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MT29F4G08ABADAH4-IT:D TR IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63VFBGA Micron Technology Inc.

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xProduktdetails
Gedächtnisart | Permanent | Gedächtnis-Format | BLITZ |
---|---|---|---|
Technologie | BLITZ - NAND | Speicherkapazität | 4Gbit |
Speicherorganisation | 512M x 8 | Gedächtnis-Schnittstelle | Parallel |
Taktfrequenz | - | Schreibzyklus-zeit- Wort, Seite | - |
Zugriffzeit | - | Spannung - Versorgung | 2.7V ~ 3.6V |
Betriebstemperatur | -40 °C bis 85 °C (TA) | Typ der Montage | Oberflächenbefestigung |
Packung / Gehäuse | 63-VFBGA | Lieferanten-Gerätepaket | 63-VFBGA (9x11) |
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Part Number | Description | |
---|---|---|
MT29F2G08ABAGAH4-ITE:G TR | IC FLASH 2GBIT PARALLEL 63VFBGA | |
MT29F1G08ABBFAH4-ITE:F | IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63VFBGA | |
MT29F4G08ABADAH4-IT:D TR | IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63VFBGA | |
MT29F4G08ABADAH4-IT:D | IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63VFBGA | |
MT29F2G08ABAGAH4-IT:G TR | IC FLASH 2GBIT PARALLEL 63VFBGA | |
MT29F4G08ABAEAH4-ITS:E TR | IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63VFBGA | |
MT29F4G08ABAEAH4:E TR | IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63VFBGA | |
MT29F1G08ABAEAH4:E TR | IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63VFBGA | |
MT29F2G08ABAEAH4-AITX:E TR | IC FLASH 2GBIT PARALLEL 63VFBGA | |
MT29F4G08ABADAH4-AITX:D TR | IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63VFBGA | |
MT29F8G08ABACAH4-IT:C TR | IC FLASH 8GBIT PARALLEL 63VFBGA | |
MT29F1G08ABBFAH4-ITE:F TR | IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63VFBGA | |
MT29F1G08ABAEAH4-AATX:E | IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63VFBGA | |
MT29F1G08ABAEAH4-AATX:E TR | IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63VFBGA | |
MT29F4G08ABAEAH4-ITS:E | IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63VFBGA | |
MT29F2G08ABAEAH4-AITX:E | IC FLASH 2GBIT PARALLEL 63VFBGA | |
MT29F4G08ABADAH4-AITX:D | IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63VFBGA | |
MT29F4G08ABADAH4-AATX:D TR | IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63VFBGA | |
MT29F4G08ABADAH4-AATX:D | IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63VFBGA | |
MT29F4G08ABADAH4-ITX:D | IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63VFBGA | |
MT29F4G08ABADAH4-ITE:D TR | IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63VFBGA | |
MT29F4G08ABADAH4-ITX:D TR | IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63VFBGA | |
MT29F8G08ABACAH4-S:C TR | IC FLASH 8GBIT PARALLEL 63VFBGA | |
MT29F4G08ABADAH4-ITE:D | IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63VFBGA | |
MT29F4G08ABAEAH4:E | IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63VFBGA | |
MT29F8G08ABACAH4:C | IC FLASH 8GBIT PARALLEL 63VFBGA | |
MT29F8G08ABACAH4-IT:C | IC FLASH 8GBIT PARALLEL 63VFBGA | |
MT29F8G08ABACAH4-S:C | IC FLASH 8GBIT PARALLEL 63VFBGA | |
MT29F4G08ABADAH4-E:D | IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63VFBGA | |
MT29F4G08ABADAH4-AT:D TR | IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63VFBGA | |
MT29F1G08ABAFAH4-ITE:F TR | IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63VFBGA | |
MT29F8G08ABACAH4:C TR | IC FLASH 8GBIT PARALLEL 63VFBGA | |
MT29F8G08ABACAH4-ITS:C | IC FLASH 8GBIT PARALLEL 63VFBGA | |
MT29F8G08ABACAH4-ITS:C TR | IC FLASH 8GBIT PARALLEL 63VFBGA | |
MT29F4G08ABADAH4-AT:D | IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63VFBGA | |
MT29F1G08ABAEAH4-AITX:E | IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63VFBGA | |
MT29F1G08ABAFAH4-ITE:F | IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63VFBGA | |
MT29F1G08ABBEAH4-AITX:E | IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63VFBGA | |
MT29F2G08ABAEAH4-AATX:E | IC FLASH 2GBIT PARALLEL 63VFBGA | |
MT29F4G08ABBDAH4-AITX:D | IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63VFBGA | |
MT29F8G16ADBDAH4-AIT:D | IC FLASH 8GBIT PARALLEL 63VFBGA | |
MT29F1G08ABAEAH4-AITX:E TR | IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63VFBGA | |
MT29F1G08ABBEAH4-AITX:E TR | IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63VFBGA | |
MT29F1G16ABBEAH4-AITX:E TR | IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63VFBGA | |
MT29F2G08ABAEAH4-AATX:E TR | IC FLASH 2GBIT PARALLEL 63VFBGA | |
MT29F4G08ABBDAH4-AITX:D TR | IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63VFBGA | |
MT29F8G16ADBDAH4-AIT:D TR | IC FLASH 8GBIT PARALLEL 63VFBGA |
Produkt-Beschreibung
Einzelheiten zum Produkt
Allgemeine Beschreibung
Micron NAND Flash-Geräte verfügen über eine asynchrone Datenschnittstelle für Hochleistungs-E/A-Operationen.Es gibt fünf Steuerungssignale zur Implementierung der asynchronen Datenschnittstelle: CE#, CLE, ALE, WE# und RE#. Zusätzliche Signale steuern die Schreibschutz-Hardware und überwachen den Gerätestatus (R/B#).Diese Hardware-Schnittstelle erzeugt ein Gerät mit geringer Pinzahl mit einem Standard-Pinout, das von einer Dichte zur anderen gleich bleibt, was zukünftige Upgrades zu höheren Dichte-Bindungen ohne Neugestaltung des Boards ermöglicht.
Ein Ziel ist die Speichereinheit, auf die ein Chip-Aktivierungssignal zugreift.Ein NAND-Flash-Dei ist die minimale Einheit, die Befehle unabhängig voneinander ausführen und den Status melden kannEine NAND-Flash-Matrix wird in der ONFI-Spezifikation als logische Einheit (LUN) bezeichnet.siehe Organisation von Geräten und Arrays.
Dieses Gerät verfügt über einen internen 4-Bit-ECC, der mit den Funktionen GET/SET aktiviert werden kann.
Weitere Informationen finden Sie in den Abschnitten "Internal ECC and Reserve Area Mapping for ECC".
Eigenschaften
• Offene NAND-Flash-Schnittstelle (ONFI) 1.0-konform1• Technologie der Einzelzellen (SLC)
• Organisation
️ Seitengröße x8: 2112 Bytes (2048 + 64 Bytes)
Seite x16: 1056 Wörter (1024 + 32 Wörter)
Blockgröße: 64 Seiten (128K + 4K Bytes)
Flugzeuggröße: 2 Flugzeuge x 2048 Blöcke pro Flugzeug
¢ Gerätegröße: 4 GB: 4096 Blöcke; 8 GB: 8192 Blöcke 16 GB: 16.384 Blöcke
• Asynchrone E/A-Leistung
TRC/tWC: 20ns (3,3V), 25ns (1,8V)
• Leistung des Arrays
Lesen der Seite: 25μs 3
¢ Programmseite: 200 μs (Typ: 1,8 V, 3,3 V) 3
¢ Löschblock: 700 μs (TYP)
• Befehlssatz: ONFI NAND Flash-Protokoll
• Erweiterte Befehlssätze
¢ Cache-Modus der Programmseite4
Lesen des Cachemodus 4
Einmalprogrammierbarer (OTP) Modus
Befehle für zwei Ebenen 4
– Interleaved die (LUN) operations
– Read unique ID
️ Blockverschluss (nur 1,8 V)
– Internal data move
• Das Betriebszustand-Byte stellt eine Softwaremethode zur Erkennung
¢ Abschluss der Operation
– Pass/fail condition
️ Schreibschutzstatus
• Das Signal "Ready/Busy#" (R/B#) stellt eine Hardwaremethode zur Erkennung des Abschlusses der Operation bereit.
• WP#-Signal: Schreiben schützen das gesamte Gerät
• Der erste Block (Blockadresse 00h) ist gültig, wenn er von der Fabrik mit ECC ausgeliefert wird.
• Block 0 erfordert 1-Bit-ECC, wenn die Programm-/ERASE-Zyklen weniger als 1000 sind
• Reset (FFh) als erster Befehl nach dem Einschalten erforderlich
• Alternative Methode der Geräteinitialisierung (Nand_In it) nach dem Einschalten (Kontaktfabrik)
• Interne Datenbewegungsvorgänge innerhalb der Ebene, aus der Daten gelesen werden, werden unterstützt
• Qualität und Verlässlichkeit
Aufbewahrung der Daten: 10 Jahre
- Langlebigkeit: 100.000 Programm-/ Löschzyklen
• Betriebsspannungsbereich
¢ VCC: 2,7 ¢ 3,6 V
VCC: 1,7 V 1,95 V
• Betriebstemperatur:
️ Handelsgewerbe: 0°C bis +70°C
Industrie (IT): von 40 °C bis + 85 °C
• Paket
️ 48-Pin-TSOP-Typ 1, CPL2
- 63-Ball VFBGA
Spezifikationen
Eigenschaft | Attributivwert |
---|---|
Hersteller | Micron Technologie Inc. |
Produktkategorie | Speicher-ICs |
Reihe | - |
Verpackung | Verpackung mit Band und Rolle (TR) |
Packungskoffer | 63-VFBGA |
Betriebstemperatur | -40 °C bis 85 °C (TA) |
Schnittstelle | Parallel |
Spannungsversorgung | 2.7 V ~ 3.6 V |
Lieferant-Gerät-Verpackung | Die in Absatz 1 Buchstabe a genannten Angaben werden in Anhang I der Verordnung (EU) Nr. 182/2011 aufgeführt. |
Speicherkapazität | 4G (512M x 8) |
Speichertypen | FLASH - NAND |
Geschwindigkeit | - |
Format-Speicher | Flasch |
Beschreibungen
FLASH - NAND-Speicher IC 4 GB (512 M x 8) Parallel 63-VFBGA (9x11)
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