PC28F640P30B85A IC FLASH 64MBIT PAR 64EASYBGA Micron Technology Inc.

Einleitung

Dieses Dokument enthält Informationen über das Gerät Intel StrataFlash® Embedded Memory (P30) und beschreibt seine Eigenschaften, Funktionsweise und Spezifikationen.

Produktmerkmale

■ hohe Leistung
¥ 85/88 ans Erstzugriff
- 40 MHz mit null Wartezuständen, 20 ns Uhr-Daten-Ausgabe synchroner Lesevorgang
¢ 25 ns asynchrone Seitenlesemodus
- 4-, 8-, 16- und kontinuierlich-Wort-Burst-Modus
¢ Puffered Enhanced Factory Programming (BEFP) bei 5 μs/Byte (Typ)
- 1,8 V Pufferprogrammierung bei 7 μs/Byte (Typ)
■ Architektur
Mehrstufige Zelltechnologie: Höchste Dichte zu geringsten Kosten
 Asymmetrisch blockierte Architektur
Vier 32-Kbyte-Parameterblöcke: oberste oder untere Konfiguration
️ 128-Kbyte-Hauptblöcke
■ Spannung und Energie
Die Spannung des VCC-Kerns beträgt 1,7 V
VCCQ (E/A) Spannung: 1,7 V 3,6 V
Standby-Strom: 55 μA (Typ) für 256-Mbit
- 4-Word synchroner Lesestrom: 13 mA (Typ) bei 40 MHz
■ Qualität und Zuverlässigkeit
Betriebstemperatur: von 40 °C bis +85 °C
• 1 Gbit in SCSP beträgt 30 °C bis 85 °C
¢ Mindestens 100.000 Löschzyklen pro Block
¢ ETOXTM VIII-Prozesstechnologie (130 nm)
■ Sicherheit
Einmalige programmierbare Register:
• 64 eindeutige Werkgeräte-Identifikationsbits
• 64 benutzerprogrammierbare OTP-Bits
• Zusätzliche 2048 benutzerprogrammierbare OTP-Bits
Auswählbarer OTP-Bereich im Hauptarray:
• 4x32KB-Parameterblöcke + 3x128KB-Hauptblöcke (Ober- oder Unterkonfiguration)
Absolute Schreibschutz: VPP= VSS

¢ Individuelles Blockieren mit Nulllatenz
¢ Einzelne Blockverriegelung
■ Software
¢ 20 μs (Typ) Programm aussetzen
- 20 μs (Typ) Löschsuspension
Intel® Flash-Datenintegrator optimiert

¢ mit Common Flash Interface ausgestattet
■ Dichte und Verpackung
¢ 64/128/256-Mbit-Dichte in einem 56-Lead-TSOP-Paket
- 64/128/256/512-Mbit-Dichte in 64-Ball Intel®Easy BGA-Paket
¢ 64/128/256/512-Mbit- und 1-Gbit-Dichte in Intel®QUAD+ SCSP