DS1245AB-70+ IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP Analog Devices Inc./Maxim Integrated

Markenname Analog Devices Inc./Maxim Integrated
Modellnummer DS1245AB-70+
Min Bestellmenge 1
Preis Based on current price
Verpackung Informationen Anti-statische Tasche und Karton
Lieferzeit 3-5 Arbeitstage
Zahlungsbedingungen T/T
Versorgungsmaterial-Fähigkeit Vorräte

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Produktdetails
Gedächtnisart Permanent Gedächtnis-Format NVSRAM
Technologie NVSRAM (permanentes SRAM) Speicherkapazität 1 Mbit
Speicherorganisation 128K x 8 Gedächtnis-Schnittstelle Parallel
Taktfrequenz - Schreibzyklus-zeit- Wort, Seite 70ns
Zugriffzeit 70 ns Spannung - Versorgung 40,75 V bis 5,25 V
Betriebstemperatur 0°C bis 70°C (TA) Typ der Montage Durchs Loch
Packung / Gehäuse Modul 32-DIP (0,600", 15.24mm) Lieferanten-Gerätepaket 32-EDIP
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Part Number Description
DS1245AB-70+ IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP
DS1245Y-100+ IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP
DS1245Y-70IND+ IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP
DS1245Y-70+ IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP
DS1249AB-70# IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP
DS1250Y-70+ IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP
DS1250Y-70IND+ IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP
DS1245W-150+ IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP
DS1245Y-120+ IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP
DS1245W-100+ IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP
DS1245AB-100+ IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP
DS1245AB-120+ IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP
DS1245Y-120IND+ IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP
DS1249Y-70# IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP
DS1249Y-85IND# IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP
DS1250Y-100+ IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP
DS1249Y-100# IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP
DS1250AB-70+ IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP
DS1245Y-85+ IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP
DS1245AB-70IND+ IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP
DS1245AB-85+ IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP
DS1245W-100IND+ IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP
DS1245AB-120IND+ IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP
DS1249Y-70IND# IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP
DS1249AB-70IND# IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP
DS1250W-100+ IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP
DS1250W-100IND+ IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP
DS1250AB-70IND+ IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP
DS1250AB-100IND+ IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP
DS1250Y-100IND+ IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP
DS1245Y-70IND IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP
DS1250Y-100 IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP
DS1249Y-70 IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP
DS1245Y-120 IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP
DS1245Y-100 IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP
DS1245AB-120 IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP
DS1245AB-100 IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP
DS1245W-150 IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP
DS1245AB-70 IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP
DS1245Y-85 IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP
DS1245AB-85 IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP
DS1245Y-70 IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP
DS1245W-100 IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP
DS1245AB-120IND IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP
DS1245Y-120IND IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP
DS1245AB-70IND IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP
DS1249W-150 IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP
DS1249Y-100 IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP
DS1249AB-100 IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP
DS1249AB-70 IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP
DS1249W-100 IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP
DS1249AB-85 IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP
DS1249Y-85 IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP
DS1249Y-70IND IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP
DS1249AB-70IND IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP
DS1249Y-85IND IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP
DS1249AB-85IND IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP
DS1250AB-100 IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP
DS1250W-150 IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP
DS1250AB-70 IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP
DS1250W-100 IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP
DS1250Y-70 IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP
DS1250Y-70IND IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP
DS1250AB-70IND IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP
DS1245W-100IND IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP
DS1249W-100IND IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP
DS1250AB-100IND IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP
DS1250W-100IND IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP
DS1250Y-100IND IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP
DS1250W-150+ IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP
DS1249W-100IND# IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP
DS1249W-100# IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP
DS1249Y-85# IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP
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Part Number Description
Produkt-Beschreibung

Einzelheiten zum Produkt

Beschreibung

Die DS1245 1024k Nonvolatile SRAMs sind 1,048,576 Bit, vollständig statische, nichtflüchtige SRAMs, organisiert als 131.072 Wörter von 8 Bit.Jeder vollständige NV-SRAM verfügt über eine eigenständige Lithium-Energiequelle und eine Steuerungsschaltung, die VCC ständig auf eine außerhalb der zulässigen Bedingungen überwacht.. Wenn ein solcher Zustand auftritt, wird die Lithium-Energiequelle automatisch eingeschaltet und der Schreibschutz ist bedingungslos aktiviert, um Datenkorruption zu verhindern.DS1245-Geräte mit DIP-Paket können anstelle von bestehenden 128k x 8 statischen RAMs verwendet werden, die direkt dem beliebten 32-Pin-DIP-Standard entsprechen. Die DS1245-Geräte im PowerCap-Modulpaket sind direkt auf die Oberfläche zu montieren und werden normalerweise mit einem DS9034PC PowerCap gepaart, um ein komplettes Nonvolatile SRAM-Modul zu bilden.Es gibt keine Begrenzung für die Anzahl der Schreibzyklen, die ausgeführt werden können, und keine zusätzliche Unterstützungsschaltung ist für die Mikroprozessor-Schnittstelle erforderlich.

Eigenschaften

■ 10 Jahre Mindestdatenspeicherung bei Abwesenheit einer externen Stromversorgung
■ Daten werden bei Stromausfall automatisch geschützt
■ Ersetzt 128k x 8 flüchtige statische RAM, EEPROM oder Flash-Speicher
■ Unbegrenzte Schreibzyklen
■ CMOS mit geringer Leistung
■ Lese- und Schreibzugangszeiten von 70 ns
■ Die Lithium-Energiequelle wird elektrisch abgeschaltet, um die Frische zu bewahren, bis zum ersten Stromansatz
■ Voller ±10% VCC-Betriebsbereich (DS1245Y)
■ Optional ±5% VCC-Betriebsbereich (DS1245AB)
■ Optionale industrielle Temperaturbereiche von -40°C bis +85°C, bezeichnet als IND
■ JEDEC-Standard 32-Pin-DIP-Paket
■ PowerCap-Modul (PCM) - Paket
- Modul, das direkt auf der Oberfläche montiert werden kann
- Ersetzbare Schnaps-on PowerCap bietet Lithium-Backup-Batterie
- Standardisierte Pinout für alle nichtflüchtigen SRAM-Produkte
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Spezifikationen

Eigenschaft Attributivwert
Hersteller Maxim integriert
Produktkategorie Speicher-ICs
Reihe DS1245AB
Verpackung Schlauch
Montage-Stil Durchs Loch
Packungskoffer 32 DIP-Module (0,600", 15,24 mm)
Betriebstemperatur 0°C bis 70°C (TA)
Schnittstelle Parallel
Spannungsversorgung 40,75 V bis 5,25 V
Lieferant-Gerät-Verpackung 32-EDIP
Speicherkapazität 1M (128K x 8)
Speichertypen NVSRAM (nicht flüchtige SRAM)
Geschwindigkeit 70 ns
Zugriffszeit 70 ns
Format-Speicher Speicherplatz
Höchstbetriebstemperatur + 70 °C
Betriebstemperaturbereich 0 C
Betriebsversorgungsstrom 85 mA
Schnittstellentyp Parallel
Organisation 128 k x 8
Teil-#-Alias 90-1245A+B70 DS1245AB
Datenbusbreite 8 Bit
Versorgungsspannung 5.25 V
Versorgungsspannung-Min 4.75 V
Packungskoffer EDIP-32
Funktionell kompatible KomponenteForm,Verpackung,funktional kompatible Komponente
Hersteller Teil# Beschreibung Hersteller Vergleich
DS1245Y-70+
Gedächtnis
Nichtflüchtiges SRAM-Modul, 128KX8, 70ns, CMOS, 0,740 INCH, ROHS-konform, DIP-32 Maxim Integrierte Produkte DS1245AB-70+ gegen DS1245Y-70+
DS1245AB-70IND
Gedächtnis
Die in Anhang I der Verordnung (EU) Nr. 1095/2010 aufgeführten Daten sind für die Bereitstellung der erforderlichen Daten zu verwenden, wenn die Daten in Anhang I der Verordnung (EU) Nr. 1095/2010 enthalten sind. Rochester Electronics LLC Dies ist der Fall, wenn die Anlage nicht in Betrieb ist.
DS1245Y-70IND
Gedächtnis
Die in Anhang I der Verordnung (EU) Nr. 1095/2010 aufgeführten Daten sind für die Bereitstellung der erforderlichen Daten zu verwenden, wenn die Daten in Anhang I der Verordnung (EU) Nr. 1095/2010 enthalten sind. Rochester Electronics LLC Dies ist der Fall, wenn die Anwendungsberechtigung nicht erfüllt ist.
M48Z128Y-70PM1
Gedächtnis
Die in Anhang I der Verordnung (EU) Nr. 1095/2010 festgelegten Anforderungen gelten für die Bereitstellung der erforderlichen Daten. STMikroelektronik DS1245AB-70+ gegen M48Z128Y-70PM1
DS1245Y-70
Gedächtnis
Nichtflüchtiges SRAM-Modul, 128KX8, 70ns, CMOS, 0,740 INCH, erweitertes Modul, DIP-32 Maxim Integrierte Produkte Dies ist der Fall, wenn die Anwendungsberechtigung nicht erfüllt ist.
DS1245AB-70
Gedächtnis
Nichtflüchtiges SRAM-Modul, 128KX8, 70ns, CMOS, PDIP32, 0,740 INCH, PLASTIC, DIP-32 Dallas Halbleiter Dies ist der Fall, wenn der Anschluss an den Anschluss an den Anschluss an den Anschluss an den Anschluss ist.
DS1245Y-70IND+
Gedächtnis
Nichtflüchtiges SRAM-Modul, 128KX8, 70ns, CMOS, 0,740 INCH, ROHS-konform, DIP-32 Maxim Integrierte Produkte Dies ist der Fall, wenn die Anwendungsberechtigung nicht erfüllt ist.
DS1245AB-70IND+
Gedächtnis
Nichtflüchtiges SRAM-Modul, 128KX8, 70ns, CMOS, 0,740 INCH, ROHS-konform, DIP-32 Maxim Integrierte Produkte Dies ist der Fall, wenn der Anschluss an den Anschluss an den Anschluss an den Anschluss an den Anschluss an den Anschluss ist.
M48Z128-70PM1
Gedächtnis
Die in Anhang I der Verordnung (EU) Nr. 1095/2010 festgelegten Anforderungen gelten für die Bereitstellung der erforderlichen Daten. STMikroelektronik DS1245AB-70+ gegen M48Z128-70PM1

Beschreibungen

NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Speicher IC 1Mb (128K x 8) Parallel 70ns 32-EDIP
NVRAM 1024K SRAM Nichtflüchtig