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MT40A1G4RH-083E:B IC DRAM 4GBIT PAR 1,2GHZ 78FBGA Micron Technology Inc.

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xProduktdetails
Gedächtnisart | Flüchtig | Gedächtnis-Format | D-RAM |
---|---|---|---|
Technologie | SDRAM - DDR4 | Speicherkapazität | 4Gbit |
Speicherorganisation | 1G x 4 | Gedächtnis-Schnittstelle | Parallel |
Taktfrequenz | 1,2 Gigahertz | Schreibzyklus-zeit- Wort, Seite | - |
Zugriffzeit | - | Spannung - Versorgung | 1.14V | 1.26V |
Betriebstemperatur | 0°C | 95°C (TC) | Typ der Montage | Oberflächenbefestigung |
Packung / Gehäuse | 78-TFBGA | Lieferanten-Gerätepaket | 78-FBGA (9x10.5) |
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Part Number | Description | |
---|---|---|
MT40A1G4RH-083E:B | IC DRAM 4GBIT PAR 1.2GHZ 78FBGA | |
MT41K512M8RH-107:E TR | IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA | |
MT41K512M8RH-125 AIT:E TR | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA | |
MT41K512M8RH-125 IT:E TR | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA | |
MT41K512M8RH-125 M:E TR | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA | |
MT41K512M8RH-125:E TR | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA | |
MT41K512M8RH-107 IT:E | IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA | |
MT41K512M8RH-107:E | IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA | |
MT41K512M8RH-125 AIT:E | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA | |
MT41K512M8RH-125 IT:E | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA | |
MT41K512M8RH-125 M:E | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA | |
MT41K512M8RH-125:E | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA | |
MT40A512M8RH-083E:B | IC DRAM 4GBIT PAR 1.2GHZ 78FBGA | |
MT41K512M8RH-125 V:E | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA | |
MT41K512M8RH-125 XIT:E | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA | |
MT41K512M8RH-125 AAT:E | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA | |
MT41K512M8RH-125 M AIT:E TR | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA | |
MT41K512M8RH-125 M AIT:E | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA | |
MT41K512M8RH-125 V:E TR | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA | |
MT41K512M8RH-125 XIT:E TR | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA | |
MT41K512M8RH-125 AAT:E TR | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA | |
MT40A512M8RH-062E:B TR | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA | |
MT40A512M8RH-075E AUT:B TR | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA | |
MT40A512M8RH-075E IT:B TR | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA | |
MT40A512M8RH-075E:B TR | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA | |
MT40A512M8RH-083E IT:B TR | IC DRAM 4GBIT PAR 1.2GHZ 78FBGA | |
MT40A1G4RH-075E:B TR | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA | |
MT40A512M8RH-075E AAT:B TR | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA | |
MT40A512M8RH-075E AIT:B TR | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA | |
MT40A512M8RH-083E AIT:B | IC DRAM 4GBIT PAR 1.2GHZ 78FBGA | |
MT40A512M8RH-083E AAT:B | IC DRAM 4GBIT PAR 1.2GHZ 78FBGA | |
MT40A512M8RH-083E AUT:B | IC DRAM 4GBIT PAR 1.2GHZ 78FBGA | |
MT40A512M8RH-083E AAT:B TR | IC DRAM 4GBIT PAR 1.2GHZ 78FBGA | |
MT40A512M8RH-083E AIT:B TR | IC DRAM 4GBIT PAR 1.2GHZ 78FBGA | |
MT40A512M8RH-083E AUT:B TR | IC DRAM 4GBIT PAR 1.2GHZ 78FBGA | |
MT40A512M8RH-075E IT:B | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA | |
MT40A1G4RH-075E:B | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA | |
MT40A512M8RH-062E:B | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA | |
MT40A512M8RH-075E AAT:B | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA | |
MT40A512M8RH-075E AIT:B | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA | |
MT40A512M8RH-075E AUT:B | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA | |
MT40A512M8RH-075E:B | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA | |
MT40A1G4RH-083E:B TR | IC DRAM 4GBIT PAR 1.2GHZ 78FBGA | |
MT40A512M8RH-083E:B TR | IC DRAM 4GBIT PAR 1.2GHZ 78FBGA |
Produkt-Beschreibung
Einzelheiten zum Produkt
Beschreibung
Diese 1500-Watt-Verschiebungsspannungsschutzgeräte bieten Leistungsvermögen, das nur in größeren Paketen zu finden ist.Sie werden am häufigsten zum Schutz vor Übergangsströmen aus induzierenden Schaltumgebungen oder induzierten Sekundärblitzeffekten verwendet, wie sie in niedrigeren Überspannungsebenen von IEC61000-4-5 zu finden sind.Mit sehr schnellen Reaktionszeiten sind sie auch wirksam beim Schutz vor ESD oder EFT.Die Packungsmerkmale von Powermite® umfassen einen vollmetallischen Boden, der die Möglichkeit eines Einschlusses des Lötflusses während der Montage ausschließtSie bieten auch ein einzigartiges Schließfach, das als integrierter Wärmeschlauch fungiert.die parasitäre Induktivität wird minimiert, um Spannungsüberschreitungen bei schnellen Aufstiegszeit-Transienten zu reduzieren.
Eigenschaften
• Verpackung mit sehr niedrigem Profil (1.1 mm)• Einheitliche Wärmeschlauchverschlüsse
• Kompatibel mit automatischen Einfügungseinrichtungen
• Der vollmetallische Boden verhindert, dass der Fluss eingeklemmt wird
• Spannungsbereich von 5 Volt bis 170 Volt
• Erhältlich in einer oder zwei Richtungen (C-Suffix für zwei Richtungen)
Höchste Ratings
• Betriebstemperatur: -55°C bis +150°C• Lagertemperatur: -55°C bis +150°C
• 1500 Watt Spitzenimpulsleistung (10 / 1000 μsec)
• Vorwärtsströmung: 200 Ampere bei 8,3 ms (ohne bidirektionale)
• Wiederholungsschwellenquote (Zollfaktor): 0,01%
• Wärmewiderstand: 2,5°C/Watt Verbindung zu Tab 130°C/Watt Verbindung zu Umgebung mit empfohlenem Fußabdruck
• Blei- und MontageTemperatur: 260°C für 10 Sekunden
Anwendungen / Vorteile
• Sekundärblitzschutz• Induktionsschaltvorgangsschutz
• Kleiner Fußabdruck
• Sehr geringe parasitäre Induktivität für minimale Spannungsüberschreitungen
• Konformität mit IEC61000-4-2 bzw. IEC61000-4-4 für den ESD- bzw. EFT-Schutz und IEC61000-4-5 für die hier definierten Überspannungswerte
Spezifikationen
Eigenschaft | Attributivwert |
---|---|
Hersteller | Micron Technologie Inc. |
Produktkategorie | Speicher-ICs |
Reihe | - |
Verpackung | Tray |
Packungskoffer | 78-TFBGA |
Betriebstemperatur | 0°C ~ 95°C (TC) |
Schnittstelle | Parallel |
Spannungsversorgung | 1.14 V ~ 1.26 V |
Lieferant-Gerät-Verpackung | Einheit für die Berechnung der Leistung der Maschine |
Speicherkapazität | 4G (1G x 4) |
Speichertypen | DDR4 SDRAM |
Geschwindigkeit | 18n |
Format-Speicher | Speicherplatz |
Beschreibungen
SDRAM - DDR4-Speicher IC 4Gb (1G x 4) Parallel 1,2 GHz 78-FBGA (9x10.5)
DRAM-Chip DDR4 SDRAM 4Gbit 1Gx4 1,2 V 78-Pin FBGA
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