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MT29F128G08CBCABH6-6:A TR IC FLASH 128GBIT PAR 152VBGA Micron Technology Inc.
| Gedächtnisart: | Permanent |
|---|---|
| Gedächtnis-Format: | BLITZ |
| Technologie: | BLITZ - NAND |
W631GG6KB-12 IC DRAM 1GBIT PARALLEL 96WBGA Winbond Electronics
| Gedächtnisart: | Flüchtig |
|---|---|
| Gedächtnis-Format: | D-RAM |
| Technologie: | SDRAM - DDR3 |
MT41K256M8DA-125:K IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78FBGA Micron Technology Inc.
| Gedächtnisart: | Flüchtig |
|---|---|
| Gedächtnis-Format: | D-RAM |
| Technologie: | SDRAM - DDR3L |
MT49H16M18SJ-25:B TR IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144FBGA Micron Technology Inc.
| Gedächtnisart: | Flüchtig |
|---|---|
| Gedächtnis-Format: | D-RAM |
| Technologie: | D-RAM |
71V256SA15PZGI IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28TSOP Renesas Electronics America Inc.
| Gedächtnisart: | Flüchtig |
|---|---|
| Gedächtnis-Format: | SRAM |
| Technologie: | SRAM - Asynchron |
MTFC2GMVEA-0M WT TR IC FLASH 16GBIT MMC 153VFBGA Micron Technology Inc.
| Gedächtnisart: | Permanent |
|---|---|
| Gedächtnis-Format: | BLITZ |
| Technologie: | BLITZ - NAND |
IS42S16100H-7BL-TR IC DRAM 16MBIT PAR 60TFBGA ISSI, integrierte Siliziumlösung Inc.
| Gedächtnisart: | Flüchtig |
|---|---|
| Gedächtnis-Format: | D-RAM |
| Technologie: | SDRAM |
CY62256LL-70SNXI IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOIC Cypress Semiconductor Corp.
| Gedächtnisart: | Flüchtig |
|---|---|
| Gedächtnis-Format: | SRAM |
| Technologie: | SRAM - Asynchron |
AS4C32M16D1A-5TIN IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II Alliance Memory, Inc. (auch bekannt als AS4C32M16D1A-5TIN)
| Gedächtnisart: | Flüchtig |
|---|---|
| Gedächtnis-Format: | D-RAM |
| Technologie: | SDRAM-DDR |
MT48LC2M32B2P-6:G TR IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II Micron Technology Inc.
| Gedächtnisart: | Flüchtig |
|---|---|
| Gedächtnis-Format: | D-RAM |
| Technologie: | SDRAM |