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IS43R32400E-5BL-TR IC DRAM 128MBIT PAR 144LFBGA ISSI, integrierte Siliziumlösung Inc.

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xProduktdetails
Gedächtnisart | Flüchtig | Gedächtnis-Format | D-RAM |
---|---|---|---|
Technologie | SDRAM-DDR | Speicherkapazität | 128Mbit |
Speicherorganisation | 4M x 32 | Gedächtnis-Schnittstelle | Parallel |
Taktfrequenz | 200 MHz | Schreibzyklus-zeit- Wort, Seite | 15ns |
Zugriffzeit | 700 ps | Spannung - Versorgung | 2.3V | 2.7V |
Betriebstemperatur | 0°C bis 70°C (TA) | Typ der Montage | Oberflächenbefestigung |
Packung / Gehäuse | 144-LFBGA | Lieferanten-Gerätepaket | 144-LFBGA (12x12) |
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Part Number | Description | |
---|---|---|
IS43R32400E-5BL-TR | IC DRAM 128MBIT PAR 144LFBGA | |
IS43R32400E-4BL-TR | IC DRAM 128MBIT PAR 144LFBGA | |
IS43R32400E-5BLI-TR | IC DRAM 128MBIT PAR 144LFBGA | |
IS43R32400E-5BL | IC DRAM 128MBIT PAR 144LFBGA | |
IS43R32400E-5BLI | IC DRAM 128MBIT PAR 144LFBGA | |
IS43R32160D-5BL | IC DRAM 512MBIT PAR 144LFBGA | |
IS43R32160D-5BLI | IC DRAM 512MBIT PAR 144LFBGA | |
IS43R32160D-5BLI-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 144LFBGA | |
IS43R32160D-5BL-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 144LFBGA | |
IS43R32400E-4BL | IC DRAM 128MBIT PAR 144LFBGA | |
IS43R32800D-5BL | IC DRAM 256MBIT PAR 144LFBGA | |
IS43R32800D-5BLI | IC DRAM 256MBIT PAR 144LFBGA | |
IS43R32800D-5BLI-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 144LFBGA | |
IS43R32800D-5BL-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 144LFBGA | |
IS43R32800D-6BL | IC DRAM 256MBIT PAR 144LFBGA | |
IS43R32800D-6BL-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 144LFBGA | |
IS43R32400E-4B-TR | IC DRAM 128MBIT PAR 144LFBGA | |
IS43R32800D-5BI-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 144LFBGA | |
IS43R32800D-5B-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 144LFBGA | |
IS43R32400E-4B | IC DRAM 128MBIT PAR 144LFBGA | |
IS43R32800D-5B | IC DRAM 256MBIT PAR 144LFBGA | |
IS43R32800D-5BI | IC DRAM 256MBIT PAR 144LFBGA |
Produkt-Beschreibung
Einzelheiten zum Produkt
Eigenschaften
● Standardspannung: VDD und VDDQ = 1,5 V ± 0,075 V● Niedrigspannung (L): VDD und VDDQ = 1,35 V + 0,1 V, -0,067 V
- Rückwärtskompatibel mit 1,5 V
● Hochgeschwindigkeitsdatenübertragungsraten
Frequenz bis 933 MHz
● 8 interne Banken für den gleichzeitigen Betrieb
● 8n-Bit-Architektur vor dem Abrufen
● Programmierbare CAS-Latenz
● Programmierbare Additive Latenz: 0, CL-1, CL-2
● Programmierbare CAS WRITE-Latenz (CWL) basierend auf tCK
● Programmierbare Ausbruchlänge: 4 und 8
● Programmierbarer Ausbruchsverlauf: Sequential oder Interleave
● BL-Schalter im Handumdrehen
● Automatische Erneuerung (ASR)
● Selbsterfrischungstemperatur (SRT)
● Erneuerungsintervall:
7.8 us (8192 Zyklen/64 ms) Tc= -40°C bis 85°C
3.9 us (8192 Zyklen/32 ms) Tc= 85°C bis 105°C
● Selbstrefreschierung in einem Teilbereich
● Asynchrone Rücksetzspalte
● TDQS (Termination Data Strobe) unterstützt (nur x8)
● OCD (Off-Chip-Anpassung der Impedanz des Treibers)
● Dynamische ODT (On-Die-Termination)
● Kraft des Fahrers: RZQ/7, RZQ/6 (RZQ = 240)
● Schreiben Sie die Ebene
● Bis zu 200 MHz im ausgeschalteten DLL-Modus
● Betriebstemperatur:
Für den Handel (TC = 0°C bis +95°C)
Industrie (TC = -40 °C bis +95 °C)
Fahrzeugtechnik, A1 (TC = -40°C bis +95°C)
Fahrzeugtechnik, A2 (TC = -40°C bis +105°C)
Spezifikationen
Eigenschaft | Attributivwert |
---|---|
Hersteller | ISSI |
Produktkategorie | Speicher-ICs |
Reihe | Einheit für die Bereitstellung von Daten |
Typ | DDR1 |
Verpackung | Verpackung mit Band und Rolle (TR) |
Montage-Stil | SMD/SMT |
Packungskoffer | 144-LFBGA |
Betriebstemperatur | 0°C bis 70°C (TA) |
Schnittstelle | Parallel |
Spannungsversorgung | 2.3 V ~ 2,7 V |
Lieferant-Gerät-Verpackung | 144-LFBGA (12x12) |
Speicherkapazität | 128 M (4 M x 32) |
Speichertypen | DDR-SDRAM |
Geschwindigkeit | 200 MHz |
Zugriffszeit | 5 ns |
Format-Speicher | Speicherplatz |
Höchstbetriebstemperatur | + 70 °C |
Betriebstemperaturbereich | 0 C |
Organisation | 4 M x 32 |
Versorgungsstrom maximal | 320 mA |
Datenbusbreite | 32 Bit |
Versorgungsspannung | 2.7 V |
Versorgungsspannung-Min | 2.3 V |
Packungskoffer | LFBGA-144 |
Maximal-Uhr-Frequenz | 200 MHz |
Beschreibungen
SDRAM - DDR-Speicher IC 128Mb (4M x 32) Parallel 200MHz 700ps 144-LFBGA (12x12)
DRAM-Chip DDR SDRAM 128Mbit 4Mx32 2,5V 144-Pin LFBGA T/R
DRAM 128M (4Mx32) 200MHz DDR 2,5 V
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