MT40A1G4RH-083E:B IC DRAM 4GBIT PAR 1,2GHZ 78FBGA Micron Technology Inc.

Markenname Micron Technology Inc.
Modellnummer MT40A1G4RH-083E: B
Min Bestellmenge 1
Preis Based on current price
Verpackung Informationen Anti-statische Tasche und Karton
Lieferzeit 3-5 Arbeitstage
Zahlungsbedingungen T/T
Versorgungsmaterial-Fähigkeit Vorräte

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Produktdetails
Gedächtnisart Flüchtig Gedächtnis-Format D-RAM
Technologie SDRAM - DDR4 Speicherkapazität 4Gbit
Speicherorganisation 1G x 4 Gedächtnis-Schnittstelle Parallel
Taktfrequenz 1,2 Gigahertz Schreibzyklus-zeit- Wort, Seite -
Zugriffzeit - Spannung - Versorgung 1.14V | 1.26V
Betriebstemperatur 0°C | 95°C (TC) Typ der Montage Oberflächenbefestigung
Packung / Gehäuse 78-TFBGA Lieferanten-Gerätepaket 78-FBGA (9x10.5)
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Part Number Description
MT40A1G4RH-083E:B IC DRAM 4GBIT PAR 1.2GHZ 78FBGA
MT41K512M8RH-107:E TR IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA
MT41K512M8RH-125 AIT:E TR IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
MT41K512M8RH-125 IT:E TR IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
MT41K512M8RH-125 M:E TR IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
MT41K512M8RH-125:E TR IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
MT41K512M8RH-107 IT:E IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA
MT41K512M8RH-107:E IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA
MT41K512M8RH-125 AIT:E IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
MT41K512M8RH-125 IT:E IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
MT41K512M8RH-125 M:E IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
MT41K512M8RH-125:E IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
MT40A512M8RH-083E:B IC DRAM 4GBIT PAR 1.2GHZ 78FBGA
MT41K512M8RH-125 V:E IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
MT41K512M8RH-125 XIT:E IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
MT41K512M8RH-125 AAT:E IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
MT41K512M8RH-125 M AIT:E TR IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
MT41K512M8RH-125 M AIT:E IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
MT41K512M8RH-125 V:E TR IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
MT41K512M8RH-125 XIT:E TR IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
MT41K512M8RH-125 AAT:E TR IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
MT40A512M8RH-062E:B TR IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
MT40A512M8RH-075E AUT:B TR IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
MT40A512M8RH-075E IT:B TR IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
MT40A512M8RH-075E:B TR IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
MT40A512M8RH-083E IT:B TR IC DRAM 4GBIT PAR 1.2GHZ 78FBGA
MT40A1G4RH-075E:B TR IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
MT40A512M8RH-075E AAT:B TR IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
MT40A512M8RH-075E AIT:B TR IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
MT40A512M8RH-083E AIT:B IC DRAM 4GBIT PAR 1.2GHZ 78FBGA
MT40A512M8RH-083E AAT:B IC DRAM 4GBIT PAR 1.2GHZ 78FBGA
MT40A512M8RH-083E AUT:B IC DRAM 4GBIT PAR 1.2GHZ 78FBGA
MT40A512M8RH-083E AAT:B TR IC DRAM 4GBIT PAR 1.2GHZ 78FBGA
MT40A512M8RH-083E AIT:B TR IC DRAM 4GBIT PAR 1.2GHZ 78FBGA
MT40A512M8RH-083E AUT:B TR IC DRAM 4GBIT PAR 1.2GHZ 78FBGA
MT40A512M8RH-075E IT:B IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
MT40A1G4RH-075E:B IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
MT40A512M8RH-062E:B IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
MT40A512M8RH-075E AAT:B IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
MT40A512M8RH-075E AIT:B IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
MT40A512M8RH-075E AUT:B IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
MT40A512M8RH-075E:B IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
MT40A1G4RH-083E:B TR IC DRAM 4GBIT PAR 1.2GHZ 78FBGA
MT40A512M8RH-083E:B TR IC DRAM 4GBIT PAR 1.2GHZ 78FBGA
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Part Number Description
Produkt-Beschreibung

Einzelheiten zum Produkt

Beschreibung

Diese 1500-Watt-Verschiebungsspannungsschutzgeräte bieten Leistungsvermögen, das nur in größeren Paketen zu finden ist.Sie werden am häufigsten zum Schutz vor Übergangsströmen aus induzierenden Schaltumgebungen oder induzierten Sekundärblitzeffekten verwendet, wie sie in niedrigeren Überspannungsebenen von IEC61000-4-5 zu finden sind.Mit sehr schnellen Reaktionszeiten sind sie auch wirksam beim Schutz vor ESD oder EFT.Die Packungsmerkmale von Powermite® umfassen einen vollmetallischen Boden, der die Möglichkeit eines Einschlusses des Lötflusses während der Montage ausschließtSie bieten auch ein einzigartiges Schließfach, das als integrierter Wärmeschlauch fungiert.die parasitäre Induktivität wird minimiert, um Spannungsüberschreitungen bei schnellen Aufstiegszeit-Transienten zu reduzieren.

Eigenschaften

• Verpackung mit sehr niedrigem Profil (1.1 mm)
• Einheitliche Wärmeschlauchverschlüsse
• Kompatibel mit automatischen Einfügungseinrichtungen
• Der vollmetallische Boden verhindert, dass der Fluss eingeklemmt wird
• Spannungsbereich von 5 Volt bis 170 Volt
• Erhältlich in einer oder zwei Richtungen (C-Suffix für zwei Richtungen)

Höchste Ratings

• Betriebstemperatur: -55°C bis +150°C
• Lagertemperatur: -55°C bis +150°C
• 1500 Watt Spitzenimpulsleistung (10 / 1000 μsec)
• Vorwärtsströmung: 200 Ampere bei 8,3 ms (ohne bidirektionale)
• Wiederholungsschwellenquote (Zollfaktor): 0,01%
• Wärmewiderstand: 2,5°C/Watt Verbindung zu Tab 130°C/Watt Verbindung zu Umgebung mit empfohlenem Fußabdruck
• Blei- und Montage­Temperatur: 260°C für 10 Sekunden

Anwendungen / Vorteile

• Sekundärblitzschutz
• Induktionsschaltvorgangsschutz
• Kleiner Fußabdruck
• Sehr geringe parasitäre Induktivität für minimale Spannungsüberschreitungen
• Konformität mit IEC61000-4-2 bzw. IEC61000-4-4 für den ESD- bzw. EFT-Schutz und IEC61000-4-5 für die hier definierten Überspannungswerte

Spezifikationen

Eigenschaft Attributivwert
Hersteller Micron Technologie Inc.
Produktkategorie Speicher-ICs
Reihe -
Verpackung Tray
Packungskoffer 78-TFBGA
Betriebstemperatur 0°C ~ 95°C (TC)
Schnittstelle Parallel
Spannungsversorgung 1.14 V ~ 1.26 V
Lieferant-Gerät-Verpackung Einheit für die Berechnung der Leistung der Maschine
Speicherkapazität 4G (1G x 4)
Speichertypen DDR4 SDRAM
Geschwindigkeit 18n
Format-Speicher Speicherplatz

Beschreibungen

SDRAM - DDR4-Speicher IC 4Gb (1G x 4) Parallel 1,2 GHz 78-FBGA (9x10.5)
DRAM-Chip DDR4 SDRAM 4Gbit 1Gx4 1,2 V 78-Pin FBGA