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IS42S16320F-7BLI IC DRAM 512MBIT PAR 54TFBGA ISSI, integrierte Siliziumlösung Inc.

  • IS42S16320F-7BLI IC DRAM 512MBIT PAR 54TFBGA ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Markenname ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Modellnummer IS42S16320F-7BLI
Min Bestellmenge 1
Preis Based on current price
Verpackung Informationen Anti-statische Tasche und Karton
Lieferzeit 3-5 Arbeitstage
Zahlungsbedingungen T/T
Versorgungsmaterial-Fähigkeit Vorräte

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Produktdetails
Gedächtnisart Flüchtig Gedächtnis-Format D-RAM
Technologie SDRAM Speicherkapazität 512Mbit
Speicherorganisation 32M x 16 Gedächtnis-Schnittstelle Parallel
Taktfrequenz 143 MHZ Schreibzyklus-zeit- Wort, Seite -
Zugriffzeit 5,4 ns Spannung - Versorgung 3V bis 3,6V
Betriebstemperatur -40 °C bis 85 °C (TA) Typ der Montage Oberflächenbefestigung
Packung / Gehäuse 54-TFBGA Lieferanten-Gerätepaket Einheit für die Bereitstellung von elektrischen Geräten
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Part Number Description
IS42S16320F-7BLI IC DRAM 512MBIT PAR 54TFBGA
IS42S16320D-7BL IC DRAM 512MBIT PAR 54TFBGA
IS42S16320F-7BL-TR IC DRAM 512MBIT PAR 54TFBGA
IS42S16320F-7BL IC DRAM 512MBIT PAR 54TFBGA
IS42S16320F-6BL-TR IC DRAM 512MBIT PAR 54TFBGA
IS42S16320F-6BL IC DRAM 512MBIT PAR 54TFBGA
IS42S16320F-6BLI IC DRAM 512MBIT PAR 54TFBGA
IS42S16320F-7BLI-TR IC DRAM 512MBIT PAR 54TFBGA
IS42S16320F-6BLI-TR IC DRAM 512MBIT PAR 54TFBGA
IS42S16320D-7BL-TR IC DRAM 512MBIT PAR 54TFBGA
IS45S16320F-7BLA1-TR IC DRAM 512MBIT PAR 54TFBGA
IS45S16320F-7BLA1 IC DRAM 512MBIT PAR 54TFBGA
IS42S16320D-6BL-TR IC DRAM 512MBIT PAR 54TFBGA
IS42S16320D-6BL IC DRAM 512MBIT PAR 54TFBGA
IS45S16320F-6BLA1-TR IC DRAM 512MBIT PAR 54TFBGA
IS45S16320F-6BLA1 IC DRAM 512MBIT PAR 54TFBGA
IS42S16320D-7BLI-TR IC DRAM 512MBIT PAR 54TFBGA
IS42S16320D-7BLI IC DRAM 512MBIT PAR 54TFBGA
IS42S16320D-6BLI-TR IC DRAM 512MBIT PAR 54TFBGA
IS42S16320D-6BLI IC DRAM 512MBIT PAR 54TFBGA
IS45S16320F-7BLA2-TR IC DRAM 512MBIT PAR 54TFBGA
IS45S16320F-7BLA2 IC DRAM 512MBIT PAR 54TFBGA
IS45S16320D-7BLA1 IC DRAM 512MBIT PAR 54TFBGA
IS45S16320D-7BLA1-TR IC DRAM 512MBIT PAR 54TFBGA
IS45S16320D-7BLA2 IC DRAM 512MBIT PAR 54TFBGA
IS45S16320D-7BLA2-TR IC DRAM 512MBIT PAR 54TFBGA
IS42S16160B-7BL IC DRAM 256MBIT PAR 54LFBGA
IS42S16160B-6B IC DRAM 256MBIT PAR 54LFBGA
IS42S16160B-6B-TR IC DRAM 256MBIT PAR 54LFBGA
IS42S16160B-6BL IC DRAM 256MBIT PAR 54LFBGA
IS42S16160B-6BL-TR IC DRAM 256MBIT PAR 54LFBGA
IS42S16160B-7B IC DRAM 256MBIT PAR 54LFBGA
IS42S16160B-7B-TR IC DRAM 256MBIT PAR 54LFBGA
IS42S16160B-7BI IC DRAM 256MBIT PAR 54LFBGA
IS42S16160B-7BI-TR IC DRAM 256MBIT PAR 54LFBGA
IS42S16160B-7BL-TR IC DRAM 256MBIT PAR 54LFBGA
IS42S16160B-7BLI IC DRAM 256MBIT PAR 54LFBGA
IS42S16160B-7BLI-TR IC DRAM 256MBIT PAR 54LFBGA
IS42S16800D-6B IC DRAM 128MBIT PAR 54MINIBGA
IS42S16800D-6B-TR IC DRAM 128MBIT PAR 54MINIBGA
IS42S16800D-7B IC DRAM 128MBIT PAR 54MINIBGA
IS42S16800D-7B-TR IC DRAM 128MBIT PAR 54MINIBGA
IS42S16800D-75EBL IC DRAM 128MBIT PAR 54MINIBGA
IS42S16800D-75EBLI IC DRAM 128MBIT PAR 54MINIBGA
IS42S16160B-6BLI IC DRAM 256MBIT PAR 54LFBGA
IS42S16800D-75EBL-TR IC DRAM 128MBIT PAR 54MINIBGA
IS42S16800D-75EBLI-TR IC DRAM 128MBIT PAR 54MINIBGA
IS42S16160B-6BLI-TR IC DRAM 256MBIT PAR 54LFBGA
IS42S16160D-6BL IC DRAM 256MBIT PAR 54TFBGA
IS42S16160D-6BLI IC DRAM 256MBIT PAR 54TFBGA
IS42S16160D-6BLI-TR IC DRAM 256MBIT PAR 54TFBGA
IS42S16160D-6BL-TR IC DRAM 256MBIT PAR 54TFBGA
IS42S16160D-7B IC DRAM 256MBIT PAR 54TFBGA
IS42S16160D-7BI IC DRAM 256MBIT PAR 54TFBGA
IS42S16160D-7BI-TR IC DRAM 256MBIT PAR 54TFBGA
IS42S16160D-7BL IC DRAM 256MBIT PAR 54TFBGA
IS42S16160D-7BLI IC DRAM 256MBIT PAR 54TFBGA
IS42S16160D-7BLI-TR IC DRAM 256MBIT PAR 54TFBGA
IS42S16160D-7BL-TR IC DRAM 256MBIT PAR 54TFBGA
IS42S16160D-7B-TR IC DRAM 256MBIT PAR 54TFBGA
IS42S16160D-75EBL IC DRAM 256MBIT PAR 54TFBGA
IS42S16160D-75EBL-TR IC DRAM 256MBIT PAR 54TFBGA
IS42S16160D-75EBLI IC DRAM 256MBIT PAR 54TFBGA
IS42S16160D-75EBLI-TR IC DRAM 256MBIT PAR 54TFBGA
IS42S16320B-7BL IC DRAM 512MBIT PAR 54WBGA
IS42S16320B-6BL IC DRAM 512MBIT PARALLEL 54WBGA
IS42S16320B-6BLI IC DRAM 512MBIT PARALLEL 54WBGA
IS42S16320B-6BLI-TR IC DRAM 512MBIT PARALLEL 54WBGA
IS42S16320B-6BL-TR IC DRAM 512MBIT PARALLEL 54WBGA
IS42S16320B-7BLI IC DRAM 512MBIT PAR 54WBGA
IS42S16320B-7BLI-TR IC DRAM 512MBIT PAR 54WBGA
IS42S16320B-7BL-TR IC DRAM 512MBIT PAR 54WBGA
IS42VM16320D-6BLI IC DRAM 512MBIT PAR 54TFBGA
IS42VM16320D-6BLI-TR IC DRAM 512MBIT PAR 54TFBGA
IS42VM16320D-75BLI IC DRAM 512MBIT PAR 54TFBGA
IS42VM16320D-75BLI-TR IC DRAM 512MBIT PAR 54TFBGA
IS45S16160D-6BLA1 IC DRAM 256MBIT PAR 54TFBGA
IS45S16160D-6BLA1-TR IC DRAM 256MBIT PAR 54TFBGA
IS45S16160D-7BLA1 IC DRAM 256MBIT PAR 54TFBGA
IS45S16160D-7BLA1-TR IC DRAM 256MBIT PAR 54TFBGA
IS45S16160D-7BLA2 IC DRAM 256MBIT PAR 54TFBGA
IS45S16160D-7BLA2-TR IC DRAM 256MBIT PAR 54TFBGA
IS45S16320B-7BLA1 IC DRAM 512MBIT PAR 54WBGA
IS45S16320B-7BLA1-TR IC DRAM 512MBIT PAR 54WBGA
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Part Number Description
Produkt-Beschreibung

Einzelheiten zum Produkt

Übersicht über das Gerät

ISSIS 512Mb Synchronous DRAM erreicht eine hohe Datenübertragung mit Hilfe einer Pipeline-Architektur.

Eigenschaften

• Uhrfrequenz: 200, 166, 143 MHz
• Voll synchron; alle Signale sind auf eine positive Uhrzeile verwiesen
• Innenbank für den Zugang zur Versteckreihe/Vorladung
• Stromversorgung: Vdd/Vddq = 2,3V-3,6V IS42/45SxxxxxD - Vdd/Vddq = 3,3V IS42/45RxxxxxD - Vdd/Vddq = 2.5
• LVTTL-Schnittstelle
• Programmierbare Ausstrahlungslänge ?? (1, 2, 4, 8, ganze Seite)
• Programmierbare Ausbruchssequenz: Sequential/Interleave
• Automatische Aktualisierung (CBR)
• Erfrische dich selbst
• 8K-Erneuerungszyklen alle 64 ms
• Zufällige Spaltenadresse für jeden Uhrzyklus
• Programmierbare CAS-Latenzzeit (2, 3 Stunden)
• Fähigkeit zur Lese-/Schreib- und Lese-/Einschreibfunktion
• Burst-Endung durch Burst-Stop- und Vorladekommando
• Pakete: x8/x16: 54-Pin-TSOP-II, 54-Ball-TF-BGA (nur x16) x32: 90-Ball-TF-BGA
• Temperaturbereich: Gewerblich (0°C bis +70°C) Industrie (-40°C bis +85°C) Automobil, A1 (-40°C bis +85°C) Automobil, A2 (-40°C bis +105°C)

Spezifikationen

Eigenschaft Attributivwert
Hersteller ISSI
Produktkategorie Speicher-ICs
Reihe -
Verpackung Tray Alternative Verpackung
Packungskoffer 54-TFBGA
Betriebstemperatur -40 °C bis 85 °C (TA)
Schnittstelle Parallel
Spannungsversorgung 3 V ~ 3,6 V
Lieferant-Gerät-Verpackung 54-TWBGA (13x8)
Speicherkapazität 512M (32M x 16)
Speichertypen SDRAM
Geschwindigkeit 143 MHz
Format-Speicher Speicherplatz

Beschreibungen

SDRAM-Speicher IC 512Mb (32M x 16) Parallel 143MHz 5,4ns 54-TWBGA (13x8)
DRAM Chip SDRAM 512Mbit 32Mx16 3.3V 54-Pin TW-BGA
DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 32Mx16, 143MHz, 54 Kugel BGA (8mmx13mm), RoHS, IT
Umbauten:

Stabiler Flash-Speicher IC

Flash-Speicher IC nicht flüchtig

SPI-Flash-Speicher IC