China M68AW031AM70N6T IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28TSOP

M68AW031AM70N6T IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28TSOP

Gedächtnisart: Flüchtig
Gedächtnis-Format: SRAM
Technologie: SRAM - Asynchron
China CY7C1019DV33-10VXI IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ Infineon Technologies

CY7C1019DV33-10VXI IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ Infineon Technologies

Gedächtnisart: Flüchtig
Gedächtnis-Format: SRAM
Technologie: SRAM - Asynchron
China CY7C144AV-25AXC IC SRAM 64KBIT PARALLEL 64TQFP Cypress Halbleiter Corp.

CY7C144AV-25AXC IC SRAM 64KBIT PARALLEL 64TQFP Cypress Halbleiter Corp.

Gedächtnisart: Flüchtig
Gedächtnis-Format: SRAM
Technologie: SRAM - Asynchrone Doppelanschlüsse
China S25FL128LAGMFA000 IC FLASH 128MBIT SPI/QUAD 16SOIC Infineon Technologies

S25FL128LAGMFA000 IC FLASH 128MBIT SPI/QUAD 16SOIC Infineon Technologies

Gedächtnisart: Permanent
Gedächtnis-Format: BLITZ
Technologie: BLITZ - NOCH
China MR2A16AVMA35 IC-RAM 4MBIT PARALLEL 48FBGA Everspin Technologies Inc.

MR2A16AVMA35 IC-RAM 4MBIT PARALLEL 48FBGA Everspin Technologies Inc.

Gedächtnisart: Permanent
Gedächtnis-Format: Speicherplatz
Technologie: mit einer Breite von mehr als 20 mm,
China AS7C256A-10TCN IC SRAM 256KBIT PAR 28TSOP I Alliance Memory, Inc. (auch bekannt als IC SRAM)

AS7C256A-10TCN IC SRAM 256KBIT PAR 28TSOP I Alliance Memory, Inc. (auch bekannt als IC SRAM)

Gedächtnisart: Flüchtig
Gedächtnis-Format: SRAM
Technologie: SRAM - Asynchron
China MT53D512M64D4NW-053 WT:D IC DRAM 32GBIT 1,866GHZ 432VFBGA Micron Technology Inc.

MT53D512M64D4NW-053 WT:D IC DRAM 32GBIT 1,866GHZ 432VFBGA Micron Technology Inc.

Gedächtnisart: Flüchtig
Gedächtnis-Format: D-RAM
Technologie: SDRAM - Bewegliches LPDDR4
China S70FL01GSAGMFI010 IC FLASH 1GBIT SPI/QUAD 16SOIC Infineon Technologies

S70FL01GSAGMFI010 IC FLASH 1GBIT SPI/QUAD 16SOIC Infineon Technologies

Gedächtnisart: Permanent
Gedächtnis-Format: BLITZ
Technologie: BLITZ - NOCH
China CY7C1049GN30-10VXI IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ Infineon Technologies

CY7C1049GN30-10VXI IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ Infineon Technologies

Gedächtnisart: Flüchtig
Gedächtnis-Format: SRAM
Technologie: SRAM - Asynchron
China MX25L51245GXDI-10G IC FLASH 512MBIT SPI/QU 24CSPBGA Macronix

MX25L51245GXDI-10G IC FLASH 512MBIT SPI/QU 24CSPBGA Macronix

Gedächtnisart: Permanent
Gedächtnis-Format: BLITZ
Technologie: BLITZ - NOCH
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