China GS8662QT19BGD-333I IC SRAM 72MBIT PARALLEL 165FPBGA GSI Technology Inc.

GS8662QT19BGD-333I IC SRAM 72MBIT PARALLEL 165FPBGA GSI Technology Inc.

Gedächtnisart: Flüchtig
Gedächtnis-Format: SRAM
Technologie: SRAM - Quad-Port, synchron
China BR24G02FV-3GTE2 IC EEPROM 2KBIT I2C 8SSOPB Rohm Halbleiter

BR24G02FV-3GTE2 IC EEPROM 2KBIT I2C 8SSOPB Rohm Halbleiter

Gedächtnisart: Permanent
Gedächtnis-Format: EEPROM
Technologie: EEPROM
China AS7C34098A-10JIN IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ Alliance Memory, Inc.

AS7C34098A-10JIN IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ Alliance Memory, Inc.

Gedächtnisart: Flüchtig
Gedächtnis-Format: SRAM
Technologie: SRAM - Asynchron
China IS61WV102416BLL-10TLI IC SRAM 16MBIT PARALLEL 48TSOP I ISSI, Integrierte Siliziumlösungen Inc.

IS61WV102416BLL-10TLI IC SRAM 16MBIT PARALLEL 48TSOP I ISSI, Integrierte Siliziumlösungen Inc.

Gedächtnisart: Flüchtig
Gedächtnis-Format: SRAM
Technologie: SRAM - Asynchron
China 70V657S10DRG IC SRAM 1.125MBIT PAR 208PQFP Renesas Electronics America Inc.

70V657S10DRG IC SRAM 1.125MBIT PAR 208PQFP Renesas Electronics America Inc.

Gedächtnisart: Flüchtig
Gedächtnis-Format: SRAM
Technologie: SRAM - Asynchrone Doppelanschlüsse
China W979H2KBVX2I IC DRAM 512MBIT PAR 134VFBGA Winbond Electronics

W979H2KBVX2I IC DRAM 512MBIT PAR 134VFBGA Winbond Electronics

Gedächtnisart: Flüchtig
Gedächtnis-Format: D-RAM
Technologie: SDRAM - mobile LPDDR2
China MX25V1635FZNI IC FLASH 16MBIT SPI/QUAD 8WSON Macronix

MX25V1635FZNI IC FLASH 16MBIT SPI/QUAD 8WSON Macronix

Gedächtnisart: Permanent
Gedächtnis-Format: BLITZ
Technologie: BLITZ - NOCH
China W25Q32JVTCIQ TR IC FLASH 32MBIT SPI/QUAD 24TFBGA Winbond Elektronik

W25Q32JVTCIQ TR IC FLASH 32MBIT SPI/QUAD 24TFBGA Winbond Elektronik

Gedächtnisart: Permanent
Gedächtnis-Format: BLITZ
Technologie: BLITZ - NOCH
China IS62C256AL-45ULI-TR IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOP ISSI, Integrierte Siliziumlösung Inc.

IS62C256AL-45ULI-TR IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOP ISSI, Integrierte Siliziumlösung Inc.

Gedächtnisart: Flüchtig
Gedächtnis-Format: SRAM
Technologie: SRAM - Asynchron
China CYD09S36V18-200BBXI IC SRAM 9MBIT PARALLEL 256FBGA Cypress Semiconductor Corp.

CYD09S36V18-200BBXI IC SRAM 9MBIT PARALLEL 256FBGA Cypress Semiconductor Corp.

Gedächtnisart: Flüchtig
Gedächtnis-Format: SRAM
Technologie: SRAM - Doppelport, synchron
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