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FM18W08-SG IC FRAM 256KBIT PARALLEL 28SOIC Infineon Technologies

  • FM18W08-SG IC FRAM 256KBIT PARALLEL 28SOIC Infineon Technologies
Markenname Infineon Technologies
Modellnummer FM18W08-SG
Min Bestellmenge 1
Preis Based on current price
Verpackung Informationen Anti-statische Tasche und Karton
Lieferzeit 3-5 Arbeitstage
Zahlungsbedingungen T/T
Versorgungsmaterial-Fähigkeit Vorräte

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Produktdetails
Gedächtnisart Permanent Gedächtnis-Format FRAM
Technologie FRAM (Ferroelectric RAM) Speicherkapazität 256Kbit
Speicherorganisation 32K x 8 Gedächtnis-Schnittstelle Parallel
Taktfrequenz - Schreibzyklus-zeit- Wort, Seite 130ns
Zugriffzeit - Spannung - Versorgung 2.7V | 5.5V
Betriebstemperatur -40 °C bis 85 °C (TA) Typ der Montage Oberflächenbefestigung
Packung / Gehäuse 28 SOIC (0,295", 7,50 mm Breite) Lieferanten-Gerätepaket 28-SOIC
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Part Number Description
FM18W08-SG IC FRAM 256KBIT PARALLEL 28SOIC
FM28V020-SG IC FRAM 256KBIT PARALLEL 28SOIC
STK15C88-NF45 IC NVSRAM 256KBIT PAR 28SOIC
FM18W08-SG FRAM (FERROELECTRIC RAM) MEMORY
STK11C88-NF25I IC NVSRAM 256KBIT PAR 28SOIC
CY22E016L-SZ45XC IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 28SOIC
CY22E016L-SZ35XC IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 28SOIC
CY22E016L-SZ35XI IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 28SOIC
CY22E016L-SZ45XI IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 28SOIC
STK11C88-NF25ITR IC NVSRAM 256KBIT PAR 28SOIC
STK11C88-NF25TR IC NVSRAM 256KBIT PAR 28SOIC
STK11C88-NF45ITR IC NVSRAM 256KBIT PAR 28SOIC
STK11C88-NF45TR IC NVSRAM 256KBIT PAR 28SOIC
STK15C88-NF25ITR IC NVSRAM 256KBIT PAR 28SOIC
STK15C88-NF25TR IC NVSRAM 256KBIT PAR 28SOIC
STK15C88-NF45I IC NVSRAM 256KBIT PAR 28SOIC
STK15C88-NF45ITR IC NVSRAM 256KBIT PAR 28SOIC
STK15C88-NF45TR IC NVSRAM 256KBIT PAR 28SOIC
STK22C48-NF25ITR IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 28SOIC
STK22C48-NF25TR IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 28SOIC
STK22C48-NF45 IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 28SOIC
STK22C48-NF45ITR IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 28SOIC
STK22C48-NF45TR IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 28SOIC
STK11C88-NF25 IC NVSRAM 256KBIT PAR 28SOIC
STK11C88-NF45 IC NVSRAM 256KBIT PAR 28SOIC
STK11C88-NF45I IC NVSRAM 256KBIT PAR 28SOIC
STK15C88-NF25 IC NVSRAM 256KBIT PAR 28SOIC
STK15C88-NF25I IC NVSRAM 256KBIT PAR 28SOIC
STK15C88-NF45 IC NVSRAM 256KBIT PAR 28SOIC
STK22C48-NF25 IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 28SOIC
STK22C48-NF25I IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 28SOIC
STK22C48-NF45I IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 28SOIC
CY7C199D-25SXE IC SRAM 256K PARALLEL 28SOIC
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Part Number Description
Produkt-Beschreibung

Einzelheiten zum Produkt

Spannungsbereich 1000 bis 1800 Volt Strom 1,0 Ampere

Eigenschaften

* Schnell wechseln
* Niedrige Leckage
* Niedriger Vorwärtsspannungsabfall
* Hochstromfähigkeit
* hoher Wechselkursanstieg
* Hohe Zuverlässigkeit

Spezifikationen

Eigenschaft Attributivwert
Hersteller Zypress Halbleiter
Produktkategorie Speicher-ICs
Reihe F-RAMTM
Verpackung Rohrverpackung
Einheitsgewicht 0.078125 Unzen
Montage-Stil SMD/SMT
Betriebstemperaturbereich - 40 ° C bis + 85 ° C
Packungskoffer 28 SOIC (0,295", 7,50 mm Breite)
Betriebstemperatur -40 °C bis 85 °C (TA)
Schnittstelle Parallel
Spannungsversorgung 2.7 V ~ 5,5 V
Lieferant-Gerät-Verpackung 28-SOIC
Speicherkapazität 256K (32K x 8)
Speichertypen FRAM (Ferroelektrische RAM)
Geschwindigkeit 70 ns
Zugriffszeit 70 ns
Format-Speicher Speicherplatz
Höchstbetriebstemperatur + 85 °C
Betriebstemperaturbereich - 40 °C
Betriebsspannung 3.3 V
Schnittstellentyp Parallel
Organisation 32 k x 8
Versorgungsspannung 5.5 V
Versorgungsspannung-Min 2.7 V
Packungskoffer Der Ausdruck "SOIC-28"

Funktionell kompatible Komponente

Form,Verpackung,funktional kompatible Komponente

Hersteller Teil# Beschreibung Hersteller Vergleich
Die Kommission wird die folgenden Maßnahmen ergreifen:
Gedächtnis		 Speicherschaltkreis, 32KX8, CMOS, PDSO28, GREEN, MS-013AE, SOIC-28 Zypress Halbleiter Die Kommission hat die Kommission aufgefordert, die in den Artikeln 4 und 5 der Verordnung (EG) Nr. 45/2001 festgelegten Bedingungen zu erfüllen.
FM28V100-TGTR
Gedächtnis		 Speicherschaltkreis, 128KX8, CMOS, PDSO32, TSOP1-32 Zypress Halbleiter Die Kommission hat die Kommission aufgefordert, die in den Artikeln 4 und 5 der Verordnung (EG) Nr. 882/2004 vorgesehenen Maßnahmen zu prüfen.
Die in Absatz 1 genannten Angaben sind zu beachten.
Gedächtnis		 Speicherschaltkreis, 32KX8, CMOS, PDIP28, GREEN, MS-011, DIP-28 Ramtron International Corporation Das ist der Fall, wenn die Angabe des Verbrauchers nicht erfüllt ist.
Die in Absatz 1 genannte Nummer gilt nicht.
Gedächtnis		 Speicherschaltkreis, 64KX8, CMOS, PDSO8, SOIC-8 Zypress Halbleiter Das System wird von einem anderen System ausgerüstet.
Die Daten werden in der Liste aufgeführt.
Gedächtnis		 Speicherschaltkreis, 128KX8, CMOS, PDSO32, TSOP1-32 Zypress Halbleiter Das ist der Fall, wenn die Anzeige der Anzeige nicht erfüllt ist.
Die in Absatz 1 genannte Nummer gilt nicht.
Gedächtnis		 Speicherschaltkreis, 8KX8, CMOS, PDSO28, GREEN, MS-013AE, SOIC-28 Zypress Halbleiter Das ist der Fall, wenn der Anschluss an den Anschluss an den Anschluss an den Anschluss an den Anschluss ist.
Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht.
Gedächtnis		 Speicherschaltkreis, 64KX8, CMOS, PDSO8, SOIC-8 Zypress Halbleiter Das ist der Fall, wenn der Verbraucher nicht mehr in der Lage ist, das Produkt zu kaufen.
Die in Absatz 1 genannte Nummer gilt nicht.
Gedächtnis		 Speicherschaltkreis, 32KX8, CMOS, PDSO28, MS-013AE, SOIC-28 Ramtron International Corporation Das System wird von einem anderen System ausgerüstet.
Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Angaben sind zu beachten.
Gedächtnis		 Speicherschaltkreis, 32KX8, CMOS, PDSO28, GREEN, MS-013DAE, SOIC-28 Ramtron International Corporation Das ist der Fall, wenn der Anschluss an den Anschluss an den Anschluss an den Anschluss an den Anschluss ist.

Beschreibungen

FRAM (Ferroelectric RAM) Speicher IC 256Kb (32K x 8) Parallel 28-SOIC
FRAM 256Kbit Parallel 3,3-Volt 28-Pin SOIC-Rohr
F-RAM 256Kb 70ns 32K x 8 Parallel FRAM
Umbauten:

Stabiler Flash-Speicher IC

Flash-Speicher IC nicht flüchtig

SPI-Flash-Speicher IC