China MX29LV800CTXEI-70G IC FLASH 8MBIT PARALLEL 48LFBGA Macronix

MX29LV800CTXEI-70G IC FLASH 8MBIT PARALLEL 48LFBGA Macronix

Gedächtnisart: Permanent
Gedächtnis-Format: BLITZ
Technologie: BLITZ - NOCH
China FM18W08-SG IC FRAM 256KBIT PARALLEL 28SOIC Infineon Technologies

FM18W08-SG IC FRAM 256KBIT PARALLEL 28SOIC Infineon Technologies

Gedächtnisart: Permanent
Gedächtnis-Format: FRAM
Technologie: FRAM (Ferroelectric RAM)
China MX29GL256FHXFI-90Q IC FLSH 256MBIT PARALLEL 64LFBGA Macronix

MX29GL256FHXFI-90Q IC FLSH 256MBIT PARALLEL 64LFBGA Macronix

Gedächtnisart: Permanent
Gedächtnis-Format: BLITZ
Technologie: BLITZ - NOCH
China MX25R4035FZUIL0 IC FLASH 4MBIT SPI/QUAD 8USON Macronix

MX25R4035FZUIL0 IC FLASH 4MBIT SPI/QUAD 8USON Macronix

Gedächtnisart: Permanent
Gedächtnis-Format: BLITZ
Technologie: BLITZ - NOCH
China X28HC64JIZ-12 IC EEPROM 64KBIT PARALLEEL 32PLCC Renesas Electronics America Inc. (auch bekannt als Renesas)

X28HC64JIZ-12 IC EEPROM 64KBIT PARALLEEL 32PLCC Renesas Electronics America Inc. (auch bekannt als Renesas)

Gedächtnisart: Permanent
Gedächtnis-Format: EEPROM
Technologie: EEPROM
China S29GL512S10GHI020 IC FLASH 512MBIT PARALLEL 56FBGA Infineon Technologies

S29GL512S10GHI020 IC FLASH 512MBIT PARALLEL 56FBGA Infineon Technologies

Gedächtnisart: Permanent
Gedächtnis-Format: BLITZ
Technologie: BLITZ - NOCH
China M95640-DFDW6TP IC EEPROM 64KBIT SPI 8TSSOP STMikroelektronik

M95640-DFDW6TP IC EEPROM 64KBIT SPI 8TSSOP STMikroelektronik

Gedächtnisart: Permanent
Gedächtnis-Format: EEPROM
Technologie: EEPROM
China AS7C256A-12JCN IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOJ Alliance Memory, Inc. Die Daten werden von der AS7C256A-12JCN IC SRAM-Lösung übertragen.

AS7C256A-12JCN IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOJ Alliance Memory, Inc. Die Daten werden von der AS7C256A-12JCN IC SRAM-Lösung übertragen.

Gedächtnisart: Flüchtig
Gedächtnis-Format: SRAM
Technologie: SRAM - Asynchron
China CAT34C02VP2IGT4A IC EEPROM 2KBIT I2C 400KHZ 8TDFN auf halb

CAT34C02VP2IGT4A IC EEPROM 2KBIT I2C 400KHZ 8TDFN auf halb

Gedächtnisart: Permanent
Gedächtnis-Format: EEPROM
Technologie: EEPROM
China DS1270Y-70# IC NVSRAM 16MBIT PARALLEL 36EDIP Analog Devices Inc./Maxim Integrated

DS1270Y-70# IC NVSRAM 16MBIT PARALLEL 36EDIP Analog Devices Inc./Maxim Integrated

Gedächtnisart: Permanent
Gedächtnis-Format: NVSRAM
Technologie: NVSRAM (permanentes SRAM)
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