China W949D6DBHX5I IC DRAM 512MBIT PAR 60VFBGA Winbond Electronics

W949D6DBHX5I IC DRAM 512MBIT PAR 60VFBGA Winbond Electronics

Gedächtnisart: Flüchtig
Gedächtnis-Format: D-RAM
Technologie: SDRAM - Bewegliches LPDDR
China MTFC2GMTEA-WT TR IC FLASH 16GBIT MMC 153WFBGA Micron Technology Inc.

MTFC2GMTEA-WT TR IC FLASH 16GBIT MMC 153WFBGA Micron Technology Inc.

Gedächtnisart: Permanent
Gedächtnis-Format: BLITZ
Technologie: BLITZ - NAND
China BR24G02FVM-3GTTR IC EEPROM 2KBIT I2C 400KHZ 8MSOP Rohm Halbleiter

BR24G02FVM-3GTTR IC EEPROM 2KBIT I2C 400KHZ 8MSOP Rohm Halbleiter

Gedächtnisart: Permanent
Gedächtnis-Format: EEPROM
Technologie: EEPROM
China FT24C32A-USR-T IC EEPROM 32KBIT I2C 800KHZ 8SOP Fremont Micro Devices Ltd

FT24C32A-USR-T IC EEPROM 32KBIT I2C 800KHZ 8SOP Fremont Micro Devices Ltd

Gedächtnisart: Permanent
Gedächtnis-Format: EEPROM
Technologie: EEPROM
China FM24CL16B-GTR IC FRAM 16KBIT I2C 1MHZ 8SOIC Infineon Technologies

FM24CL16B-GTR IC FRAM 16KBIT I2C 1MHZ 8SOIC Infineon Technologies

Gedächtnisart: Permanent
Gedächtnis-Format: FRAM
Technologie: FRAM (Ferroelectric RAM)
China AT27BV1024-90JU-T IC EPROM 1MBIT PARALLEL 44PLCC Mikrochip-Technologie

AT27BV1024-90JU-T IC EPROM 1MBIT PARALLEL 44PLCC Mikrochip-Technologie

Gedächtnisart: Permanent
Gedächtnis-Format: EPROM
Technologie: EPROM - OTP
China SST39VF800A-70-4I-MAQE-T IC FLASH 8MBIT PARALLEL 48WFBGA Mikrochip-Technologie

SST39VF800A-70-4I-MAQE-T IC FLASH 8MBIT PARALLEL 48WFBGA Mikrochip-Technologie

Gedächtnisart: Permanent
Gedächtnis-Format: BLITZ
Technologie: BLITZ
China DS2431P+T&R IC EEPROM 1KBIT 1-WIRE 6TSOC Analog Devices Inc./Maxim Integrated

DS2431P+T&R IC EEPROM 1KBIT 1-WIRE 6TSOC Analog Devices Inc./Maxim Integrated

Gedächtnisart: Permanent
Gedächtnis-Format: EEPROM
Technologie: EEPROM
China 6116LA25SOG8 IC SRAM 16KBIT PARALLEL 24SOIC Renesas Electronics America Inc.

6116LA25SOG8 IC SRAM 16KBIT PARALLEL 24SOIC Renesas Electronics America Inc.

Gedächtnisart: Flüchtig
Gedächtnis-Format: SRAM
Technologie: SRAM - Asynchron
China IS42S16320F-7BLI IC DRAM 512MBIT PAR 54TFBGA ISSI, integrierte Siliziumlösung Inc.

IS42S16320F-7BLI IC DRAM 512MBIT PAR 54TFBGA ISSI, integrierte Siliziumlösung Inc.

Gedächtnisart: Flüchtig
Gedächtnis-Format: D-RAM
Technologie: SDRAM
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