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DS1270Y-70# IC NVSRAM 16MBIT PARALLEL 36EDIP Analog Devices Inc./Maxim Integrated
| Markenname | Analog Devices Inc./Maxim Integrated |
|---|---|
| Modellnummer | DS1270Y-70# |
| Min Bestellmenge | 1 |
| Preis | Based on current price |
| Verpackung Informationen | Anti-statische Tasche und Karton |
| Lieferzeit | 3-5 Arbeitstage |
| Zahlungsbedingungen | T/T |
| Versorgungsmaterial-Fähigkeit | Vorräte |
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xProduktdetails
| Gedächtnisart | Permanent | Gedächtnis-Format | NVSRAM |
|---|---|---|---|
| Technologie | NVSRAM (permanentes SRAM) | Speicherkapazität | 16Mbit |
| Speicherorganisation | 2M x 8 | Gedächtnis-Schnittstelle | Parallel |
| Taktfrequenz | - | Schreibzyklus-zeit- Wort, Seite | 70ns |
| Zugriffzeit | 70 ns | Spannung - Versorgung | 4.5V ~ 5.5V |
| Betriebstemperatur | 0°C bis 70°C (TA) | Typ der Montage | Durchs Loch |
| Packung / Gehäuse | 36-DIP-Modul (0,610", 15,49 mm) | Lieferanten-Gerätepaket | 36-EDIP |
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| Part Number | Description | |
|---|---|---|
| DS1270Y-70# | IC NVSRAM 16MBIT PARALLEL 36EDIP | |
| DS1265Y-70+ | IC NVSRAM 8MBIT PARALLEL 36EDIP | |
| DS1265AB-100+ | IC NVSRAM 8MBIT PARALLEL 36EDIP | |
| DS1265Y-70IND+ | IC NVSRAM 8MBIT PARALLEL 36EDIP | |
| DS1265AB-70IND+ | IC NVSRAM 8MBIT PARALLEL 36EDIP | |
| DS1270Y-70IND# | IC NVSRAM 16MBIT PARALLEL 36EDIP | |
| DS1270AB-100# | IC NVSRAM 16MBIT PARALLEL 36EDIP | |
| DS1265Y-100 | IC NVSRAM 8MBIT PARALLEL 36EDIP | |
| DS1265AB-100 | IC NVSRAM 8MBIT PARALLEL 36EDIP | |
| DS1265W-150 | IC NVSRAM 8MBIT PARALLEL 36EDIP | |
| DS1265W-100 | IC NVSRAM 8MBIT PARALLEL 36EDIP | |
| DS1265AB-70 | IC NVSRAM 8MBIT PARALLEL 36EDIP | |
| DS1265Y-70 | IC NVSRAM 8MBIT PARALLEL 36EDIP | |
| DS1265Y-70IND | IC NVSRAM 8MBIT PARALLEL 36EDIP | |
| DS1265AB-70IND | IC NVSRAM 8MBIT PARALLEL 36EDIP | |
| DS1270Y-100 | IC NVSRAM 16MBIT PARALLEL 36EDIP | |
| DS1270W-150 | IC NVSRAM 16MBIT PARALLEL 36EDIP | |
| DS1270AB-100 | IC NVSRAM 16MBIT PARALLEL 36EDIP | |
| DS1270AB-70 | IC NVSRAM 16MBIT PARALLEL 36EDIP | |
| DS1270Y-70 | IC NVSRAM 16MBIT PARALLEL 36EDIP | |
| DS1270W-100 | IC NVSRAM 16MBIT PARALLEL 36EDIP | |
| DS1270AB-70IND | IC NVSRAM 16MBIT PARALLEL 36EDIP | |
| DS1270Y-70IND | IC NVSRAM 16MBIT PARALLEL 36EDIP | |
| DS1265W-100IND | IC NVSRAM 8MBIT PARALLEL 36EDIP | |
| DS1270W-100IND | IC NVSRAM 16MBIT PARALLEL 36EDIP | |
| DS1265W-100IND+ | IC NVSRAM 8MBIT PARALLEL 36EDIP | |
| DS1270AB-70# | IC NVSRAM 16MBIT PARALLEL 36EDIP | |
| DS1270W-100IND# | IC NVSRAM 16MBIT PARALLEL 36EDIP | |
| DS1270W-100# | IC NVSRAM 16MBIT PARALLEL 36EDIP | |
| DS1270W-150# | IC NVSRAM 16MBIT PARALLEL 36EDIP | |
| DS1270Y-100# | IC NVSRAM 16MBIT PARALLEL 36EDIP | |
| DS1265W-100+ | IC NVSRAM 8MBIT PARALLEL 36EDIP | |
| DS1265AB-70+ | IC NVSRAM 8MBIT PARALLEL 36EDIP | |
| DS1270AB-70IND# | IC NVSRAM 16MBIT PARALLEL 36EDIP | |
| DS1265W-150+ | IC NVSRAM 8MBIT PARALLEL 36EDIP |
Produkt-Beschreibung
Einzelheiten zum Produkt
Beschreibung
Die DS1270 16M Nonvolatile SRAMs sind 16,777,216-Bit, vollständig statische, nichtflüchtige SRAMs, organisiert in 2,097Jedes NV SRAM verfügt über eine eigenständige Lithium-Energiequelle und eine Steuerungsschaltung, die VCC ständig auf einen außerhalb der Toleranz liegenden Zustand überwacht.Die Lithium-Energiequelle wird automatisch eingeschaltet und der Schreibschutz ist bedingungslos aktiviert, um Datenkorruption zu verhindern.Es gibt keine Begrenzung der Anzahl der ausführbaren Schreibzyklen und keine zusätzlichen Unterstützungsschaltkreise sind für die Mikroprozessor-Schnittstelle erforderlich.
Eigenschaften
5 Jahre Mindestdatenspeicherung bei Abwesenheit einer externen StromversorgungDaten werden automatisch bei Stromausfall geschützt
Unbegrenzte Schreibzyklen
CMOS-Betrieb mit geringer Leistung
Lese- und Schreibzugangszeiten von bis zu 70 ns
Lithium-Energiequelle ist elektrisch abgeschaltet, um Frische zu behalten, bis Strom zum ersten Mal angewendet wird
Vollständiger ±10% VCC-Betriebsbereich (DS1270Y)
Optional ±5% VCC-Betriebsbereich (DS1270AB)
Optionale industrielle Temperaturbereiche von -40 °C bis +85 °C mit der Bezeichnung IND
Spezifikationen
| Eigenschaft | Attributivwert |
|---|---|
| Hersteller | Maxim integriert |
| Produktkategorie | Speicher-ICs |
| Reihe | DS1270Y |
| Verpackung | Schlauch |
| Montage-Stil | Durchs Loch |
| Betriebstemperaturbereich | - 40 ° C bis + 85 ° C |
| Packungskoffer | 36-DIP-Modul (0,600", 15,24 mm) |
| Betriebstemperatur | 0°C bis 70°C (TA) |
| Schnittstelle | Parallel |
| Spannungsversorgung | 4.5 V ~ 5.5 V |
| Lieferant-Gerät-Verpackung | 36-EDIP |
| Speicherkapazität | 16M (2M x 8) |
| Speichertypen | NVSRAM (nicht flüchtige SRAM) |
| Geschwindigkeit | 70 ns |
| Zugriffszeit | 70 ns |
| Format-Speicher | Speicherplatz |
| Höchstbetriebstemperatur | + 85 °C |
| Betriebstemperaturbereich | - 40 °C |
| Betriebsversorgungsstrom | 85 mA |
| Teil-#-Alias | 90-1270Y#070 DS1270Y |
| Datenbusbreite | 8 Bit |
| Versorgungsspannung | 5.25 V |
| Versorgungsspannung-Min | 4.75 V |
| Packungskoffer | EDIP-36 |
Beschreibungen
NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Speicher IC 16Mb (2M x 8) Parallel 70ns 36-EDIP
NVRAM 16M NV SRAM
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