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AS4C4M32S-7BCN IC DRAM 128MBIT PAR 90TFBGA Allianz Speicher, Inc.

  • AS4C4M32S-7BCN IC DRAM 128MBIT PAR 90TFBGA Alliance Memory, Inc.
Markenname Alliance Memory, Inc.
Modellnummer AS4C4M32S-7BCN
Min Bestellmenge 1
Preis Based on current price
Verpackung Informationen Anti-statische Tasche und Karton
Lieferzeit 3-5 Arbeitstage
Zahlungsbedingungen T/T
Versorgungsmaterial-Fähigkeit Vorräte

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Produktdetails
Gedächtnisart Flüchtig Gedächtnis-Format D-RAM
Technologie SDRAM Speicherkapazität 128Mbit
Speicherorganisation 4M x 32 Gedächtnis-Schnittstelle Parallel
Taktfrequenz 143 MHZ Schreibzyklus-zeit- Wort, Seite 2ns
Zugriffzeit 5,4 ns Spannung - Versorgung 3V bis 3,6V
Betriebstemperatur 0°C bis 70°C (TA) Typ der Montage Oberflächenbefestigung
Packung / Gehäuse 90-TFBGA Lieferanten-Gerätepaket 90-TFBGA (8x13)
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Part Number Description
AS4C4M32S-7BCN IC DRAM 128MBIT PAR 90TFBGA
AS4C4M32S-6BIN IC DRAM 128MBIT PAR 90TFBGA
AS4C2M32S-6BIN IC DRAM 64MBIT PARALLEL 90TFBGA
AS4C2M32S-7BCN IC DRAM 64MBIT PAR 90TFBGA
AS4C2M32S-6BCN IC DRAM 64MBIT LVTTL 90TFBGA
AS7C351232-10BIN IC SRAM 16MBIT PARALLEL 90TFBGA
AS4C8M32SA-6BIN IC DRAM 256MBIT PAR 90TFBGA
AS7C325632-10BIN IC SRAM 8MBIT PARALLEL 90TFBGA
AS4C2M32S-7BCNTR IC DRAM 64MBIT PAR 90TFBGA
AS4C4M32S-7BCNTR IC DRAM 128MBIT PAR 90TFBGA
AS4C2M32S-6BINTR IC DRAM 64MBIT PARALLEL 90TFBGA
AS4C4M32S-6BINTR IC DRAM 128MBIT PAR 90TFBGA
AS4C8M32SA-7BCNTR IC DRAM 256MBIT PAR 90TFBGA
AS4C8M32SA-6BINTR IC DRAM 256MBIT PAR 90TFBGA
AS4C8M32SA-7BCN IC DRAM 256MBIT PAR 90TFBGA
AS7C325632-10BINTR IC SRAM 8MBIT PARALLEL 90TFBGA
AS7C351232-10BINTR IC SRAM 16MBIT PARALLEL 90TFBGA
AS4C8M32S-7BCN IC DRAM 256MBIT PAR 90TFBGA
AS4C8M32S-6BINTR IC DRAM 256MBIT PAR 90TFBGA
AS4C8M32S-7BCNTR IC DRAM 256MBIT PAR 90TFBGA
AS4C8M32S-6BIN IC DRAM 256MBIT PAR 90TFBGA
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Part Number Description
Produkt-Beschreibung

Spezifikationen

Eigenschaft Attributivwert
Hersteller Alliance Memory, Inc.
Produktkategorie Speicher-ICs
Reihe -
Verpackung Tray Alternative Verpackung
Packungskoffer 90-LFBGA
Betriebstemperatur 0°C bis 70°C (TA)
Schnittstelle Parallel
Spannungsversorgung 3 V ~ 3,6 V
Lieferant-Gerät-Verpackung 90 - TFBGA (8x13)
Speicherkapazität 128 M (4 M x 32)
Speichertypen SDRAM
Geschwindigkeit 143 MHz
Format-Speicher Speicherplatz

Beschreibungen

SDRAM-Speicher IC 128Mb (4M x 32) Parallel 143MHz 5,4ns 90-TFBGA (8x13)
DRAM 128 Mb, 3.3 V, 143 MHz 4M x 32 SDRAM
Umbauten:

Stabiler Flash-Speicher IC

Flash-Speicher IC nicht flüchtig

SPI-Flash-Speicher IC