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IS63WV1024BLL-12TLI IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP II ISSI, Integrierte Siliziumlösungen Inc.

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xProduktdetails
Gedächtnisart | Flüchtig | Gedächtnis-Format | SRAM |
---|---|---|---|
Technologie | SRAM - Asynchron | Speicherkapazität | 1 Mbit |
Speicherorganisation | 128K x 8 | Gedächtnis-Schnittstelle | Parallel |
Taktfrequenz | - | Schreibzyklus-zeit- Wort, Seite | 12ns |
Zugriffzeit | 12 ns | Spannung - Versorgung | 3V bis 3,6V |
Betriebstemperatur | -40 °C bis 85 °C (TA) | Typ der Montage | Oberflächenbefestigung |
Packung / Gehäuse | 32 SOIC (0,400", 10,16 mm Breite) | Lieferanten-Gerätepaket | 32-TSOP II |
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Part Number | Description | |
---|---|---|
IS63WV1024BLL-12TLI | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP II | |
IS62WV5128BLL-55T2LI | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 32TSOP II | |
IS61C5128AS-25TLI | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 32TSOP II | |
IS61WV1288EEBLL-10TLI | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP II | |
IS63WV1288DBLL-10TLI-TR | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP II | |
IS61WV1288EEBLL-10TLI-TR | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP II | |
IS63WV1024BLL-12TLI-TR | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP II | |
IS63WV1288DBLL-10TLI | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP II | |
IS62WV5128BLL-55T2LI-TR | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 32TSOP II | |
IS61C5128AS-25TLI-TR | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 32TSOP II | |
IS62WV5128BLL-55T2I | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 32TSOP II | |
IS62WV5128BLL-55T2I-TR | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 32TSOP II | |
IS63LV1024L-10T | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP II | |
IS63LV1024L-10T-TR | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP II | |
IS63LV1024L-10TL | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP II | |
IS63LV1024L-10TL-TR | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP II | |
IS63LV1024L-10TLI | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP II | |
IS63LV1024L-10TLI-TR | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP II | |
IS62WV5128DBLL-45T2LI | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 32TSOP II | |
IS62C5128BL-45TLI | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 32TSOP II | |
IS62C5128BL-45TLI-TR | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 32TSOP II | |
IS62WV5128DBLL-45T2LI-TR | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 32TSOP II |
Produkt-Beschreibung
Einzelheiten zum Produkt
Beschreibung
Der ICSI IS63LV1024 ist ein sehr schneller, leistungsstarker, 131.072 Wörter pro 8-Bit CMOS statischer RAM in revolutionärem Pinout.Dieses sehr zuverlässige Verfahren in Verbindung mit innovativen Techniken zur Schaltung von Schaltkreisen, erzeugt höhere Leistung und geringen Stromverbrauch.
Eigenschaften
• Hochgeschwindigkeitszugriffszeiten: 8, 10, 12 und 15 ns• Hochleistungs- und energieeffizientes CMOS-Verfahren
• Mehrfache Zentralstromversorgung und Erdungspins für eine größere Geräuschsicherheit
• Einfache Speichererweiterung mit CE- und OE-Optionen
• CE-Abschaltung
• Vollständig statischer Betrieb: keine Uhr oder Aktualisierung erforderlich
• TTL-kompatible Eingänge und Ausgänge
• Einzelne 3,3-Volt-Stromversorgung
• Verfügbare Pakete:
Spezifikationen
Eigenschaft | Attributivwert |
---|---|
Hersteller | ISSI |
Produktkategorie | Speicher-ICs |
Reihe | IS63WV1024BLL |
Typ | Asynchron |
Verpackung | Tray Alternative Verpackung |
Montage-Stil | SMD/SMT |
Packungskoffer | 32 SOIC (0,400", 10,16 mm Breite) |
Betriebstemperatur | -40 °C bis 85 °C (TA) |
Schnittstelle | Parallel |
Spannungsversorgung | 3 V ~ 3,6 V |
Lieferant-Gerät-Verpackung | 32-TSOP II |
Speicherkapazität | 1M (128K x 8) |
Speichertypen | SRAM - Asynchron |
Geschwindigkeit | 12 ns |
Datenquote | SZR |
Zugriffszeit | 12 ns |
Format-Speicher | Speicherplatz |
Höchstbetriebstemperatur | + 85 °C |
Betriebstemperaturbereich | - 40 °C |
Schnittstellentyp | Parallel |
Organisation | 128 k x 8 |
Versorgungsstrom maximal | 45 mA |
Versorgungsspannung | 3.63 V |
Versorgungsspannung-Min | 2.97 V |
Packungskoffer | sTSOP I-32 |
Funktionell kompatible Komponente
Form,Verpackung,funktional kompatible Komponente
Hersteller Teil# | Beschreibung | Hersteller | Vergleich |
IS63WV1024BLL-12TI Gedächtnis |
Standard-SRAM, 128KX8, 12ns, CMOS, PDSO32, 0,400 INCH, TSOP2-32 | ABLIC Inc. | Die in Anhang I der Verordnung (EU) Nr. 528/2012 aufgeführten Daten werden in Anhang II der Verordnung (EU) Nr. 528/2012 über die Überwachung der Einhaltung der Vorschriften für die Überwachung der Einhaltung der Vorschriften für die Überwachung der Einhaltung der Vorschriften für die Einhaltung der Vorschriften für die Einhaltung der Vorschriften für die Einhaltung der Vorschriften für die Einhaltung der Vorschriften für die Einhaltung der Vorschriften für die Einhaltung der Vorschriften für die Einhaltung der Vorschriften für die Einhaltung der Vorschriften für die Einhaltung der Vorschriften für die Einhaltung der Vorschriften für die Einhaltung der Vorschriften für die Einhaltung der Vorschriften für die Einhaltung der Vorschriften für die Einhaltung der Vorschriften für die Einhaltung der Vorschriften für die Einhaltung der Vorschriften für die Einhaltung der Vorschriften für die Einhaltung der Vorschriften für die Einhaltung der Vorschriften für die Einhaltung der Vorschriften für die Einhaltung der Vorschriften für die Einhaltung der Vorschriften für die Einhaltung der Vorschriften für die Einhaltung der Vorschriften für die Einhaltung der Vorschriften für die Einhaltung der Vorschriften für die Einhaltung der Vorschriften für die Einhaltung der Vorschriften für die Einhaltung der Vorschriften für die Einhaltung der Vorschriften für die Einhaltung der Vorschriften für die Einhaltung der Vorschriften für die Einhaltung der |
Beschreibungen
SRAM - Asynchrone Speicher IC 1Mb (128K x 8) Parallel 12ns 32-TSOP II
SRAM Chip Async Single 3.3V 1M-Bit 128K x 8 12ns 32-Pin TSOP-II
SRAM 1Mb 128Kx8 12ns/3,3V Asynchronous SRAM 3,3v
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