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70V657S10DRG IC SRAM 1.125MBIT PAR 208PQFP Renesas Electronics America Inc.
| Markenname | Renesas Electronics America Inc |
|---|---|
| Modellnummer | 70V657S10DRG |
| Min Bestellmenge | 1 |
| Preis | Based on current price |
| Verpackung Informationen | Anti-statische Tasche und Karton |
| Lieferzeit | 3-5 Arbeitstage |
| Zahlungsbedingungen | T/T |
| Versorgungsmaterial-Fähigkeit | Vorräte |
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xProduktdetails
| Gedächtnisart | Flüchtig | Gedächtnis-Format | SRAM |
|---|---|---|---|
| Technologie | SRAM - Asynchrone Doppelanschlüsse | Speicherkapazität | 1.125Mbit |
| Speicherorganisation | 32K x 36 | Gedächtnis-Schnittstelle | Parallel |
| Taktfrequenz | - | Schreibzyklus-zeit- Wort, Seite | 10ns |
| Zugriffzeit | 10 ns | Spannung - Versorgung | 3,15 V ~ 3,45 V |
| Betriebstemperatur | 0°C bis 70°C (TA) | Typ der Montage | Oberflächenbefestigung |
| Packung / Gehäuse | 208-BFQFP | Lieferanten-Gerätepaket | 208-PQFP (28x28) |
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| Part Number | Description | |
|---|---|---|
| 70V657S10DRG | IC SRAM 1.125MBIT PAR 208PQFP | |
| 70V658S10DRG | IC SRAM 2MBIT PARALLEL 208PQFP | |
| 70V659S12DRGI | IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 208PQFP | |
| 70V659S12DRI | IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 208PQFP | |
| 70T3519S133DR | IC SRAM 9MBIT PARALLEL 208PQFP | |
| 70T3519S133DRI | IC SRAM 9MBIT PARALLEL 208PQFP | |
| 70T3519S166DR | IC SRAM 9MBIT PARALLEL 208PQFP | |
| 70T3589S133DR | IC SRAM 2MBIT PARALLEL 208PQFP | |
| 70T3589S133DRI | IC SRAM 2MBIT PARALLEL 208PQFP | |
| 70T3589S166DR | IC SRAM 2MBIT PARALLEL 208PQFP | |
| 70T3599S133DR | IC SRAM 4.5MBIT PAR 208PQFP | |
| 70T3599S166DR | IC SRAM 4.5MBIT PAR 208PQFP | |
| 70T651S10DR | IC SRAM 9MBIT PARALLEL 208PQFP | |
| 70T651S12DR | IC SRAM 9MBIT PARALLEL 208PQFP | |
| 70T651S12DRI | IC SRAM 9MBIT PARALLEL 208PQFP | |
| 70T651S15DR | IC SRAM 9MBIT PARALLEL 208PQFP | |
| 70T659S10DR | IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 208PQFP | |
| 70T659S12DR | IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 208PQFP | |
| 70T659S15DR | IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 208PQFP | |
| 70V3569S4DR | IC SRAM 576KBIT PARALLEL 208PQFP | |
| 70V3569S5DR | IC SRAM 576KBIT PARALLEL 208PQFP | |
| 70V3569S5DRI | IC SRAM 576KBIT PARALLEL 208PQFP | |
| 70V3569S6DR | IC SRAM 576KBIT PARALLEL 208PQFP | |
| 70V3579S4DR | IC SRAM 1.125MBIT PAR 208PQFP | |
| 70V3579S5DR | IC SRAM 1.125MBIT PAR 208PQFP | |
| 70V3579S5DRI | IC SRAM 1.125MBIT PAR 208PQFP | |
| 70V3579S6DR | IC SRAM 1.125MBIT PAR 208PQFP | |
| 70V3589S133DR | IC SRAM 2MBIT PARALLEL 208PQFP | |
| 70V3589S133DRI | IC SRAM 2MBIT PARALLEL 208PQFP | |
| 70V3589S166DR | IC SRAM 2MBIT PARALLEL 208PQFP | |
| 70V3589S166DRG | IC SRAM 2MBIT PARALLEL 208PQFP | |
| 70V3589S166DRG8 | IC SRAM 2MBIT PARALLEL 208PQFP | |
| 70V3599S133DR | IC SRAM 4.5MBIT PAR 208PQFP | |
| 70V3599S133DRI | IC SRAM 4.5MBIT PAR 208PQFP | |
| 70V3599S166DR | IC SRAM 4.5MBIT PAR 208PQFP | |
| 70V657S10DR | IC SRAM 1.125MBIT PAR 208PQFP | |
| 70V657S12DR | IC SRAM 1.125MBIT PAR 208PQFP | |
| 70V657S12DRI | IC SRAM 1.125MBIT PAR 208PQFP | |
| 70V657S15DR | IC SRAM 1.125MBIT PAR 208PQFP | |
| 70V658S10DR | IC SRAM 2MBIT PARALLEL 208PQFP | |
| 70V658S12DR | IC SRAM 2MBIT PARALLEL 208PQFP | |
| 70V658S12DRI | IC SRAM 2MBIT PARALLEL 208PQFP | |
| 70V658S15DR | IC SRAM 2MBIT PARALLEL 208PQFP | |
| 70V659S10DR | IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 208PQFP | |
| 70V659S12DR | IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 208PQFP | |
| 70V659S12DRGI8 | IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 208PQFP | |
| 70V659S15DR | IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 208PQFP | |
| 70V7519S133DR | IC SRAM 9MBIT PARALLEL 208PQFP | |
| 70V7519S133DRI | IC SRAM 9MBIT PARALLEL 208PQFP | |
| 70V7519S166DR | IC SRAM 9MBIT PARALLEL 208PQFP | |
| 70V7519S166DRI | IC SRAM 9MBIT PARALLEL 208PQFP | |
| 70V7599S133DR | IC SRAM 4.5MBIT PAR 208PQFP | |
| 70V7599S166DR | IC SRAM 4.5MBIT PAR 208PQFP | |
| 70V3589S133DRG | IC SRAM 2MBIT PARALLEL 208PQFP | |
| 70V3589S133DRG8 | IC SRAM 2MBIT PARALLEL 208PQFP | |
| 70V3589S133DRGI | IC SRAM 2MBIT PARALLEL 208PQFP | |
| 70V3589S133DRGI8 | IC SRAM 2MBIT PARALLEL 208PQFP | |
| 70V3599S133DRGI | IC SRAM 4.5MBIT PAR 208PQFP | |
| 70V657S10DRG8 | IC SRAM 1.125MBIT PAR 208PQFP |
Produkt-Beschreibung
Einzelheiten zum Produkt
Beschreibung
Der IDT70V659/58/57 ist ein Hochgeschwindigkeits-RAM mit 128/64/32K x 36 Asynchronen Dual-Port Static.Der IDT70V659/58/57 ist als eigenständiger 4/2/1Mbit Dual-Port-RAM oder als Kombination von MASTER/SLAVE Dual-Port-RAM für ein 72-Bit- oder mehr Wortsystem konzipiertDie Verwendung des IDT MASTERSLAVE Dual-Port-RAM-Ansatzes in 72-Bit- oder breiteren Speichersystemanwendungen führt zu einem vollen, fehlerfreien Betrieb ohne zusätzliche diskrete Logik.
Eigenschaften
◆ Wahre Dual-Port-Speicherzellen, die gleichzeitigen Zugriff auf denselben Speicherort ermöglichen◆ Hochgeschwindigkeitszugriff
Industrie: 12/15ns (max.)
◆ Dual-Chip-Aktivierung ermöglicht die Erweiterung der Tiefe ohne externe Logik
◆ IDT70V659/58/57 erweitert die Datenbusbreite leicht auf 72 Bits oder mehr, indem Sie die Master/Slave-Selection verwenden, wenn Sie mehr als ein Gerät kaskadieren
◆ M/S = VIH für BUSY-Ausgabe-Flag auf Master, M/S = VIL für BUSY-Eingabe auf Slave
◆ Beschäftigte und unterbrochene Fahnen
◆ Logik zur Schiedsrichterin am Chip
◆ Vollständige Hardware-Unterstützung der Semaphorsignalisierung zwischen den Ports auf dem Chip
◆ Vollständig asynchroner Betrieb von jedem Hafen aus
◆ Getrennte Byte-Steuerungen für die Kompatibilität von Multiplexed-Bus und Bus-Matching
◆ Unterstützt JTAG-Funktionen, die IEEE 1149 entsprechen.1
◆ LVTTL-kompatible, einmalige 3,3V (± 150mV) Stromversorgung für den Kern
◆ LVTTL-kompatible, wählbare 3,3V (± 150mV) /2,5V (± 100mV) Stromversorgung für I/O- und Steuersignale an jedem Port
◆ Erhältlich in einem 208-Pin-Flatpack aus Kunststoff, einem 208-Ball-Fine-Pitch-Ball-Grid-Array und einem 256-Ball-Ball-Grid-Array
◆ Für ausgewählte Drehzahlen ist ein industrieller Temperaturbereich (~40°C bis +85°C) verfügbar
Spezifikationen
| Eigenschaft | Attributivwert |
|---|---|
| Hersteller | Integrierte Schaltkreissysteme |
| Produktkategorie | Speicher-ICs |
| Reihe | 70V657 |
| Typ | Asynchron |
| Verpackung | Tray |
| Montage-Stil | SMD/SMT |
| Packungskoffer | 208-BFQFP |
| Betriebstemperatur | 0°C bis 70°C (TA) |
| Schnittstelle | Parallel |
| Spannungsversorgung | 3.15 V ~ 3.45 V |
| Lieferant-Gerät-Verpackung | 208-PQFP (28x28) |
| Speicherkapazität | 1.125M (32K x 36) |
| Speichertypen | SRAM - Asynchrone Doppelanschlüsse |
| Geschwindigkeit | 10n |
| Zugriffszeit | 10 ns |
| Format-Speicher | Speicherplatz |
| Höchstbetriebstemperatur | + 70 °C |
| Betriebstemperaturbereich | 0 C |
| Schnittstellentyp | Parallel |
| Organisation | 32 k x 36 |
| Versorgungsstrom maximal | 500 mA |
| Teil-#-Alias | 70V657 IDT70V657S10DRG |
| Versorgungsspannung | 3.45 V |
| Versorgungsspannung-Min | 3.15 V |
| Packungskoffer | PQFP-208 |
| Hersteller Teil# | Beschreibung | Hersteller | Vergleich |
| Die Daten sind in der Tabelle 1 aufgeführt. Gedächtnis |
Einheitliche Datenbank für die Bereitstellung von Daten über die Datenbank | Integrierte Gerätetechnologie Inc. | 70V657S10DRG gegen IDT70V657S10BFG |
| 70V657S10BFG Gedächtnis |
CABGA-208, Schachtel | Integrierte Gerätetechnologie Inc. | 70V657S10DRG gegen 70V657S10BFG |
| 70V657S10BFG8 Gedächtnis |
CABGA-208, Rolle | Integrierte Gerätetechnologie Inc. | 70V657S10DRG gegen 70V657S10BFG8 |
| Die Daten sind in der Tabelle 1 aufgeführt. Gedächtnis |
Einheit für die Bereitstellung von Speichern, die mit einem Speicher mit einer Breite von mehr als 10 m und einer Breite von mehr als 10 m ausgestattet sind | Integrierte Gerätetechnologie Inc. | 70V657S10DRG gegen IDT70V657S10BFG8 |
| 70V657S10BC Gedächtnis |
CABGA-256, Tray | Integrierte Gerätetechnologie Inc. | 70V657S10DRG gegen 70V657S10BC |
| IDT70V657S10DRG Gedächtnis |
Einheit für die Berechnung der Leistung der in Anhang I der Verordnung (EG) Nr. 765/2008 vorgesehenen Leistungen. | Integrierte Gerätetechnologie Inc. | 70V657S10DRG gegen IDT70V657S10DRG |
| IDT70V657S10BCG Gedächtnis |
Einheit für die Bereitstellung von Speichern, die mit einem Speicher mit einer Breite von mehr als 10 m und einer Breite von mehr als 10 m ausgestattet sind. | Integrierte Gerätetechnologie Inc. | 70V657S10DRG gegen IDT70V657S10BCG |
| 70V657S10BCG Gedächtnis |
CABGA-256, Tray | Integrierte Gerätetechnologie Inc. | 70V657S10DRG gegen 70V657S10BCG |
| IDT70V657S10BC Gedächtnis |
Einheitliche Speicherplatte mit zwei Schnittstellen, 32KX36, 10ns, CMOS, PBGA256, 17 X 17 MM, 1,40 MM HÖHE, 1 MM PITCH, BGA-256 | Integrierte Gerätetechnologie Inc. | 70V657S10DRG gegen IDT70V657S10BC |
| 70V657S10BCG8 Gedächtnis |
Einheitliche Speicherplatte mit zwei Schnittstellen, 32KX36, 10ns, CMOS, PBGA256, 17 X 17 MM, 1,40 MM HÖHE, 1 MM PITCH, BGA-256 | Integrierte Gerätetechnologie Inc. | 70V657S10DRG gegen 70V657S10BCG8 |
Beschreibungen
SRAM - Dual Port, asynchrone Speicher IC 1,125 Mb (32K x 36) Parallel 10ns 208-PQFP (28x28)
SRAM 32K X 36 ASYNC DP-RAM
Empfohlene Produkte
