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AS4C16M16D1-5BCN IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA Alliance Memory, Inc.

  • AS4C16M16D1-5BCN IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA Alliance Memory, Inc.
Markenname Alliance Memory, Inc.
Modellnummer AS4C16M16D1-5BCN
Min Bestellmenge 1
Preis Based on current price
Verpackung Informationen Anti-statische Tasche und Karton
Lieferzeit 3-5 Arbeitstage
Zahlungsbedingungen T/T
Versorgungsmaterial-Fähigkeit Vorräte

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Produktdetails
Gedächtnisart Flüchtig Gedächtnis-Format D-RAM
Technologie SDRAM-DDR Speicherkapazität 256Mbit
Speicherorganisation 16M x 16 Gedächtnis-Schnittstelle Parallel
Taktfrequenz 200 MHz Schreibzyklus-zeit- Wort, Seite 15ns
Zugriffzeit 700 ps Spannung - Versorgung 2.3V | 2.7V
Betriebstemperatur 0°C bis 70°C (TA) Typ der Montage Oberflächenbefestigung
Packung / Gehäuse 60-TFBGA Lieferanten-Gerätepaket 60-TFBGA (8x13)
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Part Number Description
AS4C16M16D1-5BCN IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
AS4C64M8D1-5BIN IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
AS4C8M16D1-5BIN IC DRAM 128MBIT PAR 60TFBGA
AS4C16M16D1-5BIN IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
AS4C32M16D1-5BIN IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
AS4C8M16D1-5BCNTR IC DRAM 128MBIT PAR 60TFBGA
AS4C8M16D1-5BINTR IC DRAM 128MBIT PAR 60TFBGA
AS4C8M16D1-5BCN IC DRAM 128MBIT PAR 60TFBGA
AS4C16M16D1-5BCNTR IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
AS4C32M16D1-5BCNTR IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60BGA
AS4C64M8D1-5BCNTR IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
AS4C16M16D1-5BINTR IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
AS4C64M8D1-5BINTR IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
AS4C64M8D1-5BCN IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
AS4C32M16D1-5BINTR IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
AS4C32M16D1-5BCN IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60BGA
IS46R16160F-5BLA1-TR IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
IS43R16320F-6BL-TR IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS43R16320F-5BL-TR IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS43R86400F-6BL-TR IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS43R86400F-5BL-TR IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS43R16320F-6BLI-TR IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS43R16320F-5BLI-TR IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS43R86400F-6BLI-TR IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS46R16160F-5BLA1 IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
IS43R16320F-6BL IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS43R86400F-5BLI-TR IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS43R16320F-5BL IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS43R86400F-6BL IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS43R86400F-5BL IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS43R16320F-6BLI IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS43R16320E-6BL-TR IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS43R16320F-5BLI IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS43R86400F-6BLI IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS43R86400F-5BLI IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS43R16320E-5BL-TR IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS43R16320E-6BLI-TR IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS43R16320E-6BL IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS43R16320E-5BLI-TR IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS43R16320E-5BL IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS46R16320E-6BLA1-TR IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS43R16320E-6BLI IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS46R16320E-5BLA1-TR IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS43R16320E-5BLI IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS46R16320E-5BLA1 IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS46R16320E-6BLA1 IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS46R16320E-6BLA2-TR IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS46R16320E-6BLA2 IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
W9425G6JB-5 IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
W9425G6JB-5I IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
W9425G6JB-5 TR IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
W9425G6JB-5I TR IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
IS43R86400E-5BL IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS43R86400E-5BLI IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS43R86400E-5BLI-TR IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS43R86400E-5BL-TR IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS43R86400E-6BL IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS43R86400E-6BLI IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS43R86400E-6BLI-TR IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS43R86400E-6BL-TR IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS43R16160D-6BI-TR IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
IS43R16320D-6BI-TR IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS43R16320E-6BI-TR IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS43R16160D-6BI IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
IS43R16320D-6BI IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS43R16320E-6BI IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS43R86400E-5BI IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60TFBGA
IS43R16320E-5BI IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60TFBGA
IS43R86400D-5B IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60TFBGA
IS43R86400D-6BI IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60TFBGA
IS43R16160F-5BI IC DRAM 256MBIT PARALLEL 60TFBGA
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Part Number Description
Produkt-Beschreibung

Einzelheiten zum Produkt

Eigenschaften

• Organisation: 1,048,576 Wörter × 4 Bits
• Hochgeschwindigkeit
- 40/50/60/70 ns RAS-Zugangszeit
- 20/25/30/35 ns Spaltenadresszugangszeit
- 10/13/15/18 ns CAS-Zugangszeit
• Niedriger Stromverbrauch
- Aktive Leistung: maximal 385 mW (-60)
- Standby: maximal 5,5 mW, CMOS E/A
• Schnellseitenmodus (AS4C14400) oder EDO (AS4C14405)
• 1024 Aktualisierungszyklen, 16 ms Aktualisierungsintervall
- Nur RAS- oder CAS-vor-RAS-Aktualisierung
• Lesen-Ändern-Schreiben
• TTL-kompatible, dreistufige E/A
• JEDEC-Standardpakete
- 300 ml, 20/26-Pin-SOJ
- 300 ml, 20/26-Pin-TSOP
• Einfache 5V-Stromversorgung
• ESD-Schutz ≥ 2001V
• Anschlussstrom ≥ 200 mA

Spezifikationen

Eigenschaft Attributivwert
Hersteller Alliance Memory, Inc.
Produktkategorie Speicher-ICs
Reihe AS4C16M16D1
Typ DDR1
Verpackung Tray Alternative Verpackung
Montage-Stil SMD/SMT
Packungskoffer 60-TFBGA
Betriebstemperatur 0°C bis 70°C (TA)
Schnittstelle Parallel
Spannungsversorgung 2.3 V ~ 2,7 V
Lieferant-Gerät-Verpackung Einheit für die Berechnung der Emissionsmengen
Speicherkapazität 256 M (16 M x 16)
Speichertypen DDR-SDRAM
Geschwindigkeit 200 MHz
Zugriffszeit 0.7 ns
Format-Speicher Speicherplatz
Höchstbetriebstemperatur + 70 °C
Betriebstemperaturbereich 0 C
Organisation 16 M x 16
Versorgungsstrom maximal 135 mA
Datenbusbreite 16 Bit
Versorgungsspannung 2.7 V
Versorgungsspannung-Min 2.3 V
Packungskoffer Die in Absatz 1 Buchstabe a genannten Anforderungen gelten nicht.
Maximal-Uhr-Frequenz 200 MHz

Beschreibungen

SDRAM - DDR-Speicher IC 256Mb (16M x 16) Parallel 200MHz 700ps 60-TFBGA (8x13)
DRAM 256M 2,5V 200Mhz 16M x 16 DDR1
Umbauten:

Stabiler Flash-Speicher IC

Flash-Speicher IC nicht flüchtig

SPI-Flash-Speicher IC