische Tasche und Karton
Lieferzeit 3-5 Arbeitstage
Zahlungsbedingungen T/T
Versorgungsmaterial-Fähigkeit Vorräte

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Produktdetails
Gedächtnisart Flüchtig Gedächtnis-Format D-RAM
Technologie SDRAM-DDR Speicherkapazität 128Mbit
Speicherorganisation 4M x 32 Gedächtnis-Schnittstelle Parallel
Taktfrequenz 200 MHz Schreibzyklus-zeit- Wort, Seite 15ns
Zugriffzeit 700 ps Spannung - Versorgung 2.3V | 2.7V
Betriebstemperatur 0°C bis 70°C (TA) Typ der Montage Oberflächenbefestigung
Packung / Gehäuse 144-LFBGA Lieferanten-Gerätepaket 144-LFBGA (12x12)
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Part Number Description
IS43R32400E-5BL-TR IC DRAM 128MBIT PAR 144LFBGA
IS43R32400E-4BL-TR IC DRAM 128MBIT PAR 144LFBGA
IS43R32400E-5BLI-TR IC DRAM 128MBIT PAR 144LFBGA
IS43R32400E-5BL IC DRAM 128MBIT PAR 144LFBGA
IS43R32400E-5BLI IC DRAM 128MBIT PAR 144LFBGA
IS43R32160D-5BL IC DRAM 512MBIT PAR 144LFBGA
IS43R32160D-5BLI IC DRAM 512MBIT PAR 144LFBGA
IS43R32160D-5BLI-TR IC DRAM 512MBIT PAR 144LFBGA
IS43R32160D-5BL-TR IC DRAM 512MBIT PAR 144LFBGA
IS43R32400E-4BL IC DRAM 128MBIT PAR 144LFBGA
IS43R32800D-5BL IC DRAM 256MBIT PAR 144LFBGA
IS43R32800D-5BLI IC DRAM 256MBIT PAR 144LFBGA
IS43R32800D-5BLI-TR IC DRAM 256MBIT PAR 144LFBGA
IS43R32800D-5BL-TR IC DRAM 256MBIT PAR 144LFBGA
IS43R32800D-6BL IC DRAM 256MBIT PAR 144LFBGA
IS43R32800D-6BL-TR IC DRAM 256MBIT PAR 144LFBGA
IS43R32400E-4B-TR IC DRAM 128MBIT PAR 144LFBGA
IS43R32800D-5BI-TR IC DRAM 256MBIT PAR 144LFBGA
IS43R32800D-5B-TR IC DRAM 256MBIT PAR 144LFBGA
IS43R32400E-4B IC DRAM 128MBIT PAR 144LFBGA
IS43R32800D-5B IC DRAM 256MBIT PAR 144LFBGA
IS43R32800D-5BI IC DRAM 256MBIT PAR 144LFBGA
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Part Number Description
Produkt-Beschreibung

Einzelheiten zum Produkt

Eigenschaften

● Standardspannung: VDD und VDDQ = 1,5 V ± 0,075 V
● Niedrigspannung (L): VDD und VDDQ = 1,35 V + 0,1 V, -0,067 V
- Rückwärtskompatibel mit 1,5 V
● Hochgeschwindigkeitsdatenübertragungsraten
Frequenz bis 933 MHz
● 8 interne Banken für den gleichzeitigen Betrieb
● 8n-Bit-Architektur vor dem Abrufen
● Programmierbare CAS-Latenz
● Programmierbare Additive Latenz: 0, CL-1, CL-2
● Programmierbare CAS WRITE-Latenz (CWL) basierend auf tCK
● Programmierbare Ausbruchlänge: 4 und 8
● Programmierbarer Ausbruchsverlauf: Sequential oder Interleave
● BL-Schalter im Handumdrehen
● Automatische Erneuerung (ASR)
● Selbsterfrischungstemperatur (SRT)
● Erneuerungsintervall:
7.8 us (8192 Zyklen/64 ms) Tc= -40°C bis 85°C
3.9 us (8192 Zyklen/32 ms) Tc= 85°C bis 105°C
● Selbstrefreschierung in einem Teilbereich
● Asynchrone Rücksetzspalte
● TDQS (Termination Data Strobe) unterstützt (nur x8)
● OCD (Off-Chip-Anpassung der Impedanz des Treibers)
● Dynamische ODT (On-Die-Termination)
● Kraft des Fahrers: RZQ/7, RZQ/6 (RZQ = 240)
● Schreiben Sie die Ebene
● Bis zu 200 MHz im ausgeschalteten DLL-Modus
● Betriebstemperatur:
Für den Handel (TC = 0°C bis +95°C)
Industrie (TC = -40 °C bis +95 °C)
Fahrzeugtechnik, A1 (TC = -40°C bis +95°C)
Fahrzeugtechnik, A2 (TC = -40°C bis +105°C)

Spezifikationen

Eigenschaft Attributivwert
Hersteller ISSI
Produktkategorie Speicher-ICs
Reihe Einheit für die Bereitstellung von Daten
Typ DDR1
Verpackung Verpackung mit Band und Rolle (TR)
Montage-Stil SMD/SMT
Packungskoffer 144-LFBGA
Betriebstemperatur 0°C bis 70°C (TA)
Schnittstelle Parallel
Spannungsversorgung 2.3 V ~ 2,7 V
Lieferant-Gerät-Verpackung 144-LFBGA (12x12)
Speicherkapazität 128 M (4 M x 32)
Speichertypen DDR-SDRAM
Geschwindigkeit 200 MHz
Zugriffszeit 5 ns
Format-Speicher Speicherplatz
Höchstbetriebstemperatur + 70 °C
Betriebstemperaturbereich 0 C
Organisation 4 M x 32
Versorgungsstrom maximal 320 mA
Datenbusbreite 32 Bit
Versorgungsspannung 2.7 V
Versorgungsspannung-Min 2.3 V
Packungskoffer LFBGA-144
Maximal-Uhr-Frequenz 200 MHz

Beschreibungen

SDRAM - DDR-Speicher IC 128Mb (4M x 32) Parallel 200MHz 700ps 144-LFBGA (12x12)
DRAM-Chip DDR SDRAM 128Mbit 4Mx32 2,5V 144-Pin LFBGA T/R
DRAM 128M (4Mx32) 200MHz DDR 2,5 V