China CY7C199D-10VXI IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOJ Infineon Technologies

CY7C199D-10VXI IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOJ Infineon Technologies

Gedächtnisart: Flüchtig
Gedächtnis-Format: SRAM
Technologie: SRAM - Asynchron
China IS49NLC18160-25B IC DRAM 288MBIT PAR 144FCBGA ISSI, integrierte Siliziumlösung Inc.

IS49NLC18160-25B IC DRAM 288MBIT PAR 144FCBGA ISSI, integrierte Siliziumlösung Inc.

Gedächtnisart: Flüchtig
Gedächtnis-Format: D-RAM
Technologie: RLDRAM 2
China S25FS512SAGNFI011 IC FLASH 512MBIT SPI/QUAD 8WSON Infineon Technologies

S25FS512SAGNFI011 IC FLASH 512MBIT SPI/QUAD 8WSON Infineon Technologies

Gedächtnisart: Permanent
Gedächtnis-Format: BLITZ
Technologie: BLITZ - NOCH
China IS43R16160F-6TLI IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II ISSI, integrierte Siliziumlösung Inc.

IS43R16160F-6TLI IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II ISSI, integrierte Siliziumlösung Inc.

Gedächtnisart: Flüchtig
Gedächtnis-Format: D-RAM
Technologie: SDRAM-DDR
China AT45DB041E-MHN-T IC FLASH 4MBIT SPI 85MHZ 8UDFN Renesas Design Deutschland GmbH

AT45DB041E-MHN-T IC FLASH 4MBIT SPI 85MHZ 8UDFN Renesas Design Deutschland GmbH

Gedächtnisart: Permanent
Gedächtnis-Format: BLITZ
Technologie: BLITZ
China PC28F640P30B85A IC FLASH 64MBIT PAR 64EASYBGA Micron Technology Inc.

PC28F640P30B85A IC FLASH 64MBIT PAR 64EASYBGA Micron Technology Inc.

Gedächtnisart: Permanent
Gedächtnis-Format: BLITZ
Technologie: BLITZ - NOCH
China IS61DDB251236A-250M3L IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165LFBGA ISSI, integrierte Siliziumlösung Inc.

IS61DDB251236A-250M3L IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165LFBGA ISSI, integrierte Siliziumlösung Inc.

Gedächtnisart: Flüchtig
Gedächtnis-Format: SRAM
Technologie: SRAM - Synchron, DDR II
China S29GL512S10FHI010 IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA Infineon Technologies

S29GL512S10FHI010 IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA Infineon Technologies

Gedächtnisart: Permanent
Gedächtnis-Format: BLITZ
Technologie: BLITZ - NOCH
China CY14B101LA-SP45XI IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 48SSOP Infineon Technologies

CY14B101LA-SP45XI IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 48SSOP Infineon Technologies

Gedächtnisart: Permanent
Gedächtnis-Format: NVSRAM
Technologie: NVSRAM (permanentes SRAM)
China AT27C256R-70PU IC EPROM 256KBIT PARALLEL 28DIP Mikrochip-Technologie

AT27C256R-70PU IC EPROM 256KBIT PARALLEL 28DIP Mikrochip-Technologie

Gedächtnisart: Permanent
Gedächtnis-Format: EPROM
Technologie: EPROM - OTP
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