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DS1245AB-70+ IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP Analog Devices Inc./Maxim Integrated

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xProduktdetails
Gedächtnisart | Permanent | Gedächtnis-Format | NVSRAM |
---|---|---|---|
Technologie | NVSRAM (permanentes SRAM) | Speicherkapazität | 1 Mbit |
Speicherorganisation | 128K x 8 | Gedächtnis-Schnittstelle | Parallel |
Taktfrequenz | - | Schreibzyklus-zeit- Wort, Seite | 70ns |
Zugriffzeit | 70 ns | Spannung - Versorgung | 40,75 V bis 5,25 V |
Betriebstemperatur | 0°C bis 70°C (TA) | Typ der Montage | Durchs Loch |
Packung / Gehäuse | Modul 32-DIP (0,600", 15.24mm) | Lieferanten-Gerätepaket | 32-EDIP |
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Part Number | Description | |
---|---|---|
DS1245AB-70+ | IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1245Y-100+ | IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1245Y-70IND+ | IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1245Y-70+ | IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1249AB-70# | IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1250Y-70+ | IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1250Y-70IND+ | IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1245W-150+ | IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1245Y-120+ | IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1245W-100+ | IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1245AB-100+ | IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1245AB-120+ | IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1245Y-120IND+ | IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1249Y-70# | IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1249Y-85IND# | IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1250Y-100+ | IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1249Y-100# | IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1250AB-70+ | IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1245Y-85+ | IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1245AB-70IND+ | IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1245AB-85+ | IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1245W-100IND+ | IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1245AB-120IND+ | IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1249Y-70IND# | IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1249AB-70IND# | IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1250W-100+ | IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1250W-100IND+ | IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1250AB-70IND+ | IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1250AB-100IND+ | IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1250Y-100IND+ | IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1245Y-70IND | IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1250Y-100 | IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1249Y-70 | IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1245Y-120 | IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1245Y-100 | IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1245AB-120 | IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1245AB-100 | IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1245W-150 | IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1245AB-70 | IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1245Y-85 | IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1245AB-85 | IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1245Y-70 | IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1245W-100 | IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1245AB-120IND | IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1245Y-120IND | IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1245AB-70IND | IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1249W-150 | IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1249Y-100 | IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1249AB-100 | IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1249AB-70 | IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1249W-100 | IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1249AB-85 | IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1249Y-85 | IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1249Y-70IND | IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1249AB-70IND | IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1249Y-85IND | IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1249AB-85IND | IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1250AB-100 | IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1250W-150 | IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1250AB-70 | IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1250W-100 | IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1250Y-70 | IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1250Y-70IND | IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1250AB-70IND | IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1245W-100IND | IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1249W-100IND | IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1250AB-100IND | IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1250W-100IND | IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1250Y-100IND | IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1250W-150+ | IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1249W-100IND# | IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1249W-100# | IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1249Y-85# | IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP |
Produkt-Beschreibung
Einzelheiten zum Produkt
Beschreibung
Die DS1245 1024k Nonvolatile SRAMs sind 1,048,576 Bit, vollständig statische, nichtflüchtige SRAMs, organisiert als 131.072 Wörter von 8 Bit.Jeder vollständige NV-SRAM verfügt über eine eigenständige Lithium-Energiequelle und eine Steuerungsschaltung, die VCC ständig auf eine außerhalb der zulässigen Bedingungen überwacht.. Wenn ein solcher Zustand auftritt, wird die Lithium-Energiequelle automatisch eingeschaltet und der Schreibschutz ist bedingungslos aktiviert, um Datenkorruption zu verhindern.DS1245-Geräte mit DIP-Paket können anstelle von bestehenden 128k x 8 statischen RAMs verwendet werden, die direkt dem beliebten 32-Pin-DIP-Standard entsprechen. Die DS1245-Geräte im PowerCap-Modulpaket sind direkt auf die Oberfläche zu montieren und werden normalerweise mit einem DS9034PC PowerCap gepaart, um ein komplettes Nonvolatile SRAM-Modul zu bilden.Es gibt keine Begrenzung für die Anzahl der Schreibzyklen, die ausgeführt werden können, und keine zusätzliche Unterstützungsschaltung ist für die Mikroprozessor-Schnittstelle erforderlich.
Eigenschaften
■ 10 Jahre Mindestdatenspeicherung bei Abwesenheit einer externen Stromversorgung■ Daten werden bei Stromausfall automatisch geschützt
■ Ersetzt 128k x 8 flüchtige statische RAM, EEPROM oder Flash-Speicher
■ Unbegrenzte Schreibzyklen
■ CMOS mit geringer Leistung
■ Lese- und Schreibzugangszeiten von 70 ns
■ Die Lithium-Energiequelle wird elektrisch abgeschaltet, um die Frische zu bewahren, bis zum ersten Stromansatz
■ Voller ±10% VCC-Betriebsbereich (DS1245Y)
■ Optional ±5% VCC-Betriebsbereich (DS1245AB)
■ Optionale industrielle Temperaturbereiche von -40°C bis +85°C, bezeichnet als IND
■ JEDEC-Standard 32-Pin-DIP-Paket
■ PowerCap-Modul (PCM) - Paket
- Modul, das direkt auf der Oberfläche montiert werden kann
- Ersetzbare Schnaps-on PowerCap bietet Lithium-Backup-Batterie
- Standardisierte Pinout für alle nichtflüchtigen SRAM-Produkte
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Spezifikationen
Eigenschaft | Attributivwert |
---|---|
Hersteller | Maxim integriert |
Produktkategorie | Speicher-ICs |
Reihe | DS1245AB |
Verpackung | Schlauch |
Montage-Stil | Durchs Loch |
Packungskoffer | 32 DIP-Module (0,600", 15,24 mm) |
Betriebstemperatur | 0°C bis 70°C (TA) |
Schnittstelle | Parallel |
Spannungsversorgung | 40,75 V bis 5,25 V |
Lieferant-Gerät-Verpackung | 32-EDIP |
Speicherkapazität | 1M (128K x 8) |
Speichertypen | NVSRAM (nicht flüchtige SRAM) |
Geschwindigkeit | 70 ns |
Zugriffszeit | 70 ns |
Format-Speicher | Speicherplatz |
Höchstbetriebstemperatur | + 70 °C |
Betriebstemperaturbereich | 0 C |
Betriebsversorgungsstrom | 85 mA |
Schnittstellentyp | Parallel |
Organisation | 128 k x 8 |
Teil-#-Alias | 90-1245A+B70 DS1245AB |
Datenbusbreite | 8 Bit |
Versorgungsspannung | 5.25 V |
Versorgungsspannung-Min | 4.75 V |
Packungskoffer | EDIP-32 |
Hersteller Teil# | Beschreibung | Hersteller | Vergleich |
DS1245Y-70+ Gedächtnis |
Nichtflüchtiges SRAM-Modul, 128KX8, 70ns, CMOS, 0,740 INCH, ROHS-konform, DIP-32 | Maxim Integrierte Produkte | DS1245AB-70+ gegen DS1245Y-70+ |
DS1245AB-70IND Gedächtnis |
Die in Anhang I der Verordnung (EU) Nr. 1095/2010 aufgeführten Daten sind für die Bereitstellung der erforderlichen Daten zu verwenden, wenn die Daten in Anhang I der Verordnung (EU) Nr. 1095/2010 enthalten sind. | Rochester Electronics LLC | Dies ist der Fall, wenn die Anlage nicht in Betrieb ist. |
DS1245Y-70IND Gedächtnis |
Die in Anhang I der Verordnung (EU) Nr. 1095/2010 aufgeführten Daten sind für die Bereitstellung der erforderlichen Daten zu verwenden, wenn die Daten in Anhang I der Verordnung (EU) Nr. 1095/2010 enthalten sind. | Rochester Electronics LLC | Dies ist der Fall, wenn die Anwendungsberechtigung nicht erfüllt ist. |
M48Z128Y-70PM1 Gedächtnis |
Die in Anhang I der Verordnung (EU) Nr. 1095/2010 festgelegten Anforderungen gelten für die Bereitstellung der erforderlichen Daten. | STMikroelektronik | DS1245AB-70+ gegen M48Z128Y-70PM1 |
DS1245Y-70 Gedächtnis |
Nichtflüchtiges SRAM-Modul, 128KX8, 70ns, CMOS, 0,740 INCH, erweitertes Modul, DIP-32 | Maxim Integrierte Produkte | Dies ist der Fall, wenn die Anwendungsberechtigung nicht erfüllt ist. |
DS1245AB-70 Gedächtnis |
Nichtflüchtiges SRAM-Modul, 128KX8, 70ns, CMOS, PDIP32, 0,740 INCH, PLASTIC, DIP-32 | Dallas Halbleiter | Dies ist der Fall, wenn der Anschluss an den Anschluss an den Anschluss an den Anschluss an den Anschluss ist. |
DS1245Y-70IND+ Gedächtnis |
Nichtflüchtiges SRAM-Modul, 128KX8, 70ns, CMOS, 0,740 INCH, ROHS-konform, DIP-32 | Maxim Integrierte Produkte | Dies ist der Fall, wenn die Anwendungsberechtigung nicht erfüllt ist. |
DS1245AB-70IND+ Gedächtnis |
Nichtflüchtiges SRAM-Modul, 128KX8, 70ns, CMOS, 0,740 INCH, ROHS-konform, DIP-32 | Maxim Integrierte Produkte | Dies ist der Fall, wenn der Anschluss an den Anschluss an den Anschluss an den Anschluss an den Anschluss an den Anschluss ist. |
M48Z128-70PM1 Gedächtnis |
Die in Anhang I der Verordnung (EU) Nr. 1095/2010 festgelegten Anforderungen gelten für die Bereitstellung der erforderlichen Daten. | STMikroelektronik | DS1245AB-70+ gegen M48Z128-70PM1 |
Beschreibungen
NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Speicher IC 1Mb (128K x 8) Parallel 70ns 32-EDIP
NVRAM 1024K SRAM Nichtflüchtig
Empfohlene Produkte