China CY7C145-15AXC IC SRAM 72KBIT PARALLEL 80TQFP Cypress Halbleiter Corp.

CY7C145-15AXC IC SRAM 72KBIT PARALLEL 80TQFP Cypress Halbleiter Corp.

Gedächtnisart: Flüchtig
Gedächtnis-Format: SRAM
Technologie: SRAM - Asynchrone Doppelanschlüsse
China CY7C1355C-133AXC IC SRAM 9MBIT PARALLEL 100TQFP Infineon Technologies

CY7C1355C-133AXC IC SRAM 9MBIT PARALLEL 100TQFP Infineon Technologies

Gedächtnisart: Flüchtig
Gedächtnis-Format: SRAM
Technologie: SRAM - Synchron, SDR
China IDT71016S12PH IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44TSOP II von Renesas Electronics America Inc.

IDT71016S12PH IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44TSOP II von Renesas Electronics America Inc.

Gedächtnisart: Flüchtig
Gedächtnis-Format: SRAM
Technologie: SRAM - Asynchron
China CY7C1351S-133AXC IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 100TQFP Cypress Halbleiter Corp.

CY7C1351S-133AXC IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 100TQFP Cypress Halbleiter Corp.

Gedächtnisart: Flüchtig
Gedächtnis-Format: SRAM
Technologie: SRAM - Synchron, SDR
China MT46H16M32LFB5-5 IT:C TR IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA Micron Technology Inc.

MT46H16M32LFB5-5 IT:C TR IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA Micron Technology Inc.

Gedächtnisart: Flüchtig
Gedächtnis-Format: D-RAM
Technologie: SDRAM - Bewegliches LPDDR
China AS6C4016-55ZIN IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II Allianz Speicher, Inc.

AS6C4016-55ZIN IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II Allianz Speicher, Inc.

Gedächtnisart: Flüchtig
Gedächtnis-Format: SRAM
Technologie: SRAM - Asynchron
China S25FL064LABMFI013 IC FLASH 64MBIT SPI/QUAD 8SOIC Infineon Technologies

S25FL064LABMFI013 IC FLASH 64MBIT SPI/QUAD 8SOIC Infineon Technologies

Gedächtnisart: Permanent
Gedächtnis-Format: BLITZ
Technologie: BLITZ - NOCH
China MT25QL256ABA8ESF-0SIT IC FLASH 256MBIT SPI 133MHZ 16SO Micron Technology Inc.

MT25QL256ABA8ESF-0SIT IC FLASH 256MBIT SPI 133MHZ 16SO Micron Technology Inc.

Gedächtnisart: Permanent
Gedächtnis-Format: BLITZ
Technologie: BLITZ - NOCH
China SST38VF6401B-70I/CD IC FLASH 64MBIT PARALLEL 48TFBGA Mikrochip-Technologie

SST38VF6401B-70I/CD IC FLASH 64MBIT PARALLEL 48TFBGA Mikrochip-Technologie

Gedächtnisart: Permanent
Gedächtnis-Format: BLITZ
Technologie: BLITZ
China AT24C512C-SHD-T IC EEPROM 512KBIT I2C 1MHZ 8SOIJ Mikrochiptechnologie

AT24C512C-SHD-T IC EEPROM 512KBIT I2C 1MHZ 8SOIJ Mikrochiptechnologie

Gedächtnisart: Permanent
Gedächtnis-Format: EEPROM
Technologie: EEPROM
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