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MT29F4G08ABADAH4-IT:D TR IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63VFBGA Micron Technology Inc.
| Gedächtnisart: | Permanent |
|---|---|
| Gedächtnis-Format: | BLITZ |
| Technologie: | BLITZ - NAND |
SST25VF020B-80-4I-SAE-T IC FLASH 2MBIT SPI 80MHZ 8SOIC Mikrochip-Technologie
| Gedächtnisart: | Permanent |
|---|---|
| Gedächtnis-Format: | BLITZ |
| Technologie: | BLITZ |
M24C02-FMC6TG IC EEPROM 2KBIT I2C 8UFDFPN STMikroelektronik
| Gedächtnisart: | Permanent |
|---|---|
| Gedächtnis-Format: | EEPROM |
| Technologie: | EEPROM |
CY7C1464AV33-167BGI IC SRAM 36MBIT PAR 209FBGA Cypress Semiconductor Corp.
| Gedächtnisart: | Flüchtig |
|---|---|
| Gedächtnis-Format: | SRAM |
| Technologie: | SRAM - Synchron, SDR |
W949D2DBJX5I IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA Winbond Electronics
| Gedächtnisart: | Flüchtig |
|---|---|
| Gedächtnis-Format: | D-RAM |
| Technologie: | SDRAM - Bewegliches LPDDR |
NM93C06M8 IC EEPROM 256BIT MICROWIRE 8SOIC auf halb
| Gedächtnisart: | Permanent |
|---|---|
| Gedächtnis-Format: | EEPROM |
| Technologie: | EEPROM |
MT29C4G48MAZBBAKB-48 IT IC FLASH RAM 4GBIT PAR 168WFBGA Micron Technology Inc.
| Gedächtnisart: | Nichtflüchtig, flüchtig |
|---|---|
| Gedächtnis-Format: | BLITZ, RAM |
| Technologie: | FLASH - NAND, mobile LPDRAM |
IS43R16160F-6BLI IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA ISSI, integrierte Siliziumlösung Inc.
| Gedächtnisart: | Flüchtig |
|---|---|
| Gedächtnis-Format: | D-RAM |
| Technologie: | SDRAM-DDR |
MT44K16M36RB-107E:B TR IC DRAM 576MBIT PAR 168BGA Micron Technology Inc.
| Gedächtnisart: | Flüchtig |
|---|---|
| Gedächtnis-Format: | D-RAM |
| Technologie: | D-RAM |
MX25L2006EM1I-12G IC FLASH 2MBIT SPI 86MHZ 8SOP Macronix
| Gedächtnisart: | Permanent |
|---|---|
| Gedächtnis-Format: | BLITZ |
| Technologie: | BLITZ - NOCH |