Alle Produkte
RMLV0416EGSB-4S2#HA1 IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II von Renesas Electronics America Inc.
| Gedächtnisart: | Flüchtig |
|---|---|
| Gedächtnis-Format: | SRAM |
| Technologie: | SRAM |
BR24S256F-WE2 IC EEPROM 256KBIT I2C 8SOP Rohm Halbleiter
| Gedächtnisart: | Permanent |
|---|---|
| Gedächtnis-Format: | EEPROM |
| Technologie: | EEPROM |
IS43LR16200D-6BL-TR IC DRAM 32MBIT PARALLEL 60TFBGA ISSI, integrierte Siliziumlösung Inc.
| Gedächtnisart: | Flüchtig |
|---|---|
| Gedächtnis-Format: | D-RAM |
| Technologie: | SDRAM - Bewegliches LPDDR |
MT29F128G08AMCABH2-10:A IC FLASH 128GBIT PAR 100TBGA Micron Technology Inc.
| Gedächtnisart: | Permanent |
|---|---|
| Gedächtnis-Format: | BLITZ |
| Technologie: | BLITZ - NAND |
MT40A1G4RH-083E:B IC DRAM 4GBIT PAR 1,2GHZ 78FBGA Micron Technology Inc.
| Gedächtnisart: | Flüchtig |
|---|---|
| Gedächtnis-Format: | D-RAM |
| Technologie: | SDRAM - DDR4 |
MT46V16M16CY-5B IT:M IC DRAM 256MBIT PARALLEL 60FBGA Micron Technology Inc.
| Gedächtnisart: | Flüchtig |
|---|---|
| Gedächtnis-Format: | D-RAM |
| Technologie: | SDRAM-DDR |
SST25VF010A-33-4I-QAE IC FLASH 1MBIT SPI 33MHZ 8WSON Mikrochip-Technologie
| Gedächtnisart: | Permanent |
|---|---|
| Gedächtnis-Format: | BLITZ |
| Technologie: | BLITZ |
MT28EW128ABA1HPC-0SIT IC FLASH 128MBIT PARALLEL 64LBGA Micron Technology Inc.
| Gedächtnisart: | Permanent |
|---|---|
| Gedächtnis-Format: | BLITZ |
| Technologie: | BLITZ - NOCH |
IS62WV5128BLL-55HLI IC SRAM 4MBIT PARALLEL 32STSOP I ISSI, Integrierte Siliziumlösungen Inc.
| Gedächtnisart: | Flüchtig |
|---|---|
| Gedächtnis-Format: | SRAM |
| Technologie: | SRAM - Asynchron |
IS62C1024AL-35TLI IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP I ISSI, Integrierte Siliziumlösungen Inc.
| Gedächtnisart: | Flüchtig |
|---|---|
| Gedächtnis-Format: | SRAM |
| Technologie: | SRAM - Asynchron |