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IS49NLC18160-25B IC DRAM 288MBIT PAR 144FCBGA ISSI, integrierte Siliziumlösung Inc.

  • IS49NLC18160-25B IC DRAM 288MBIT PAR 144FCBGA ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Markenname ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Modellnummer IS49NLC18160-25B
Min Bestellmenge 1
Preis Based on current price
Verpackung Informationen Anti-statische Tasche und Karton
Lieferzeit 3-5 Arbeitstage
Zahlungsbedingungen T/T
Versorgungsmaterial-Fähigkeit Vorräte

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Produktdetails
Gedächtnisart Flüchtig Gedächtnis-Format D-RAM
Technologie RLDRAM 2 Speicherkapazität 288Mbit
Speicherorganisation 16 M x 18 Gedächtnis-Schnittstelle Parallel
Taktfrequenz 400 MHz Schreibzyklus-zeit- Wort, Seite -
Zugriffzeit 20 ns Spannung - Versorgung 1.7V ~ 1.9V
Betriebstemperatur 0°C bis 70°C (TA) Typ der Montage Oberflächenbefestigung
Packung / Gehäuse 144-TFBGA Lieferanten-Gerätepaket Einheit für die Berechnung der Werte für die Berechnung der Werte für die Berechnung der Werte für d
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Part Number Description
IS49NLC18320A-25WBL IC DRAM 576MBIT PAR 144TWBGA
IS49NLC96400A-25WBL IC DRAM 576MBIT PAR 144TWBGA
IS49NLS18320A-25WBL IC DRAM 576MBIT PAR 144TWBGA
IS49NLS96400A-25WBL IC DRAM 576MBIT PAR 144TWBGA
IS49NLC36160A-25EWBL IC DRAM 576MBIT PAR 144TWBGA
IS49NLC18160-25B IC DRAM 288MBIT PAR 144FCBGA
IS49NLC18160-25BI IC DRAM 288MBIT PAR 144FCBGA
IS49NLC18160-25BL IC DRAM 288MBIT PAR 144FCBGA
IS49NLC18160-25BLI IC DRAM 288MBIT PAR 144FCBGA
IS49NLC18160-33B IC DRAM 288MBIT PAR 144FCBGA
IS49NLC18160-33BI IC DRAM 288MBIT PAR 144FCBGA
IS49NLC18160-33BL IC DRAM 288MBIT PAR 144TWBGA
IS49NLC18160-33BLI IC DRAM 288MBIT PAR 144TWBGA
IS49NLC18320-25B IC DRAM 576MBIT PAR 144FCBGA
IS49NLC18320-25BI IC DRAM 576MBIT PAR 144FCBGA
IS49NLC18320-25BL IC DRAM 576MBIT PAR 144FCBGA
IS49NLC18320-25BLI IC DRAM 576MBIT PAR 144FCBGA
IS49NLC18320-25EBL IC DRAM 576MBIT PAR 144FCBGA
IS49NLC18320-25EBLI IC DRAM 576MBIT PAR 144FCBGA
IS49NLC18320-33B IC DRAM 576MBIT PAR 144FCBGA
IS49NLC18320-33BI IC DRAM 576MBIT PAR 144FCBGA
IS49NLC18320-33BL IC DRAM 576MBIT PAR 144FCBGA
IS49NLC18320-33BLI IC DRAM 576MBIT PAR 144FCBGA
IS49NLC36160-25B IC DRAM 576MBIT PAR 144FCBGA
IS49NLC36160-25BI IC DRAM 576MBIT PAR 144FCBGA
IS49NLC36160-25BL IC DRAM 576MBIT PAR 144FCBGA
IS49NLC36160-25BLI IC DRAM 576MBIT PAR 144FCBGA
IS49NLC36160-25EBL IC DRAM 576MBIT PAR 144FCBGA
IS49NLC36160-33B IC DRAM 576MBIT PAR 144FCBGA
IS49NLC36160-33BI IC DRAM 576MBIT PAR 144FCBGA
IS49NLC36160-33BL IC DRAM 576MBIT PAR 144FCBGA
IS49NLC36160-33BLI IC DRAM 576MBIT PAR 144FCBGA
IS49NLC36800-25B IC DRAM 288MBIT PAR 144FCBGA
IS49NLC36800-25BI IC DRAM 288MBIT PAR 144FCBGA
IS49NLC36800-25BL IC DRAM 288MBIT PAR 144FCBGA
IS49NLC36800-25BLI IC DRAM 288MBIT PAR 144FCBGA
IS49NLC36800-25EBL IC DRAM 288MBIT PAR 144FCBGA
IS49NLC36800-25EBLI IC DRAM 288MBIT PAR 144FCBGA
IS49NLC36800-33B IC DRAM 288MBIT PAR 144FCBGA
IS49NLC36800-33BI IC DRAM 288MBIT PAR 144FCBGA
IS49NLC36800-33BL IC DRAM 288MBIT PAR 144FCBGA
IS49NLC36800-33BLI IC DRAM 288MBIT PAR 144FCBGA
IS49NLC93200-25B IC DRAM 288MBIT PAR 144FCBGA
IS49NLC93200-25BI IC DRAM 288MBIT PAR 144FCBGA
IS49NLC93200-25BL IC DRAM 288MBIT PAR 144FCBGA
IS49NLC93200-25BLI IC DRAM 288MBIT PAR 144FCBGA
IS49NLC93200-33B IC DRAM 288MBIT PAR 144FCBGA
IS49NLC93200-33BI IC DRAM 288MBIT PAR 144FCBGA
IS49NLC93200-33BL IC DRAM 288MBIT PAR 144FCBGA
IS49NLC93200-33BLI IC DRAM 288MBIT PAR 144FCBGA
IS49NLC96400-25B IC DRAM 576MBIT PAR 144FCBGA
IS49NLC96400-25BI IC DRAM 576MBIT PAR 144FCBGA
IS49NLC96400-25BL IC DRAM 576MBIT PAR 144FCBGA
IS49NLC96400-25BLI IC DRAM 576MBIT PAR 144FCBGA
IS49NLC96400-33B IC DRAM 576MBIT PAR 144FCBGA
IS49NLC96400-33BI IC DRAM 576MBIT PAR 144FCBGA
IS49NLC96400-33BL IC DRAM 576MBIT PAR 144FCBGA
IS49NLC96400-33BLI IC DRAM 576MBIT PAR 144FCBGA
IS49NLS18160-25B IC DRAM 288MBIT PAR 144FCBGA
IS49NLS18160-25BI IC DRAM 288MBIT PAR 144FCBGA
IS49NLS18160-25BL IC DRAM 288MBIT PAR 144FCBGA
IS49NLS18160-25BLI IC DRAM 288MBIT PAR 144FCBGA
IS49NLS18160-33B IC DRAM 288MBIT PAR 144FCBGA
IS49NLS18160-33BI IC DRAM 288MBIT PAR 144FCBGA
IS49NLS18160-33BL IC DRAM 288MBIT PAR 144FCBGA
IS49NLS18160-33BLI IC DRAM 288MBIT PAR 144FCBGA
IS49NLS18320-25B IC DRAM 576MBIT PAR 144FCBGA
IS49NLS18320-25BI IC DRAM 576MBIT PAR 144FCBGA
IS49NLS18320-25BL IC DRAM 576MBIT PAR 144FCBGA
IS49NLS18320-25BLI IC DRAM 576MBIT PAR 144FCBGA
IS49NLS18320-33B IC DRAM 576MBIT PAR 144FCBGA
IS49NLS18320-33BI IC DRAM 576MBIT PAR 144FCBGA
IS49NLS18320-33BL IC DRAM 576MBIT PAR 144FCBGA
IS49NLS18320-33BLI IC DRAM 576MBIT PAR 144FCBGA
IS49NLS93200-25B IC DRAM 288MBIT PAR 144FCBGA
IS49NLS93200-25BI IC DRAM 288MBIT PAR 144FCBGA
IS49NLS93200-25BL IC DRAM 288MBIT PAR 144FCBGA
IS49NLS93200-25BLI IC DRAM 288MBIT PAR 144FCBGA
IS49NLS93200-33B IC DRAM 288MBIT PAR 144FCBGA
IS49NLS93200-33BI IC DRAM 288MBIT PAR 144FCBGA
IS49NLS93200-33BL IC DRAM 288MBIT PAR 144FCBGA
IS49NLS93200-33BLI IC DRAM 288MBIT PAR 144FCBGA
IS49NLS96400-25B IC DRAM 576MBIT PAR 144FCBGA
IS49NLS96400-25BI IC DRAM 576MBIT PAR 144FCBGA
IS49NLS96400-25BL IC DRAM 576MBIT PAR 144FCBGA
IS49NLS96400-25BLI IC DRAM 576MBIT PAR 144FCBGA
IS49NLS96400-33B IC DRAM 576MBIT PAR 144FCBGA
IS49NLS96400-33BI IC DRAM 576MBIT PAR 144FCBGA
IS49NLS96400-33BL IC DRAM 576MBIT PAR 144FCBGA
IS49NLS96400-33BLI IC DRAM 576MBIT PAR 144FCBGA
IS49NLC18160-25WBLI IC DRAM 288MBIT PAR 144TWBGA
IS49NLC18160-33WBLI IC DRAM 288MBIT PAR 144TWBGA
IS49NLC18320A-33WBL IC DRAM 576MBIT PAR 144TWBGA
IS49NLC36800-25EWBL IC DRAM 288MBIT PAR 144TWBGA
IS49NLC36800-25EWBLI IC DRAM 288MBIT PAR 144TWBGA
IS49NLC36800-25WBL IC DRAM 288MBIT PAR 144TWBGA
IS49NLC36800-33WBLI IC DRAM 288MBIT PAR 144TWBGA
IS49NLC93200-25WBLI IC DRAM 288MBIT PAR 144TWBGA
IS49NLC93200-33WBLI IC DRAM 288MBIT PAR 144TWBGA
IS49NLC96400A-33WBL IC DRAM 576MBIT PAR 144TWBGA
IS49NLS18160-25WBLI IC DRAM 288MBIT PAR 144TWBGA
IS49NLS18160-33WBLI IC DRAM 288MBIT PAR 144TWBGA
IS49NLS18320A-33WBL IC DRAM 576MBIT PAR 144TWBGA
IS49NLS93200-25WBLI IC DRAM 288MBIT PAR 144TWBGA
IS49NLS93200-33WBLI IC DRAM 288MBIT PAR 144TWBGA
IS49NLS96400A-33WBL IC DRAM 576MBIT PAR 144TWBGA
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Part Number Description
Produkt-Beschreibung

Einzelheiten zum Produkt

■ Merkmale

1Ein eingebautes Schmidt-Trigger-Schaltkreis.
2. Niedrigspannungsbetriebstypen (VCC:2.3 bis 7.0 V)
3. Typ mit hoher Empfindlichkeit (IS481 E VHL: TYP. 5.4 lx bei Ta=25 ̊C)
(IS482 E VLH: TYP. 5,4 lx bei Ta=25 ̊C)
4. LSTTL und TTL kompatibel
5. Niedrige Leistungsstärke bei Einfalllicht (IS481)
Hochleistungsleistung bei Einfalllicht (IS482)

■ Anwendungen

1. Batteriebetriebene tragbare Ausrüstung

Spezifikationen

Eigenschaft Attributivwert
Hersteller ISSI
Produktkategorie Speicher-ICs
Reihe IS49NLC18160
Typ DDR1
Verpackung Tray
Einheitsgewicht 0.015757 Unzen
Montage-Stil SMD/SMT
Handelsbezeichnung RLDRAM2
Packungskoffer 144-TFBGA
Betriebstemperatur 0°C bis 70°C (TA)
Schnittstelle Gemeinsame Ein- und Ausgänge
Spannungsversorgung 10,7 V bis 1,9 V
Lieferant-Gerät-Verpackung Einheit für die Berechnung der Werte für die Berechnung der Werte für die Berechnung der Werte für die Berechnung der Werte
Speicherkapazität 288M (16M x 18)
Speichertypen RLDRAM 2
Geschwindigkeit 2.5ns
Zugriffszeit 2.5 ns
Format-Speicher Speicherplatz
Höchstbetriebstemperatur + 70 °C
Betriebstemperaturbereich 0 C
Organisation 16 M x 18
Versorgungsstrom maximal 408 mA
Datenbusbreite 18 Bit
Versorgungsspannung 1.9 V
Versorgungsspannung-Min 1.7 V
Packungskoffer BGA-144
Maximal-Uhr-Frequenz 400 MHz

Beschreibungen

DRAM-Speicher IC 288Mb (16M x 18) Parallel 400MHz 20ns 144-FCBGA (11x18.5)
DRAM 288Mbit x18 Allgemeine E/A 400MHz mit Blei
Umbauten:

Stabiler Flash-Speicher IC

Flash-Speicher IC nicht flüchtig

SPI-Flash-Speicher IC