IS43R16160F-6TLI IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II ISSI, integrierte Siliziumlösung Inc.

Markenname ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Modellnummer IS43R16160F-6TLI
Min Bestellmenge 1
Preis Based on current price
Verpackung Informationen Anti-statische Tasche und Karton
Lieferzeit 3-5 Arbeitstage
Zahlungsbedingungen T/T
Versorgungsmaterial-Fähigkeit Vorräte

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Produktdetails
Gedächtnisart Flüchtig Gedächtnis-Format D-RAM
Technologie SDRAM-DDR Speicherkapazität 256Mbit
Speicherorganisation 16M x 16 Gedächtnis-Schnittstelle Parallel
Taktfrequenz 166 MHz Schreibzyklus-zeit- Wort, Seite 15ns
Zugriffzeit 700 ps Spannung - Versorgung 2.3V | 2.7V
Betriebstemperatur -40 °C bis 85 °C (TA) Typ der Montage Oberflächenbefestigung
Packung / Gehäuse 66-TSSOP (0,400", 10.16mm Breite) Lieferanten-Gerätepaket 66-TSOP II
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Part Number Description
IS43R16160F-6TLI IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
IS43R16160F-6TL IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
IS43R83200F-6TLI IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
IS43R86400F-5TLI IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
IS43R16320F-6TL IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
IS43R86400F-5TL IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
IS43R16160D-6TL IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
IS43R16320F-6TLI IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
IS43R16800E-6TL-TR IC DRAM 128MBIT PAR 66TSOP II
IS43R16800E-5TL-TR IC DRAM 128MBIT PAR 66TSOP II
IS43R16800E-6TL IC DRAM 128MBIT PAR 66TSOP II
IS43R16800E-6TLI-TR IC DRAM 128MBIT PAR 66TSOP II
IS43R16800E-5TL IC DRAM 128MBIT PAR 66TSOP II
IS43R16800E-5TLI-TR IC DRAM 128MBIT PAR 66TSOP II
IS43R16160F-6TL-TR IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
IS43R16160F-5TL-TR IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
IS43R16800E-6TLI IC DRAM 128MBIT PAR 66TSOP II
IS43R16800E-5TLI IC DRAM 128MBIT PAR 66TSOP II
IS43R83200F-6TL-TR IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
IS43R16160F-6TLI-TR IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
IS43R16160F-5TL IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
IS43R16160F-5TLI-TR IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
IS43R83200F-5TL-TR IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
IS43R83200F-6TL IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
IS43R16160F-5TLI IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
IS43R83200F-5TL IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
IS43R83200F-6TLI-TR IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
IS43R16160D-6TL-TR IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
IS43R16160D-5TL-TR IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
IS43R16160D-6TLI-TR IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
IS43R16160D-5TLI-TR IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
IS43R16160D-6TLI IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
IS46R16160F-6TLA1-TR IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
IS46R16160F-5TLA1-TR IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
IS43R16160D-5TLI IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
IS46R16160F-6TLA1 IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
IS46R16160F-5TLA1 IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
IS43R83200D-6TL-TR IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
IS43R16160D-5TL IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
IS46R16160F-6TLA2-TR IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
IS43R83200D-5TL-TR IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
IS43R16320D-6TL-TR IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
IS43R86400D-6TL-TR IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
IS43R83200D-6TL IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
IS43R16320F-6TLI-TR IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
IS43R16320D-5TL-TR IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
IS43R86400D-5TL-TR IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
IS43R16320F-5TLI-TR IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
IS43R86400F-5TLI-TR IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
IS43R86400F-6TLI-TR IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
IS46R16160F-6TLA2 IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
IS43R83200D-5TL IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
IS43R83200D-6TLI-TR IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
IS46R16160D-6TLA1-TR IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
IS43R16320D-6TL IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
IS43R86400D-6TL IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
IS46R16160D-5TLA1-TR IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
IS43R16320D-5TL IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
IS43R16320F-5TLI IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
IS43R86400F-6TLI IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
IS43R86400D-5TL IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
IS43R83200D-6TLI IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
IS46R16160D-6TLA1 IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
IS43R16320E-6TLI-TR IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
IS46R16160D-5TLA1 IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
IS46R16160D-6TLA2-TR IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
IS43R16320E-5TLI-TR IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
IS46R16320E-6TLA1-TR IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
IS43R16320E-6TLI IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
IS46R16320E-5TLA1-TR IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
IS46R16160D-6TLA2 IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
IS43R16320E-5TLI IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
IS43R16320D-6TLI-TR IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
IS43R86400D-6TLI-TR IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
IS46R16320E-6TLA1 IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
IS43R16320D-5TLI-TR IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
IS43R86400D-5TLI-TR IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
IS46R16320E-5TLA1 IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
IS43R16320D-5TLI IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
IS43R86400D-5TLI IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
IS43R16320D-6TLI IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
IS43R86400D-6TLI IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
IS46R16320E-6TLA2-TR IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
IS46R16320D-6TLA1-TR IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
IS46R86400D-6TLA1-TR IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
IS46R16320D-5TLA1-TR IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
IS46R16320D-6TLA1 IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
IS46R86400D-6TLA1 IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
IS46R16320E-6TLA2 IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
IS46R16320D-5TLA1 IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
IS46R16320D-6TLA2-TR IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
IS46R16320D-6TLA2 IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
IS43R16800A-5TL-TR IC DRAM 128MBIT PAR 66TSOP II
IS43R16160B-6TL IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
IS43R83200B-6TL IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
IS43R83200B-5TL IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
IS43R16160B-6TL-TR IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
IS43R16160B-5TL-TR IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
IS43R83200B-6TL-TR IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
IS43R83200B-5TL-TR IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
IS43R16800C-5TL IC DRAM 128MBIT PAR 66TSOP II
IS43R16160B-5TLI IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
IS43R16160B-5TLI-TR IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
IS43R16160B-6TLI IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
IS43R16160B-6TLI-TR IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
IS43R86400E-5TLI IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
IS43R86400E-5TLI-TR IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
IS43R86400E-6TLI IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
IS43R86400E-6TLI-TR IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
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Part Number Description
Produkt-Beschreibung

Einzelheiten zum Produkt

Eigenschaften

● Standardspannung: VDD und VDDQ = 1,5 V ± 0,075 V
● Niedrigspannung (L): VDD und VDDQ = 1,35 V + 0,1 V, -0,067 V
- Rückwärtskompatibel mit 1,5 V
● Hochgeschwindigkeitsdatenübertragungsraten
Frequenz bis 933 MHz
● 8 interne Banken für den gleichzeitigen Betrieb
● 8n-Bit-Architektur vor dem Abrufen
● Programmierbare CAS-Latenz
● Programmierbare Additive Latenz: 0, CL-1, CL-2
● Programmierbare CAS WRITE-Latenz (CWL) basierend auf tCK
● Programmierbare Ausbruchlänge: 4 und 8
● Programmierbarer Ausbruchsverlauf: Sequential oder Interleave
● BL-Schalter im Handumdrehen
● Automatische Erneuerung (ASR)
● Selbsterfrischungstemperatur (SRT)
● Erneuerungsintervall:
7.8 us (8192 Zyklen/64 ms) Tc= -40°C bis 85°C
3.9 us (8192 Zyklen/32 ms) Tc= 85°C bis 105°C
● Selbstrefreschierung in einem Teilbereich
● Asynchrone Rücksetzspalte
● TDQS (Termination Data Strobe) unterstützt (nur x8)
● OCD (Off-Chip-Anpassung der Impedanz des Treibers)
● Dynamische ODT (On-Die-Termination)
● Kraft des Fahrers: RZQ/7, RZQ/6 (RZQ = 240)
● Schreiben Sie die Ebene
● Bis zu 200 MHz im ausgeschalteten DLL-Modus
● Betriebstemperatur:
Für den Handel (TC = 0°C bis +95°C)
Industrie (TC = -40 °C bis +95 °C)
Fahrzeugtechnik, A1 (TC = -40°C bis +95°C)
Fahrzeugtechnik, A2 (TC = -40°C bis +105°C)

Spezifikationen

Eigenschaft Attributivwert
Hersteller ISSI
Produktkategorie Speicher-ICs
Reihe -
Verpackung Tray Alternative Verpackung
Packungskoffer 66-TSSOP (0,400", 10,16 mm Breite)
Betriebstemperatur -40 °C bis 85 °C (TA)
Schnittstelle Parallel
Spannungsversorgung 2.3 V ~ 2,7 V
Lieferant-Gerät-Verpackung 66-TSOP II
Speicherkapazität 256 M (16 M x 16)
Speichertypen DDR-SDRAM
Geschwindigkeit 166 MHz
Format-Speicher Speicherplatz

Beschreibungen

SDRAM - DDR-Speicher IC 256Mb (16M x 16) Parallel 166MHz 700ps 66-TSOP II
DRAM-Chip DDR SDRAM 256Mbit 16Mx16 2,5V 66-Pin TSOP-II
DRAM 256M, 2,5 V, DDR, 16Mx16, 166MHz