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AS7C256A-12JCN IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOJ Alliance Memory, Inc. Die Daten werden von der AS7C256A-12JCN IC SRAM-Lösung übertragen.

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xProduktdetails
Gedächtnisart | Flüchtig | Gedächtnis-Format | SRAM |
---|---|---|---|
Technologie | SRAM - Asynchron | Speicherkapazität | 256Kbit |
Speicherorganisation | 32K x 8 | Gedächtnis-Schnittstelle | Parallel |
Taktfrequenz | - | Schreibzyklus-zeit- Wort, Seite | 12ns |
Zugriffzeit | 12 ns | Spannung - Versorgung | 4.5V ~ 5.5V |
Betriebstemperatur | 0°C bis 70°C (TA) | Typ der Montage | Oberflächenbefestigung |
Packung / Gehäuse | 28-BSOJ (0,300", 7,62 mm Breite) | Lieferanten-Gerätepaket | 28-SOJ |
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Part Number | Description | |
---|---|---|
AS7C256A-12JCN | IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOJ | |
AS7C256A-10JCN | IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOJ | |
AS7C3256A-12JCN | IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOJ | |
AS7C3256A-10JCN | IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOJ | |
AS7C256A-10JCNTR | IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOJ | |
AS7C256A-12JCNTR | IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOJ | |
AS7C256A-15JCNTR | IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOJ | |
AS7C3256A-10JCNTR | IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOJ | |
AS7C3256A-10JINTR | IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOJ | |
AS7C3256A-12JCNTR | IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOJ | |
AS7C3256A-15JCNTR | IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOJ | |
AS7C256A-15JCN | IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOJ | |
AS7C3256A-15JCN | IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOJ | |
AS7C3256A-15JINTR | IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOJ | |
AS7C3256A-20JCNTR | IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOJ | |
AS7C3256A-10JIN | IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOJ | |
AS7C3256A-12JIN | IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOJ | |
AS7C3256A-15JIN | IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOJ | |
AS7C3256A-20JCN | IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOJ | |
AS7C256A-10JINTR | IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOJ | |
AS7C256A-12JINTR | IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOJ | |
AS7C256A-15JINTR | IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOJ | |
AS7C256A-20JCNTR | IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOJ | |
AS7C3256A-12JINTR | IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOJ | |
AS7C3256A-20JINTR | IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOJ | |
AS7C256A-10JIN | IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOJ | |
AS7C256A-12JIN | IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOJ | |
AS7C256A-15JIN | IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOJ | |
AS7C256A-20JCN | IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOJ | |
AS7C256A-20JINTR | IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOJ | |
AS7C3256A-20JIN | IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOJ | |
AS7C164A-15JCNTR | IC SRAM 64KBIT PARALLEL 28SOJ | |
AS7C256A-20JIN | IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOJ | |
AS7C164A-15JCN | IC SRAM 64KBIT PARALLEL 28SOJ | |
AS7C256B-15JIN | IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOJ |
Produkt-Beschreibung
Einzelheiten zum Produkt
Funktionsbeschreibung
Der AS7C256A ist ein 5,0-Volt-Hochleistungs-CMOS 262,144-Bit-statischer Random-Access-Speicher (SRAM), der als 32.768 Wörter × 8 Bits organisiert ist.Es ist für Speicheranwendungen konzipiert, die einen schnellen Datenzugriff bei geringer Spannung erfordernDie fortschrittlichen Schaltkreisentwürfe und Prozesstechniken der Alliance ermöglichen einen Betrieb mit 5,0 V, ohne Leistung oder Betriebsmargen zu beeinträchtigen.
Eigenschaften
• Pinn kompatibel mit AS7C256• industrielle und kommerzielle Temperaturoptionen
• Organisation: 32.768 Wörter × 8 Bits
• Hochgeschwindigkeit
- 10/12/15/20 ns Adresszugangszeit
- 5, 6, 7, 8 ns Ausgang ermöglichen Zugangszeit
• Sehr geringer Stromverbrauch: ACTIVE
- 412,5 mW max @ 10 ns
• Sehr geringer Stromverbrauch: STANDBY
- maximal 11 mW CMOS E/A
• Einfache Speichererweiterung mit CE- und OE-Eingängen
• TTL-kompatible, dreistufige E/A
• 28-Pin-JEDEC-Standardpakete
- 300 Mio. SOJ
- 8 × 13,4 mm TSOP 1
• ESD-Schutz ≥ 2000 Volt
• Anschlussstrom ≥ 200 mA
• 2,0 V Datenspeicherung
Spezifikationen
Eigenschaft | Attributivwert |
---|---|
Hersteller | Alliance Memory, Inc. |
Produktkategorie | Speicher-ICs |
Reihe | - |
Verpackung | Rohrverpackung |
Packungskoffer | 28-BSOJ (0,300", Breite 7,62 mm) |
Betriebstemperatur | 0°C bis 70°C (TA) |
Schnittstelle | Parallel |
Spannungsversorgung | 4.5 V ~ 5.5 V |
Lieferant-Gerät-Verpackung | 28-SOJ |
Speicherkapazität | 256K (32K x 8) |
Speichertypen | SRAM - Asynchron |
Geschwindigkeit | 12 ns |
Format-Speicher | Speicherplatz |
Hersteller Teil# | Beschreibung | Hersteller | Vergleich |
PDM41256LB12SO Gedächtnis |
Standard-SRAM, 32KX8, 12ns, CMOS, PDSO28 | IXYS Corporation | AS7C256A-12JCN gegen PDM41256LB12SO |
K6E0808C1E-JC12 Gedächtnis |
Standard-SRAM, 32KX8, 12ns, CMOS, PDSO28, 0,300 INCH, aus Kunststoff, SOJ-28 | Samsung Halbleiter | AS7C256A-12JCN gegen K6E0808C1E-JC12 |
AS7C256A-12JCN Gedächtnis |
Standard-SRAM, 32KX8, 12ns, CMOS, PDSO28, 0,300 Zoll, ohne Blei, aus Kunststoff, SOJ-28 | Alliance Memory Inc. | Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht für die Berechnung der Verbrennungsmengen. |
Einheit für die Berechnung der Werte für die Berechnung der Werte für die Berechnung der Werte für die Berechnung der Werte Gedächtnis |
Standard-SRAM, 32KX8, 12ns, CMOS, PDSO28, 0,300 INCH, aus Kunststoff, SOJ-28 | Alliance Memory Inc. | Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten für die in Absatz 1 genannten Fahrzeuge. |
K6E0808C1C-JC12 Gedächtnis |
Standard-SRAM, 32KX8, 12ns, CMOS, PDSO28, 0,300 INCH, aus Kunststoff, SOJ-28 | Samsung Halbleiter | AS7C256A-12JCN gegen K6E0808C1C-JC12 |
KM68257EJ-12 Gedächtnis |
Standard-SRAM, 32KX8, 12ns, CMOS, PDSO28, 0,300 INCH, aus Kunststoff, SOJ-28 | Samsung Halbleiter | AS7C256A-12JCN gegen KM68257EJ-12 |
KM68257CJ-12 Gedächtnis |
Standard-SRAM, 32KX8, 12ns, CMOS, PDSO28, 0,300 INCH, aus Kunststoff, SOJ-28 | Samsung Halbleiter | AS7C256A-12JCN gegen KM68257CJ-12 |
Beschreibungen
SRAM - Asynchrone Speicher IC 256Kb (32K x 8) Parallel 12ns 28-SOJ
SRAM 256K, 5V, 12ns, FAST 32K x 8 Asynchronous SRAM
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