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W949D6DBHX5I IC DRAM 512MBIT PAR 60VFBGA Winbond Electronics
| Markenname | Winbond Electronics |
|---|---|
| Modellnummer | W949D6DBHX5I |
| Min Bestellmenge | 1 |
| Preis | Based on current price |
| Verpackung Informationen | Anti-statische Tasche und Karton |
| Lieferzeit | 3-5 Arbeitstage |
| Zahlungsbedingungen | T/T |
| Versorgungsmaterial-Fähigkeit | Vorräte |
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xProduktdetails
| Gedächtnisart | Flüchtig | Gedächtnis-Format | D-RAM |
|---|---|---|---|
| Technologie | SDRAM - Bewegliches LPDDR | Speicherkapazität | 512Mbit |
| Speicherorganisation | 32M x 16 | Gedächtnis-Schnittstelle | Parallel |
| Taktfrequenz | 200 MHz | Schreibzyklus-zeit- Wort, Seite | 15ns |
| Zugriffzeit | 5 ns | Spannung - Versorgung | 1.7V | 1.95V |
| Betriebstemperatur | -40 °C bis 85 °C (TA) | Typ der Montage | Oberflächenbefestigung |
| Packung / Gehäuse | 60-TFBGA | Lieferanten-Gerätepaket | 60-VFBGA (8x9) |
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| Part Number | Description | |
|---|---|---|
| W949D6DBHX5I | IC DRAM 512MBIT PAR 60VFBGA | |
| W94AD6KBHX5I | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60VFBGA | |
| MT46H32M16LFBF-5 IT:C | IC DRAM 512MBIT PAR 60VFBGA | |
| MT46H128M16LFDD-48 IT:C TR | IC DRAM 2GBIT PAR 208MHZ 60VFBGA | |
| MT46H32M16LFBF-5 IT:C TR | IC DRAM 512MBIT PAR 60VFBGA | |
| MT46H32M16LFBF-5 AIT:C TR | IC DRAM 512MBIT PAR 60VFBGA | |
| MT46H128M16LFDD-48 AIT:C TR | IC DRAM 2GBIT PAR 208MHZ 60VFBGA | |
| MT46H16M32LFB5-6 AIT:C TR | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
| W948D6KBHX5E TR | IC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGA | |
| W948D6KBHX5I TR | IC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGA | |
| W948D6KBHX5I | IC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGA | |
| W948D6KBHX5E | IC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGA | |
| W949D6DBHX5E TR | IC DRAM 512MBIT PAR 60VFBGA | |
| W949D6DBHX5I TR | IC DRAM 512MBIT PAR 60VFBGA | |
| W949D6DBHX5E | IC DRAM 512MBIT PAR 60VFBGA | |
| W947D6HBHX5E | IC DRAM 128MBIT PAR 60VFBGA | |
| W94AD6KBHX5E TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60VFBGA | |
| W94AD6KBHX5I TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60VFBGA | |
| W94AD6KBHX5E | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60VFBGA | |
| MT46H128M16LFDD-48 IT:C | IC DRAM 2GBIT PAR 208MHZ 60VFBGA | |
| MT46H16M16LFBF-6 IT:A | IC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGA | |
| MT46H16M16LFBF-6 IT:A TR | IC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGA | |
| MT46H16M16LFBF-6:A TR | IC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGA | |
| MT46H32M16LFBF-5:B TR | IC DRAM 512MBIT PAR 60VFBGA | |
| MT46H32M16LFBF-6 IT:B TR | IC DRAM 512MBIT PAR 60VFBGA | |
| MT46H32M16LFBF-6:B TR | IC DRAM 512MBIT PAR 60VFBGA | |
| MT46H16M16LFBF-5 IT:H | IC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGA | |
| MT46H16M16LFBF-5 IT:H TR | IC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGA | |
| MT46H16M16LFBF-5:H | IC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGA | |
| MT46H16M16LFBF-5:H TR | IC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGA | |
| MT46H16M16LFBF-6 AT:H | IC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGA | |
| MT46H16M16LFBF-6 AT:H TR | IC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGA | |
| MT46H32M16LFBF-5 IT:B | IC DRAM 512MBIT PAR 60VFBGA | |
| MT46H32M16LFBF-5 IT:B TR | IC DRAM 512MBIT PAR 60VFBGA | |
| MT46H32M16LFBF-6 AT:B | IC DRAM 512MBIT PAR 60VFBGA | |
| MT46H32M16LFBF-6 AT:B TR | IC DRAM 512MBIT PAR 60VFBGA | |
| MT46H8M16LFBF-5:K | IC DRAM 128MBIT PAR 60VFBGA | |
| MT46H8M16LFBF-5:K TR | IC DRAM 128MBIT PAR 60VFBGA | |
| MT46H8M16LFBF-6 AT:K | IC DRAM 128MBIT PAR 60VFBGA | |
| MT46H8M16LFBF-6 AT:K TR | IC DRAM 128MBIT PAR 60VFBGA | |
| MT46H16M16LFBF-6 IT:H | IC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGA | |
| MT46H16M16LFBF-6:H | IC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGA | |
| MT46H16M16LFBF-75:A | IC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGA | |
| MT46H32M16LFBF-6 IT:C | IC DRAM 512MBIT PAR 60VFBGA | |
| MT46H64M16LFBF-6 IT:B | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60VFBGA | |
| MT46H8M16LFBF-5 IT:K | IC DRAM 128MBIT PAR 60VFBGA | |
| MT46H8M16LFBF-6 IT:K TR | IC DRAM 128MBIT PAR 60VFBGA | |
| MT46H8M16LFBF-6:K | IC DRAM 128MBIT PAR 60VFBGA | |
| MT46H16M16LFBF-6 IT:H TR | IC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGA | |
| MT46H16M16LFBF-6:H TR | IC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGA | |
| MT46H32M16LFBF-6 IT:C TR | IC DRAM 512MBIT PAR 60VFBGA | |
| MT46H64M16LFBF-6 IT:B TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60VFBGA | |
| W948D6FBHX5E | IC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGA | |
| W948D6FBHX5I | IC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGA | |
| W948D6FBHX6E | IC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGA | |
| W947D6HBHX5I | IC DRAM 128MBIT PAR 60VFBGA | |
| W947D6HBHX6E | IC DRAM 128MBIT PAR 60VFBGA | |
| MT46H32M16LFBF-6 AIT:C TR | IC DRAM 512MBIT PAR 60VFBGA | |
| MT46H32M16LFBF-5 AIT:C | IC DRAM 512MBIT PAR 60VFBGA | |
| MT46H32M16LFBF-6 AIT:C | IC DRAM 512MBIT PAR 60VFBGA | |
| MT46H32M16LFBF-6 AT:C | IC DRAM 512MBIT PAR 60VFBGA | |
| MT46H128M16LFDD-48 AIT:C | IC DRAM 2GBIT PAR 208MHZ 60VFBGA | |
| MT46H128M16LFDD-48 WT:C | IC DRAM 2GBIT PAR 208MHZ 60VFBGA | |
| W947D6HBHX5I TR | IC DRAM 128MBIT PAR 60VFBGA | |
| W947D6HBHX6E TR | IC DRAM 128MBIT PAR 60VFBGA | |
| W948D6FBHX5E TR | IC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGA | |
| W948D6FBHX5I TR | IC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGA | |
| W948D6FBHX6E TR | IC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGA | |
| W947D6HBHX5E TR | IC DRAM 128MBIT PARALLEL 60VFBGA | |
| MT46H32M16LFBF-6 AAT:C | IC DRAM 512MBIT PAR 60VFBGA | |
| W948D6KBHX6E | IC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGA | |
| W948D6KBHX6E TR | IC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGA | |
| W948D6KBHX6I | IC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGA | |
| W948D6FBHX5G | IC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGA | |
| W948D6FBHX5J | IC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGA | |
| W948D6FBHX6G | IC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGA | |
| W948D6FBHX6I | IC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGA | |
| MT46H16M32LFB5-6 AT:C TR | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
| MT46H32M16LFBF-6 AT:C TR | IC DRAM 512MBIT PAR 60VFBGA | |
| MT46H128M16LFDD-48 WT:C TR | IC DRAM 2GBIT PAR 208MHZ 60VFBGA |
Produkt-Beschreibung
Einzelheiten zum Produkt
Generell beschrieben
W9425G6DH ist ein CMOS Double Data Rate synchroner dynamischer Zufallszugriffsspeicher (DDR SDRAM), organisiert als 4,194Mit Hilfe einer Pipeline-Architektur und einer 0,11 μm-Prozesstechnologie liefert W9425G6DH eine Datenbandbreite von bis zu 500 M Wörtern pro Sekunde (-4).Vollständig mit dem Industriestandard für Personalcomputer übereinstimmen, W9425G6DH wird in vier Geschwindigkeitsstufen sortiert: -4, -5, -6 und -75. Das -4 entspricht der DDR500/CL3-Spezifikation. Das -5 entspricht der DDR400/CL3-Spezifikation.Die -6 entspricht der DDR333/CL2.5 Spezifikation (die -6I-Klasse, die garantiert -40 °C ~ 85 °C unterstützt). Die -75 entspricht der Spezifikation DDR266/CL2 (die 75I-Klasse, die garantiert -40 °C ~ 85 °C unterstützt).
Eigenschaften
• 2,5V ± 0,2V Stromversorgung für DDR266/DDR333• 2,6 V ± 0,1 V Stromversorgung für DDR400/DDR500
• bis zu 250 MHz Uhrfrequenz
• Architektur mit doppelter Datenrate; zwei Datenübertragungen pro Taktzyklus
• Differentialschalteinträge (CLK und CLK)
• DQS ist Rand ausgerichtet mit Daten für Lesen; Mitte ausgerichtet mit Daten für Schreiben
• CAS-Latenz: 2, 2,5 und 3
• Länge des Ausbruchs: 2, 4 und 8
• Autoverfrischung und Selbstverfrischung
• Vorgeladener Ausfall und aktiver Ausfall
• Datenmaske schreiben
• Schreiben Sie Latenz = 1
• 7.8 μS Erneuerungsintervall (8K / 64 mS Erneuerung)
• Höchstzyklus der Erneuerung: 8
• Schnittstelle: SSTL_2
• Verpackt in TSOP II 66-Stift, 400 Mil, 0,65 mm Stiftweite, mit Pb-frei und RoHS-konform
Spezifikationen
| Eigenschaft | Attributivwert |
|---|---|
| Hersteller | Winbond Elektronik |
| Produktkategorie | Speicher-ICs |
| Reihe | - |
| Verpackung | Tray Alternative Verpackung |
| Packungskoffer | 60-TFBGA |
| Betriebstemperatur | -40 °C bis 85 °C (TA) |
| Schnittstelle | Parallel |
| Spannungsversorgung | 10,7 V bis 1,95 V |
| Lieferant-Gerät-Verpackung | Einheit für die Berechnung der Leistung |
| Speicherkapazität | 512M (32M x 16) |
| Speichertypen | Mobiler LPDDR-SDRAM |
| Geschwindigkeit | 200 MHz |
| Format-Speicher | Speicherplatz |
Beschreibungen
SDRAM - Mobile LPDDR-Speicher IC 512Mb (32M x 16) Parallel 200MHz 5ns 60-VFBGA (8x9)
DRAM Chip Mobile LPDDR SDRAM 512Mbit 32Mx16 1,8 V 60-Pin VFBGA
Empfohlene Produkte
