S70FL01GSAGMFI010 IC FLASH 1GBIT SPI/QUAD 16SOIC Infineon Technologies

Allgemeine Beschreibung

Dieses Dokument enthält Informationen für das Gerät S70FL256P, das aus zwei S25FL129P-Dosen besteht.

Unterscheidungsmerkmale
Architektonische Vorteile
■ Einsatz einer einzigen Stromversorgung
- Vollspannungsbereich: 2,7 bis 3,6 V Lesen und Schreiben
■ Gedächtnisarchitektur
Einheitliche 64 kB-Sektoren
¢ oberster oder unterster Parameterblock (zwei 64-kB-Sektoren)
Aufgeteilt in 16 Teilbereiche mit jeweils 4 kB
Jeder Flash stirbt
Einheitliche 256 kB-Sektoren (keine 4-kB-Teilsektoren)
¢ 256-Byte-Seitengröße
■ Programm
¢ Seitenausgabe (bis zu 256 Bytes) in 1,5 ms (typisch)
Die Programme werden Seite für Seite durchgeführt.
- Beschleunigter Programmiermodus über 9V W#/ACC-Pin
¢ Vierseitige Programmierung
■ Löschen
¢ Massenlöschfunktion für jede Flash-Matrize
️ Sektorlöschen (SE) Befehl (D8h) für 64 kB und 256 kB
Sektoren
️ Untersektorlöschbefehl (P4E) (20h) für 4 kB-Sektoren
(nur für ein einheitliches 64-kB-Sektorgerät)
️ Untersektorlöschbefehl (P8E) (40h) für 8 kB-Sektoren
(nur für ein einheitliches 64-kB-Sektorgerät)
■ Radfahren
¥ 100.000 Zyklen pro Branche typisch
■ Datenspeicherung
¢ 20 Jahre typisch
■ Geräte-ID
JEDEC-Standard zwei-Byte-elektronische Signatur

Kompatibilität
■ Einmalig programmierbare (OTP) Fläche auf jeder Flash-Matrize für
Dauerhafte, sichere Identifizierung; kann programmiert und
in der Fabrik oder vom Kunden verriegelt
■ CFI (Common Flash Interface) -konform: ermöglicht Host
System zur Identifizierung und Aufnahme mehrerer Blitzgeräte
■ Prozesstechnik
️ Hergestellt auf Basis der Prozesstechnologie MirrorBit® 0,09 μm
■ Paketoption
¢ Industrie-Standard-Pinouts

- 24-kugel BGA-Paket (6 x 8 mm), 5 x 5 Stift-Konfiguration
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