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W979H2KBVX2I IC DRAM 512MBIT PAR 134VFBGA Winbond Electronics
| Markenname | Winbond Electronics |
|---|---|
| Modellnummer | W979H2KBVX2I |
| Min Bestellmenge | 1 |
| Preis | Based on current price |
| Verpackung Informationen | Anti-statische Tasche und Karton |
| Lieferzeit | 3-5 Arbeitstage |
| Zahlungsbedingungen | T/T |
| Versorgungsmaterial-Fähigkeit | Vorräte |
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xProduktdetails
| Gedächtnisart | Flüchtig | Gedächtnis-Format | D-RAM |
|---|---|---|---|
| Technologie | SDRAM - mobile LPDDR2 | Speicherkapazität | 512Mbit |
| Speicherorganisation | 16M x 32 | Gedächtnis-Schnittstelle | Parallel |
| Taktfrequenz | 400 MHz | Schreibzyklus-zeit- Wort, Seite | 15ns |
| Zugriffzeit | - | Spannung - Versorgung | 1.14V ~ 1.95V |
| Betriebstemperatur | -40 °C bis 85 °C (TA) | Typ der Montage | Oberflächenbefestigung |
| Packung / Gehäuse | 134-VFBGA | Lieferanten-Gerätepaket | Einheit für die Bereitstellung von Anlagen für die Anlagentechnik |
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| Part Number | Description | |
|---|---|---|
| W979H2KBVX2I | IC DRAM 512MBIT PAR 134VFBGA | |
| W978H6KBVX2I TR | IC DRAM 256MBIT HSUL 12 134VFBGA | |
| W97AH2NBVA2I | IC DRAM 1GBIT HSUL 12 134VFBGA | |
| W979H6KBVX2E TR | IC DRAM 512MBIT PAR 134VFBGA | |
| W979H6KBVX2I TR | IC DRAM 512MBIT PAR 134VFBGA | |
| W978H2KBVX2E | IC DRAM 256MBIT PAR 134VFBGA | |
| W978H2KBVX2I | IC DRAM 256MBIT PAR 134VFBGA | |
| W978H6KBVX2E | IC DRAM 256MBIT PAR 134VFBGA | |
| W979H2KBVX2E | IC DRAM 512MBIT PAR 134VFBGA | |
| W979H6KBVX2E | IC DRAM 512MBIT PAR 134VFBGA | |
| W979H6KBVX2I | IC DRAM 512MBIT PAR 134VFBGA | |
| W978H6KBVX2I | IC DRAM 256MBIT PAR 134VFBGA | |
| MT42L128M32D2MH-25 IT:A | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 134FBGA | |
| MT42L128M32D2MH-3 IT:A | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 134FBGA | |
| MT42L16M32D1AC-25 AAT:A TR | IC DRAM 512MBIT PAR 134VFBGA | |
| MT42L32M32D2AC-25 AAT:A TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134FBGA | |
| MT42L32M32D2AC-25 AIT:A TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134FBGA | |
| MT42L16M32D1AC-25 AAT:A | IC DRAM 512MBIT PAR 134VFBGA | |
| MT42L32M32D2AC-25 AAT:A | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134FBGA | |
| MT42L32M32D2AC-25 AIT:A | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134VFBGA | |
| W97AH2KBVX2E | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134VFBGA | |
| W97AH2KBVX2I | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134VFBGA | |
| W97BH2KBVX2E | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 134VFBGA | |
| W97BH2KBVX2I | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 134VFBGA | |
| W97BH6KBVX2E | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 134VFBGA | |
| W97BH6KBVX2I | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 134VFBGA | |
| W97AH6KBVX2E | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134VFBGA | |
| W97AH6KBVX2I | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134VFBGA | |
| W97AH6KBVX2E TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134VFBGA | |
| W97AH6KBVX2I TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134VFBGA | |
| EDB1332BDBH-1DAAT-F-R TR | IC DRAM 1GBIT PAR 134VFBGA | |
| EDB5432BEBH-1DAAT-F-R TR | IC DRAM 512MBIT PAR 134VFBGA | |
| MT42L32M32D2AC-25 FAAT:A | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134VFBGA | |
| MT42L16M32D1AC-25 AIT:A | IC DRAM 512MBIT PAR 134VFBGA | |
| MT42L16M32D1AC-25 FAAT:A | IC DRAM 512MBIT PAR 134VFBGA | |
| EDB1332BDBH-1DAUT-F-D | IC DRAM 1GBIT PAR 134VFBGA | |
| EDB1332BDBH-1DIT-F-D | IC DRAM 1GBIT PAR 134VFBGA | |
| EDB1332BDPC-1D-F-D | IC DRAM 1GBIT PAR 134VFBGA | |
| EDB5432BEBH-1DAAT-F-D | IC DRAM 512MBIT PAR 134VFBGA | |
| EDB5432BEBH-1DAUT-F-D | IC DRAM 512MBIT PAR 134VFBGA | |
| EDB5432BEBH-1DIT-F-D | IC DRAM 512MBIT PAR 134VFBGA | |
| EDB1316BDBH-1DAAT-F-D | IC DRAM 1GBIT PAR 134VFBGA | |
| EDB1316BDBH-1DAUT-F-D | IC DRAM 1GBIT PAR 134VFBGA | |
| EDB1316BDBH-1DIT-F-D | IC DRAM 1GBIT PAR 134VFBGA | |
| EDB1332BDBH-1DAAT-F-D | IC DRAM 1GBIT PAR 134VFBGA | |
| EDB2432B4MA-1DAAT-F-D | IC DRAM 2GBIT PAR 134VFBGA | |
| EDB2432B4MA-1DAUT-F-D | IC DRAM 2GBIT PAR 134VFBGA | |
| EDB1316BDBH-1DAAT-F-R TR | IC DRAM 1GBIT PAR 134VFBGA | |
| EDB1316BDBH-1DAUT-F-R TR | IC DRAM 1GBIT PAR 134VFBGA | |
| EDB1316BDBH-1DIT-F-R TR | IC DRAM 1GBIT PAR 134VFBGA | |
| EDB1332BDBH-1DAUT-F-R TR | IC DRAM 1GBIT PAR 134VFBGA | |
| EDB1332BDBH-1DIT-F-R TR | IC DRAM 1GBIT PAR 134VFBGA | |
| EDB1332BDPC-1D-F-R TR | IC DRAM 1GBIT PAR 134VFBGA | |
| EDB2432B4MA-1DAAT-F-R TR | IC DRAM 2GBIT PAR 134VFBGA | |
| EDB2432B4MA-1DAUT-F-R TR | IC DRAM 2GBIT PAR 134VFBGA | |
| EDB2432B4MA-1DIT-F-R TR | IC DRAM 2GBIT PAR 134VFBGA | |
| EDB5432BEBH-1DAUT-F-R TR | IC DRAM 512MBIT PAR 134VFBGA | |
| EDB5432BEBH-1DIT-F-R TR | IC DRAM 512MBIT PAR 134VFBGA | |
| MT42L16M32D1AC-25 IT:A | IC DRAM 512MBIT PAR 134VFBGA |
Produkt-Beschreibung
Einzelheiten zum Produkt
Generell beschrieben
Der W9712G6JB ist ein 128 Mbit DDR2 SDRAM, organisiert als 2,097,152 Wörter ×4 Banken ×16 Bits. Dieses Gerät erreicht hohe Übertragungsgeschwindigkeiten von bis zu 1066Mb/sec/pin (DDR2-1066) für allgemeine Anwendungen. W9712G6JB wird in folgende Geschwindigkeitsstufen sortiert: -18, -25,25IDie -18 entspricht der Spezifikation DDR2-1066 (7-7-7).Die -25/25I/25A entsprechen der Spezifikation DDR2-800 (5-5-5) oder DDR2-800 (6-6-6) (die 25I-Industrie- und 25A-Automotive, die garantiert -40 °C ≤TCASE ≤95 °C unterstützen)Die -3 entspricht der Spezifikation DDR2-667 (5-5-5).
Eigenschaften
Stromversorgung: VDD, VDDQ= 1,8 V ±0,1 VArchitektur mit doppelter Datenrate: zwei Datenübertragungen pro Taktzyklus
CAS-Latenz: 3, 4, 5, 6 und 7
Länge des Ausbruchs: 4 und 8
Mit Daten werden bidirektionale, differenzielle Datenstrobos (DQS und DQS) übertragen/empfangen
Rand-Ausgerichtet mit Lesedaten und Zentrumsgerichtet mit Schreibdaten
DLL passt DQ und DQS-Übergänge mit der Uhr aus
Differentialschalteinträge (CLK und CLK)
Datenmasken (DM) für das Schreiben von Daten.
Befehle, die auf jeder positiven CLK-Kante, Datenmaske und Datenmaske eingegeben werden, werden auf beide Kanten von DQS verwiesen
Das Programm unterstützt die Verzögerung von CAS-Programmierbarem Additiv, um die Effizienz des Befehls- und Datenbusses zu erhöhen.
Lese-Latenz = Additive Latenz plus CAS-Latenz (RL = AL + CL)
Off-Chip-Driver Impedanz Anpassung (OCD) und On-Die-Termination (ODT) für eine bessere Signalqualität
Automatische Vorladung für Lesen- und Schreibvorgänge
Automatisches und Selbst-Erneuerungsmodus
Vorgeladener Ausfall und aktiver Ausfall
Datenmaske schreiben
Schreiben Sie Latenz = Lesen Sie Latenz - 1 (WL = RL - 1)
Schnittstelle: SSTL_18
Verpackt in WBGA 84 Kugel (8X12,5 mm)2), wobei bleifreie Materialien mit RoHS-konformen
Spezifikationen
| Eigenschaft | Attributivwert |
|---|---|
| Hersteller | Winbond Elektronik |
| Produktkategorie | Speicher-ICs |
| Reihe | - |
| Verpackung | Tray |
| Packungskoffer | 134-VFBGA |
| Betriebstemperatur | -40 °C bis 85 °C (TA) |
| Schnittstelle | Parallel |
| Spannungsversorgung | 1.14 V ~ 1.95 V |
| Lieferant-Gerät-Verpackung | Einheit für die Bereitstellung von Anlagen für die Anlagentechnik |
| Speicherkapazität | 512M (16M x 32) |
| Speichertypen | mobile LPDDR2-SDRAM |
| Geschwindigkeit | 400 MHz |
| Format-Speicher | Speicherplatz |
Beschreibungen
SDRAM - Mobile LPDDR2 Speicher IC 512Mb (16M x 32) Parallel 400MHz 134-VFBGA (10x11.5)
Hochgeschwindigkeits-SDRAM, Uhrzeit bis zu 533 MHz, 4 interne Banken
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