MT46H16M32LFB5-5 IT:C TR IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA Micron Technology Inc.

Markenname Micron Technology Inc.
Modellnummer USE Gefahrenabweichung
Min Bestellmenge 1
Preis Based on current price
Verpackung Informationen Anti-statische Tasche und Karton
Lieferzeit 3-5 Arbeitstage
Zahlungsbedingungen T/T
Versorgungsmaterial-Fähigkeit Vorräte

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Produktdetails
Gedächtnisart Flüchtig Gedächtnis-Format D-RAM
Technologie SDRAM - Bewegliches LPDDR Speicherkapazität 512Mbit
Speicherorganisation 16M x 32 Gedächtnis-Schnittstelle Parallel
Taktfrequenz 200 MHz Schreibzyklus-zeit- Wort, Seite 15ns
Zugriffzeit 5 ns Spannung - Versorgung 1.7V | 1.95V
Betriebstemperatur -40 °C bis 85 °C (TA) Typ der Montage Oberflächenbefestigung
Packung / Gehäuse 90-VFBGA Lieferanten-Gerätepaket 90-VFBGA (8x13)
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Part Number Description
MT46H16M32LFB5-5 IT:C TR IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA
MT46H32M32LFB5-5 IT:B TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 90VFBGA
MT48LC4M32B2B5-6A AAT:L TR IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA
MT48LC4M32B2B5-6A AAT:L IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA
MT48H8M32LFB5-8 IT TR IC SDRAM 256MB 125MHZ 90-VFBGA
MT48H8M32LFB5-8 TR IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA
MT48LC4M32B2F5-7 IT:G TR IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA
MT48LC4M32B2F5-7:G TR IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA
MT48LC8M32LFB5-8 IT TR IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA
MT48LC8M32LFB5-8 TR IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA
MT48V8M32LFB5-8 IT TR IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA
MT48V8M32LFB5-8 TR IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA
MT48LC4M32B2B5-7 IT:G TR IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA
MT48H16M32L2B5-10 IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA
MT48H16M32L2B5-10 IT IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA
MT48H16M32L2B5-10 IT TR IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA
MT48H16M32L2B5-10 TR IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA
MT48H16M32L2B5-8 IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA
MT48H16M32L2B5-8 IT IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA
MT48H16M32L2B5-8 IT TR IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA
MT48H16M32L2B5-8 TR IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA
MT48H16M32L2F5-10 IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA
MT48H16M32L2F5-10 IT IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA
MT48H16M32L2F5-10 IT TR IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA
MT48H16M32L2F5-10 TR IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA
MT48H16M32L2F5-8 IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA
MT48H16M32L2F5-8 IT IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA
MT48H16M32L2F5-8 IT TR IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA
MT48H16M32L2F5-8 TR IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA
MT48H8M32LFB5-10 IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA
MT48H8M32LFB5-10 IT IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA
MT48H8M32LFB5-10 IT TR IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA
MT48H8M32LFB5-10 TR IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA
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MT48H8M32LFF5-10 IT IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA
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MT48H8M32LFF5-8 IT TR IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA
MT48H8M32LFF5-8 TR IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA
MT48LC4M32B2B5-6:G IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA
MT48LC4M32B2B5-6:G TR IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA
MT48LC4M32B2B5-7 IT:G IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA
MT48LC4M32B2B5-7:G IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA
MT48LC4M32B2F5-6:G IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA
MT48LC4M32B2F5-6:G TR IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA
MT48LC4M32LFB5-10 IT:G IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA
MT48LC4M32LFB5-10:G IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA
MT48LC4M32LFB5-8 IT:G IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA
MT48LC4M32LFB5-8 IT:G TR IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA
MT48LC4M32LFB5-8 XT:G IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA
MT48LC4M32LFB5-8 XT:G TR IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA
MT48LC4M32LFB5-8:G IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA
MT48LC4M32LFB5-8:G TR IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA
MT48LC4M32LFF5-10 IT:G IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA
MT48LC4M32LFF5-10:G IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA
MT48LC4M32LFF5-8 IT:G IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA
MT48LC4M32LFF5-8 IT:G TR IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA
MT48LC4M32LFF5-8:G IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA
MT48LC4M32LFF5-8:G TR IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA
MT48LC8M32B2B5-6 TR IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA
MT48LC8M32B2B5-7 IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA
MT48LC8M32B2B5-7 IT TR IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA
MT48LC8M32B2B5-7 TR IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA
MT48LC8M32B2F5-6 TR IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA
MT48LC8M32B2F5-7 IT IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA
MT48LC8M32B2F5-7 IT TR IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA
MT48LC8M32B2F5-7 TR IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA
MT48LC8M32LFB5-10 IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA
MT48LC8M32LFB5-10 IT IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA
MT48LC8M32LFB5-10 IT TR IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA
MT48LC8M32LFB5-10 TR IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA
MT48LC8M32LFF5-10 IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA
MT48LC8M32LFF5-10 IT IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA
MT48LC8M32LFF5-10 IT TR IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA
MT48LC8M32LFF5-10 TR IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA
MT48LC8M32LFF5-8 IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA
MT48LC8M32LFF5-8 IT IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA
MT48LC8M32LFF5-8 IT TR IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA
MT48LC8M32LFF5-8 TR IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA
MT48V4M32LFB5-10 IT:G IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA
MT48V4M32LFB5-10 IT:G TR IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA
MT48V4M32LFB5-10:G IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA
MT48V4M32LFB5-10:G TR IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA
MT48V4M32LFB5-8 IT:G IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA
MT48V4M32LFB5-8 IT:G TR IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA
MT48V4M32LFB5-8 XT:G IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA
MT48V4M32LFB5-8 XT:G TR IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA
MT48V4M32LFB5-8:G IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA
MT48V4M32LFB5-8:G TR IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA
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MT48V4M32LFF5-8 IT:G TR IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA
MT48V4M32LFF5-8:G IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA
MT48V4M32LFF5-8:G TR IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA
MT48V8M32LFB5-10 IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA
MT48V8M32LFB5-10 IT IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA
MT48V8M32LFB5-10 IT TR IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA
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MT48V8M32LFF5-10 IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA
MT48V8M32LFF5-10 IT IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA
MT48V8M32LFF5-10 IT TR IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA
MT48V8M32LFF5-10 TR IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA
MT48V8M32LFF5-8 IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA
MT48V8M32LFF5-8 IT IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA
MT48V8M32LFF5-8 IT TR IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA
MT48V8M32LFF5-8 TR IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA
MT46H8M32LFB5-75:A TR IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA
MT46H8M32LFB5-75 IT:A TR IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA
MT46H8M32LFB5-10 IT:A TR IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA
MT48LC4M32B2B5-7:G TR IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA
MT46H8M32LFB5-6 IT:A TR IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA
MT46H8M32LFB5-6:A TR IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA
MT48H8M32LFB5-75 IT:G TR IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA
MT48H8M32LFB5-75:G TR IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA
MT46H4M32LFB5-5 IT:K IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA
MT46H4M32LFB5-5 IT:K TR IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA
MT46H4M32LFB5-6 AT:K IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA
MT46H4M32LFB5-6 AT:K TR IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA
MT46H8M32LFB5-5 IT:H IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA
MT46H8M32LFB5-5 IT:H TR IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA
MT46H8M32LFB5-5:H IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA
MT46H8M32LFB5-5:H TR IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA
MT48H8M32LFB5-6:H IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA
MT48H8M32LFB5-6:H TR IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA
MT48H8M32LFB5-75 IT:H IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA
MT48H8M32LFB5-75 IT:H TR IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA
MT48H8M32LFB5-75:H IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA
MT48H8M32LFB5-75:H TR IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA
MT46H16M32LFB5-6 IT:C TR IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA
MT46H16M32LFB5-5 IT:C IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA
MT46H16M32LFB5-6 IT:C IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA
MT46H32M32LFB5-5 IT:B IC DRAM 1GBIT PARALLEL 90VFBGA
MT46H32M32LFB5-6 IT:B IC DRAM 1GBIT PARALLEL 90VFBGA
MT46H4M32LFB5-5:K IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA
MT46H4M32LFB5-6 IT:K IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA
MT46H4M32LFB5-6:K IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA
MT46H8M32LFB5-6 IT:H IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA
MT46H8M32LFB5-6:H IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA
MT48H16M32LFB5-75 IT:C IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA
MT48H4M32LFB5-6 IT:K IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA
MT48H4M32LFB5-6:K IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA
MT48H4M32LFB5-75 AT:K IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA
MT48H4M32LFB5-75 IT:K IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA
MT48H4M32LFB5-75:K IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA
MT48H8M32LFB5-6 IT:H IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA
MT48H8M32LFB5-75 AT:H IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA
MT48LC2M32B2B5-7 IT:G IC DRAM 64MBIT PAR 90VFBGA
MT48LC2M32B2B5-7:G IC DRAM 64MBIT PAR 90VFBGA
MT46H32M32LFB5-6 IT:B TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 90VFBGA
MT48LC2M32B2B5-7 IT:G TR IC DRAM 64MBIT PAR 90VFBGA
MT48LC4M32B2B5-6A XIT:L IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA
MT48H16M32LFB5-75 IT:C TR IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA
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Part Number Description
Produkt-Beschreibung

Einzelheiten zum Produkt

Mobiler DDR-SDRAM mit geringer Leistung

Eigenschaften

• VDD/VDDQ = 1,70­1,95 V
• Bidirektionale Datenstrahler pro Byte (DQS)
• interne, durch Pipeline verwaltete Doppeldatenrate (DDR) -Architektur; zwei Datenzugriffe pro Taktzyklus
• Differentialschalteinträge (CK und CK#)
• Befehle, die an jeder positiven CK-Kante eingegeben werden
• DQS-Rand mit Daten für READs ausgerichtet; Mitte mit Daten für WRITEs ausgerichtet
• 4 interne Banken für den gleichzeitigen Betrieb
• Datenmasken (DM) zur Verhüllung von Schreibdaten; eine Maske pro Byte
• Programmierbare Blaslängen (BL): 2, 4, 8 oder 16
• Gleichzeitige automatische Vorladung wird unterstützt
• Automatische Aktualisierung und Selbstaktualisierung
• 1,8V LVCMOS-kompatible Eingänge
• Temperaturkompensierte Selbsterneuerung (TCSR)
• Selbst-Erneuerung der partiellen Array (PASR)
• Tiefe Abschaltung (DPD)
• Statusleseregister (SRR)
• Auswählbare Ausgangsantriebsstärke (DS)
• Fähigkeit zur Zeitstoppe
• 64ms Erneuerung, 32ms für die Fahrzeugtemperatur

Spezifikationen

EigenschaftAttributivwert
HerstellerMicron Technologie Inc.
ProduktkategorieSpeicher-ICs
Reihe-
VerpackungVerpackung mit Band und Rolle (TR)
Packungskoffer90 VFBGA
Betriebstemperatur-40 °C bis 85 °C (TA)
SchnittstelleParallel
Spannungsversorgung10,7 V bis 1,95 V
Lieferant-Gerät-VerpackungEinheit für die Berechnung der Leistung
Speicherkapazität512M (16M x 32)
SpeichertypenMobiler LPDDR-SDRAM
Geschwindigkeit200 MHz
Format-SpeicherSpeicherplatz

Beschreibungen

SDRAM - Mobile LPDDR-Speicher IC 512Mb (16M x 32) Parallel 200MHz 5,0ns 90-VFBGA (8x13)