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W25Q128JVFIQ IC FLASH 128MBIT SPI/QUAD 16SOIC Winbond Electronics
| Gedächtnisart: | Permanent |
|---|---|
| Gedächtnis-Format: | BLITZ |
| Technologie: | BLITZ - NOCH |
IS42S16160J-7BLI IC DRAM 256MBIT PAR 54TFBGA ISSI, integrierte Siliziumlösung Inc.
| Gedächtnisart: | Flüchtig |
|---|---|
| Gedächtnis-Format: | D-RAM |
| Technologie: | SDRAM |
MT48LC16M16A2P-6A:G TR IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II Micron Technology Inc.
| Gedächtnisart: | Flüchtig |
|---|---|
| Gedächtnis-Format: | D-RAM |
| Technologie: | SDRAM |
AT25DF021A-SSHN-T IC FLASH 2MBIT SPI 104MHZ 8SOIC Renesas Design Deutschland GmbH
| Gedächtnisart: | Permanent |
|---|---|
| Gedächtnis-Format: | BLITZ |
| Technologie: | BLITZ |
AT28HC256-12TU IC EEPROM 256KBIT PAR 28TSOP Mikrochip-Technologie
| Gedächtnisart: | Permanent |
|---|---|
| Gedächtnis-Format: | EEPROM |
| Technologie: | EEPROM |
W25Q16JVSSIQ TR IC FLASH 16MBIT SPI/QUAD 8SOIC Winbond Electronics
| Gedächtnisart: | Permanent |
|---|---|
| Gedächtnis-Format: | BLITZ |
| Technologie: | BLITZ - NOCH |
MT46V32M16P-5B:J TR IC DRAM 512MBIT PARALLEL 66TSOP Micron Technology Inc.
| Gedächtnisart: | Flüchtig |
|---|---|
| Gedächtnis-Format: | D-RAM |
| Technologie: | SDRAM-DDR |
IS61C6416AL-12TLI IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44TSOP II ISSI, integrierte Siliziumlösung Inc.
| Gedächtnisart: | Flüchtig |
|---|---|
| Gedächtnis-Format: | SRAM |
| Technologie: | SRAM - Asynchron |
M24C02-WMN6TP IC EEPROM 2KBIT I2C 400KHZ 8SOIC STMikroelektronik
| Gedächtnisart: | Permanent |
|---|---|
| Gedächtnis-Format: | EEPROM |
| Technologie: | EEPROM |
24LC512-I/MF IC EEPROM 512KBIT I2C 8DFN Mikrochiptechnologie
| Gedächtnisart: | Permanent |
|---|---|
| Gedächtnis-Format: | EEPROM |
| Technologie: | EEPROM |