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BQ4010MA-85 IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28DIP Texas Instruments

  • BQ4010MA-85 IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28DIP Texas Instruments
Markenname Texas Instruments
Modellnummer BQ4010MA-85
Min Bestellmenge 1
Preis Based on current price
Verpackung Informationen Anti-statische Tasche und Karton
Lieferzeit 3-5 Arbeitstage
Zahlungsbedingungen T/T
Versorgungsmaterial-Fähigkeit Vorräte

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Produktdetails
Gedächtnisart Permanent Gedächtnis-Format NVSRAM
Technologie NVSRAM (permanentes SRAM) Speicherkapazität 64 KB
Speicherorganisation 8K x 8 Gedächtnis-Schnittstelle Parallel
Taktfrequenz - Schreibzyklus-zeit- Wort, Seite 85 n
Zugriffzeit 85 ns Spannung - Versorgung 4,75 V ~ 5,5 V
Betriebstemperatur 0°C bis 70°C (TA) Typ der Montage Durchs Loch
Packung / Gehäuse 28 DIP-Module (0,61", 15,49 mm) Lieferanten-Gerätepaket 28 DIP-Modul (18.42x37.72)
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Part Number Description
BQ4010MA-85 IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28DIP
BQ4011MA-100 IC NVSRAM 256KBIT PARALLEL 28DIP
BQ4010YMA-70 IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28DIP
BQ4011YMA-100 IC NVSRAM 256KBIT PARALLEL 28DIP
BQ4011YMA-70 IC NVSRAM 256KBIT PARALLEL 28DIP
BQ4010LYMA-70N IC NVSRAM 64KBIT 70NS 28DIP
BQ4011LYMA-70N IC NVSRAM 256KBIT PARALLEL 28DIP
BQ4010MA-150 IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28DIP
BQ4010MA-200 IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28DIP
BQ4010MA-70 IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28DIP
BQ4010YMA-150 IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28DIP
BQ4010YMA-150N IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28DIP
BQ4010YMA-200 IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28DIP
BQ4010YMA-70N IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28DIP
BQ4010YMA-85 IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28DIP
BQ4010YMA-85N IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28DIP
BQ4011MA-150 IC NVSRAM 256KBIT PARALLEL 28DIP
BQ4011MA-200 IC NVSRAM 256KBIT PARALLEL 28DIP
BQ4011YMA-150 IC NVSRAM 256KBIT PARALLEL 28DIP
BQ4011YMA-150N IC NVSRAM 256KBIT PARALLEL 28DIP
BQ4011YMA-200 IC NVSRAM 256KBIT PARALLEL 28DIP
BQ4011YMA-70N IC NVSRAM 256KBIT PARALLEL 28DIP
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Part Number Description
Produkt-Beschreibung

Einzelheiten zum Produkt

Beschreibung/ Merkmale

Der Schottky-Gleichrichter 10BQ040 wurde für Anwendungen mit niedrigem Vorwärtsfall und sehr geringen Fußabdrücken auf PC-Boards entwickelt.Schaltnetzteile, Konverter, Freiraumdioden, Batterieladung und Rückschaltschutz.

• Kleine Fußabdrücke, auf der Oberfläche montierbar

• Niedriger Vorwärtsspannungsabfall
• Hochfrequenzbetrieb
• Schutzring für höhere Robustheit und langfristige Zuverlässigkeit

Spezifikationen

EigenschaftAttributivwert
HerstellerTexas Instruments
ProduktkategorieSpeicher-ICs
Reihe-
VerpackungTray
Packungskoffer28 DIP-Module (0,61", 15,49 mm)
Betriebstemperatur0°C bis 70°C (TA)
SchnittstelleParallel
Spannungsversorgung40,75 V bis 5,5 V
Lieferant-Gerät-Verpackung28 DIP-Modul (18.42x37.72)
Speicherkapazität64K (8K x 8)
SpeichertypenNVSRAM (nicht flüchtige SRAM)
Geschwindigkeit85 n
Format-SpeicherSpeicherplatz

Beschreibungen

NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Speicher IC 64Kb (8K x 8) Parallel 85ns 28-DIP Modul (18.42x37.72)
NVRAM NVSRAM Parallel 64Kbit 5V 28-Pin DIP-Modul
Umbauten:

Stabiler Flash-Speicher IC

Flash-Speicher IC nicht flüchtig

SPI-Flash-Speicher IC