IS43R16160F-6BLI IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA ISSI, integrierte Siliziumlösung Inc.

Eigenschaften

• Standardspannung: VDD und VDDQ = 1,5 V ± 0,075 V
• Niedrigspannung (L): VDD und VDDQ = 1,35 V + 0,1 V, -0,067 V
- Rückwärtskompatibel mit 1,5 V
• Hochgeschwindigkeitsdatenübertragungsraten mit einer Systemfrequenz von bis zu 933 MHz
• 8 interne Banken für den gleichzeitigen Betrieb
• 8n-Bit-Architektur vor dem Abrufen
• Programmierbare CAS-Latenz
• Programmierbare Additive Latenz: 0, CL-1, CL-2
• Programmierbare CAS WRITE-Latenz (CWL) auf Basis von tCK
• Programmierbare Ausbruchlänge: 4 und 8
• Programmierbare Ausbruchssequenz: Sequential oder Interleave
• BL-Schalter im Handumdrehen
• Automatische Selbsterneuerung (ASR)
• Selbstrefresh-Temperatur (SRT)
• Erneuerungszeitraum:
7.8 us (8192 Zyklen/64 ms) Tc= -40°C bis 85°C
3.9 us (8192 Zyklen/32 ms) Tc= 85°C bis 105°C
• Teil-Array Selbsterneuerung
• Asynchrone Rücksetzspalte
• TDQS (Termination Data Strobe) unterstützt (nur x8)
• OCD (Off-Chip-Anpassung der Impedanz des Treibers)
• Dynamische ODT (On-Die Termination)
• Triebkraft: RZQ/7, RZQ/6 (RZQ = 240 Ω)
• Schreiben von Ebenen
• Bis zu 200 MHz im DLL-Ausgeschalteten Modus
• Betriebstemperatur:
Für den Handel (TC = 0°C bis +95°C)
Industrie (TC = -40 °C bis +95 °C)
Fahrzeugtechnik, A1 (TC = -40°C bis +95°C)
Fahrzeugtechnik, A2 (TC = -40°C bis +105°C)