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MT46V16M16CY-5B IT:M IC DRAM 256MBIT PARALLEL 60FBGA Micron Technology Inc.
| Markenname | Micron Technology Inc. |
|---|---|
| Modellnummer | MT46V16M16CY-5B IT: M |
| Min Bestellmenge | 1 |
| Preis | Based on current price |
| Verpackung Informationen | Anti-statische Tasche und Karton |
| Lieferzeit | 3-5 Arbeitstage |
| Zahlungsbedingungen | T/T |
| Versorgungsmaterial-Fähigkeit | Vorräte |
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xProduktdetails
| Gedächtnisart | Flüchtig | Gedächtnis-Format | D-RAM |
|---|---|---|---|
| Technologie | SDRAM-DDR | Speicherkapazität | 256Mbit |
| Speicherorganisation | 16M x 16 | Gedächtnis-Schnittstelle | Parallel |
| Taktfrequenz | 200 MHz | Schreibzyklus-zeit- Wort, Seite | 15ns |
| Zugriffzeit | 700 ps | Spannung - Versorgung | 2,5 V ~ 2,7 V |
| Betriebstemperatur | -40 °C bis 85 °C (TA) | Typ der Montage | Oberflächenbefestigung |
| Packung / Gehäuse | 60-TFBGA | Lieferanten-Gerätepaket | Einheit für die Berechnung der Leistung |
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| Part Number | Description | |
|---|---|---|
| MT46V16M16CY-5B IT:M | IC DRAM 256MBIT PARALLEL 60FBGA | |
| MT46V64M8CY-5B:J TR | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA | |
| MT46V64M8CY-5B:J | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA | |
| MT46V16M16CY-5B IT:M TR | IC DRAM 256MBIT PARALLEL 60FBGA | |
| MT46V32M16CY-5B IT:J TR | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA | |
| MT46V32M16CY-5B IT:J | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA | |
| MT46V32M16BN-5B:F TR | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA | |
| MT46V32M16BN-6:F TR | IC DRAM 512MBIT PAR 60FBGA | |
| MT46V16M16CY-5B:K TR | IC DRAM 256MBIT PARALLEL 60FBGA | |
| MT46V32M16CY-5B:J | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA | |
| MT46V16M16CY-6 IT:K TR | IC DRAM 256MBIT PAR 60FBGA | |
| MT46V16M16CY-6:K TR | IC DRAM 256MBIT PAR 60FBGA | |
| MT46V16M16CY-5B:M | IC DRAM 256MBIT PARALLEL 60FBGA | |
| MT46V32M8CY-5B:M | IC DRAM 256MBIT PARALLEL 60FBGA | |
| MT46V64M8CY-5B IT:J | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA | |
| MT46V64M8CY-5B L:J | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA | |
| MT46V64M8CV-5B IT:J | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA | |
| MT46V64M8CV-5B IT:J TR | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA | |
| MT46V16M16CY-5B AAT:M | IC DRAM 256MBIT PARALLEL 60FBGA | |
| MT46V16M16CY-5B XIT:M | IC DRAM 256MBIT PARALLEL 60FBGA | |
| MT46V16M16CY-5B AIT:M TR | IC DRAM 256MBIT PARALLEL 60FBGA | |
| MT46V16M16CY-5B XIT:M TR | IC DRAM 256MBIT PARALLEL 60FBGA | |
| MT46V32M16CY-5B AAT:J TR | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA | |
| MT46V32M16CY-5B AIT:J TR | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA | |
| MT46V32M16CY-5B:J TR | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA | |
| MT46V32M8CY-5B:M TR | IC DRAM 256MBIT PARALLEL 60FBGA | |
| MT46V64M8CY-5B AIT:J TR | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA | |
| MT46V64M8CY-5B IT:J TR | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA | |
| MT46V64M8CY-5B L:J TR | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA | |
| MT46V16M16CY-5B AIT:M | IC DRAM 256MBIT PARALLEL 60FBGA | |
| MT46V32M16CY-5B AAT:J | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA | |
| MT46V32M16CY-5B AIT:J | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA | |
| MT46V64M8CY-5B AIT:J | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA | |
| MT46V32M16CV-5B IT:J TR | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA | |
| MT46V32M16CV-5B:J TR | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA | |
| MT46V64M8CV-5B:J TR | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA | |
| MT46V32M16CV-5B IT:J | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA | |
| MT46V32M16CV-5B:J | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA | |
| MT46V32M16CY-5B L IT:J | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA | |
| MT46V64M8CV-5B:J | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA | |
| MT46V32M16CV-5B IT:J | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA | |
| MT46V64M8CV-5B IT:J | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA | |
| MT46V16M16CY-5B:M TR | IC DRAM 256MBIT PARALLEL 60FBGA | |
| MT46V16M16CY-5B AAT:M TR | IC DRAM 256MBIT PARALLEL 60FBGA |
Produkt-Beschreibung
Einzelheiten zum Produkt
Generell beschrieben
Der DDR333 SDRAM ist ein hochgeschwindiges CMOS-Speicher mit dynamischem Zufallszugriff, der mit einer Frequenz von 167 MHz (tCK=6ns) mit einer Spitzendatentransferrate von 333 Mb/s/p arbeitet.DDR333 verwendet weiterhin die JEDEC-Standard-SSTL_2-Schnittstelle und die 2n-Prefetch-Architektur.
Eigenschaften
• 167 MHz Uhr, 333 Mb/s/p Datenrate•VDD = +2,5V ±0,2V, VDDQ = +2,5V ±0,2V
• Bidirektionale Datenstrobosphäre (DQS), die mit Daten übertragen/empfangen wird, d. h. Quelle-synchrone Datenerfassung (x16 hat zwei - ein pro Byte)
• Interne, durch Pipelines verknüpfte Doppeldatenrate-Architektur (DDR); zwei Datenzugriffe pro Taktzyklus
• Differentialschalteinträge (CK und CK#)
• Befehle, die an jeder positiven CK-Kante eingegeben werden
• DQS-Rand mit Daten für READs ausgerichtet; Mitte mit Daten für WRITEs ausgerichtet
• DLL zur Anpassung der DQ- und DQS-Übergänge an CK
• Vier interne Banken für den gleichzeitigen Betrieb
• Datenmaske (DM) zur Verhüllung von Schreibdaten (x16 hat zwei - eins pro Byte)
• Programmierbare Ausbruchlängen: 2, 4 oder 8
• Unterstützt gleichzeitige automatische Vorladung
• Automatische und Selbst-Erneuerungs-Modi
• FBGA-Paket verfügbar
• 2,5 V E/A (SSTL_2-kompatibel)
• Verriegelung des tRAS (tRAP = tRCD)
• Rückwärtskompatibel mit DDR200 und DDR266
Spezifikationen
| Eigenschaft | Attributivwert |
|---|---|
| Hersteller | Micron Technologie Inc. |
| Produktkategorie | Speicher-ICs |
| Reihe | - |
| Verpackung | Tray Alternative Verpackung |
| Packungskoffer | 60-TFBGA |
| Betriebstemperatur | -40 °C bis 85 °C (TA) |
| Schnittstelle | Parallel |
| Spannungsversorgung | 2.5 V ~ 2,7 V |
| Lieferant-Gerät-Verpackung | Einheit für die Berechnung der Leistung |
| Speicherkapazität | 256 M (16 M x 16) |
| Speichertypen | DDR-SDRAM |
| Geschwindigkeit | 5ns |
| Format-Speicher | Speicherplatz |
Beschreibungen
SDRAM - DDR-Speicher IC 256Mb (16M x 16) Parallel 200MHz 700ps 60-FBGA (8x12.5)
DRAM-Chip DDR SDRAM 256Mbit 16Mx16 2,6V 60-Pin FBGA
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