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MT29C4G48MAZBBAKB-48 IT IC FLASH RAM 4GBIT PAR 168WFBGA Micron Technology Inc.
| Markenname | Micron Technology Inc. |
|---|---|
| Modellnummer | USE-Fahrzeug |
| Min Bestellmenge | 1 |
| Preis | Based on current price |
| Verpackung Informationen | Anti-statische Tasche und Karton |
| Lieferzeit | 3-5 Arbeitstage |
| Zahlungsbedingungen | T/T |
| Versorgungsmaterial-Fähigkeit | Vorräte |
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xProduktdetails
| Gedächtnisart | Nichtflüchtig, flüchtig | Gedächtnis-Format | BLITZ, RAM |
|---|---|---|---|
| Technologie | FLASH - NAND, mobile LPDRAM | Speicherkapazität | 4 Gbit (NAND), 2 Gbit (LPDRAM) |
| Speicherorganisation | 256 M x 16 (NAND), 128 M x 16 (LPDRAM) | Gedächtnis-Schnittstelle | Parallel |
| Taktfrequenz | 208 MHz | Schreibzyklus-zeit- Wort, Seite | - |
| Zugriffzeit | - | Spannung - Versorgung | 1.7V | 1.95V |
| Betriebstemperatur | -40 °C bis 85 °C (TA) | Typ der Montage | Oberflächenbefestigung |
| Packung / Gehäuse | 168-WFBGA | Lieferanten-Gerätepaket | 168-WFBGA (12x12) |
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| Part Number | Description | |
|---|---|---|
| MT29C4G48MAZBBAKB-48 IT TR | IC FLASH RAM 4GBIT PAR 168WFBGA | |
| MT29C4G48MAZBBAKB-48 IT | IC FLASH RAM 4GBIT PAR 168WFBGA | |
| MT46H128M32L2KQ-5 IT:A | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 168WFBGA | |
| MT46H64M32LFMA-6 IT:A | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 168WFBGA | |
| MT29C4G48MAZAPAKQ-5 IT | IC FLASH RAM 4GBIT PAR 168WFBGA | |
| MT46H64M32LFMA-5 IT:A | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 168WFBGA | |
| MT46H64M32LFMA-5 IT:A TR | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 168WFBGA | |
| MT29C4G48MAYBAAKQ-5 WT TR | IC FLASH RAM 4GBIT PAR 168WFBGA | |
| MT29C4G48MAZBAAKQ-5 WT TR | IC FLASH RAM 4GBIT PAR 168WFBGA | |
| MT46H128M32L2KQ-5 IT:B TR | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 168WFBGA | |
| MT46H128M32L2KQ-5 WT:B TR | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 168WFBGA | |
| MT46H128M32L2KQ-6 IT:B TR | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 168WFBGA | |
| MT46H128M32L2KQ-6 WT:B TR | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 168WFBGA | |
| MT46H32M32LFMA-5 IT:B TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 168WFBGA | |
| MT46H32M32LFMA-6 IT:B TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 168WFBGA | |
| MT46H64M32LFMA-5 IT:B TR | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 168WFBGA | |
| MT46H64M32LFMA-5 WT:B TR | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 168WFBGA | |
| MT46H64M32LFMA-6 IT:B TR | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 168WFBGA | |
| MT46H64M32LFMA-6 WT:B TR | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 168WFBGA | |
| MT29C4G48MAYBAAKQ-5 WT | IC FLASH RAM 4GBIT PAR 168WFBGA | |
| MT29C4G48MAZBAAKQ-5 WT | IC FLASH RAM 4GBIT PAR 168WFBGA | |
| MT46H128M32L2KQ-5 IT:B | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 168WFBGA | |
| MT46H128M32L2KQ-5 WT:B | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 168WFBGA | |
| MT46H128M32L2KQ-6 IT:B | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 168WFBGA | |
| MT46H128M32L2KQ-6 WT:B | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 168WFBGA | |
| MT46H32M32LFMA-5 IT:B | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 168WFBGA | |
| MT46H32M32LFMA-6 IT:B | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 168WFBGA | |
| MT46H64M32LFMA-5 IT:B | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 168WFBGA | |
| MT46H64M32LFMA-5 WT:B | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 168WFBGA | |
| MT46H64M32LFMA-6 IT:B | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 168WFBGA | |
| MT46H64M32LFMA-6 WT:B | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 168WFBGA | |
| MT29C4G96MAZBBCJG-48 IT | IC FLASH RAM 4GBIT PAR 168WFBGA | |
| MT29C4G96MAZBBCJG-48 IT TR | IC FLASH RAM 4GBIT PAR 168WFBGA | |
| MT46H128M32L2KQ-48 IT:C | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 168WFBGA | |
| MT46H128M32L2KQ-48 IT:C TR | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 168WFBGA | |
| MT46H128M32L2KQ-48 WT:C | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 168WFBGA | |
| MT46H128M32L2KQ-48 WT:C TR | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 168WFBGA | |
| EDB5432BEPA-1DAAT-F-R TR | IC DRAM 512MBIT PAR 168WFBGA | |
| MT42L16M32D1LG-25 AAT:A | IC DRAM 512MBIT PAR 168WFBGA | |
| MT42L16M32D1LG-25 FAAT:A | IC DRAM 512MBIT PAR 168WFBGA | |
| EDB2432BCPA-8D-F-D | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 168WFBGA | |
| EDB2432BCPE-8D-F-D | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 168WFBGA | |
| EDB5432BEPA-1DAAT-F-D | IC DRAM 512MBIT PAR 168WFBGA | |
| EDB5432BEPA-1DIT-F-D | IC DRAM 512MBIT PAR 168WFBGA | |
| EDBA232B2PF-1D-F-D | IC DRAM 16GBIT PAR 168FBGA | |
| EDB1332BDPA-1D-F-D | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 168WFBGA | |
| EDB5432BEPA-1DIT-F-R TR | IC DRAM 512MBIT PAR 168WFBGA | |
| EDBA232B2PF-1D-F-R TR | IC DRAM 16GBIT PAR 168FBGA | |
| EDB5432BEPA-1DIT-F-R | IC DRAM 512MBIT PAR 168WFBGA |
Produkt-Beschreibung
Einzelheiten zum Produkt
Allgemeine Beschreibung
Micron NAND Flash-Geräte verfügen über eine asynchrone Datenschnittstelle für Hochleistungs-E/A-Operationen.Es gibt fünf Steuerungssignale zur Implementierung der asynchronen Datenschnittstelle: CE#, CLE, ALE, WE# und RE#. Zusätzliche Signale steuern die Schreibschutz-Hardware und überwachen den Gerätestatus (R/B#).Diese Hardware-Schnittstelle erzeugt ein Gerät mit geringer Pinzahl mit einem Standard-Pinout, das von einer Dichte zur anderen gleich bleibt, was zukünftige Upgrades zu höheren Dichte-Bindungen ohne Neugestaltung des Boards ermöglicht.
Ein Ziel ist die Speichereinheit, auf die ein Chip-Aktivierungssignal zugreift.Ein NAND-Flash-Dei ist die minimale Einheit, die Befehle unabhängig voneinander ausführen und den Status melden kannEine NAND-Flash-Matrix wird in der ONFI-Spezifikation als logische Einheit (LUN) bezeichnet.siehe Organisation von Geräten und Arrays.
Dieses Gerät verfügt über einen internen 4-Bit-ECC, der mit den Funktionen GET/SET aktiviert werden kann.
Weitere Informationen finden Sie in den Abschnitten "Internal ECC and Reserve Area Mapping for ECC".
Eigenschaften
• Offene NAND-Flash-Schnittstelle (ONFI) 1.0-konform1• Technologie der Einzelzellen (SLC)
• Organisation
️ Seitengröße x8: 2112 Bytes (2048 + 64 Bytes)
Seite x16: 1056 Wörter (1024 + 32 Wörter)
Blockgröße: 64 Seiten (128K + 4K Bytes)
Flugzeuggröße: 2 Flugzeuge x 2048 Blöcke pro Flugzeug
¢ Gerätegröße: 4 GB: 4096 Blöcke; 8 GB: 8192 Blöcke 16 GB: 16.384 Blöcke
• Asynchrone E/A-Leistung
TRC/tWC: 20ns (3,3V), 25ns (1,8V)
• Leistung des Arrays
Lesen der Seite: 25μs 3
¢ Programmseite: 200 μs (Typ: 1,8 V, 3,3 V) 3
¢ Löschblock: 700 μs (TYP)
• Befehlssatz: ONFI NAND Flash-Protokoll
• Erweiterte Befehlssätze
¢ Cache-Modus der Programmseite4
Lesen des Cachemodus 4
Einmalprogrammierbarer (OTP) Modus
Befehle für zwei Ebenen 4
– Interleaved die (LUN) operations
– Read unique ID
️ Blockverschluss (nur 1,8 V)
– Internal data move
• Das Betriebszustand-Byte stellt eine Softwaremethode zur Erkennung
¢ Abschluss der Operation
– Pass/fail condition
️ Schreibschutzstatus
• Das Signal "Ready/Busy#" (R/B#) stellt eine Hardwaremethode zur Erkennung des Abschlusses der Operation bereit.
• WP#-Signal: Schreiben schützen das gesamte Gerät
• Der erste Block (Blockadresse 00h) ist gültig, wenn er von der Fabrik mit ECC ausgeliefert wird.
• Block 0 erfordert 1-Bit-ECC, wenn die Programm-/ERASE-Zyklen weniger als 1000 sind
• Reset (FFh) als erster Befehl nach dem Einschalten erforderlich
• Alternative Methode der Geräteinitialisierung (Nand_In it) nach dem Einschalten (Kontaktfabrik)
• Interne Datenbewegungsvorgänge innerhalb der Ebene, aus der Daten gelesen werden, werden unterstützt
• Qualität und Verlässlichkeit
Aufbewahrung der Daten: 10 Jahre
- Langlebigkeit: 100.000 Programm-/ Löschzyklen
• Betriebsspannungsbereich
¢ VCC: 2,7 ¢ 3,6 V
VCC: 1,7 V 1,95 V
• Betriebstemperatur:
️ Handelsgewerbe: 0°C bis +70°C
Industrie (IT): von 40 °C bis + 85 °C
• Paket
️ 48-Pin-TSOP-Typ 1, CPL2
- 63-Ball VFBGA
Spezifikationen
| Eigenschaft | Attributivwert |
|---|---|
| Hersteller | Micron Technologie Inc. |
| Produktkategorie | Speicher-ICs |
| Kategorie | PMIC - Strommanagement - Spezialisiert |
| Hersteller | Dioden eingebunden |
| Reihe | - |
| Teilstatus | Letztes Mal kaufen |
| Anwendungen | Heizungskontroller |
| Stromversorgung | - |
| Spannungsversorgung | 4 V ~ 5,5 V |
| Betriebstemperatur | -20 °C bis 85 °C (TA) |
Beschreibungen
FLASH - NAND, Mobile LPDRAM Speicher IC 4Gb (256M x 16) ((NAND), 2G (128M x 16) ((LPDRAM) Parallel 208MHz
NAND Flash und mobile LPDDR PoP
Empfohlene Produkte
