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CAT28LV256G25 IC EEPROM 256KBIT PAR 32PLCC auf halbem
| Gedächtnisart: | Permanent |
|---|---|
| Gedächtnis-Format: | EEPROM |
| Technologie: | EEPROM |
W29N01HVSINA IC FLASH 1GBIT PARALLEL 48TSOP Winbond Elektronik
| Gedächtnisart: | Permanent |
|---|---|
| Gedächtnis-Format: | BLITZ |
| Technologie: | BLITZ - NAND (SLC) |
CY62128EV30LL-45ZXIT IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP I Infineon Technologies
| Gedächtnisart: | Flüchtig |
|---|---|
| Gedächtnis-Format: | SRAM |
| Technologie: | SRAM - Asynchron |
CY62148EV30LL-45ZSXIT IC SRAM 4MBIT PARALLEL 32TSOP II Infineon Technologies
| Gedächtnisart: | Flüchtig |
|---|---|
| Gedächtnis-Format: | SRAM |
| Technologie: | SRAM - Asynchron |
AS4C16M16D1-5BCN IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA Alliance Memory, Inc.
| Gedächtnisart: | Flüchtig |
|---|---|
| Gedächtnis-Format: | D-RAM |
| Technologie: | SDRAM-DDR |
MT29F64G08AECABH1-10ITZ:A IC FLASH 64GBIT PARALLEL 100VBGA Micron Technology Inc.
| Gedächtnisart: | Permanent |
|---|---|
| Gedächtnis-Format: | BLITZ |
| Technologie: | BLITZ - NAND |
AT25DF041B-MAHN-T IC FLASH 4MBIT SPI 104MHZ 8UDFN Renesas Design Deutschland GmbH
| Gedächtnisart: | Permanent |
|---|---|
| Gedächtnis-Format: | BLITZ |
| Technologie: | BLITZ |
CY7C1480BV33-250BZI IC SRAM 72MBIT PAR 165FBGA Infineon Technologies
| Gedächtnisart: | Flüchtig |
|---|---|
| Gedächtnis-Format: | SRAM |
| Technologie: | SRAM - Synchron, SDR |
SST26VF016BT-104I/MF IC FLASH 16MBIT SPI/QUAD 8WDFN Mikrochip-Technologie
| Gedächtnisart: | Permanent |
|---|---|
| Gedächtnis-Format: | BLITZ |
| Technologie: | BLITZ |
DS1245AB-70+ IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP Analog Devices Inc./Maxim Integrated
| Gedächtnisart: | Permanent |
|---|---|
| Gedächtnis-Format: | NVSRAM |
| Technologie: | NVSRAM (permanentes SRAM) |